本发明提出一种基于氧化镓的金属绝缘层半导体结构日盲紫外探测器及其制备方法，包括：由镍、金电极构成的电极层，绝缘氧化铝层，及氧化镓半导体衬底，电极层、绝缘氧化铝层、氧化镓半导体衬底由上至下依次设置，形成金属‑绝缘层‑半导体结构。本发明在金...

本发明提出一种无掩模原位横向外延α相氧化镓薄膜的方法，包括以下步骤：(1)在衬底上外延一层氧化镓缓冲层；(2)在极短的时间内，在氧化镓缓冲层上生长一层氧化铟量子点，即可得到图形化的氧化镓外延衬底；(3)在图形化的氧化镓外延衬底上继续外延...