本技术公开了一种氮化镓分段加热外延炉，包括炉底座，所述炉底座的上端设置有炉盖，所述炉盖的下端与所述炉底座之间安装有法兰连接部，并且所述炉胆安装于所述炉底座的上端，而且所述炉胆位于所述炉盖的内部，所述炉胆的前后两端分别连接有进气管路和出气...

本技术公开了一种氮化镓快充装置，包括氮化镓快充器，所述氮化镓快充器的上端安装有金属触片，且金属触片与所述氮化镓快充器的输出端电性连接，并且所述氮化镓快充器的上端中部安装有绝缘座；所述氮化镓快充器的上端固定有外框体，且外框体的内侧中部滑动...

本技术提供一种氮化镓生长加热炉，包括有外炉壁，所述外炉壁内部固定连接有石英炉胆，所述石英炉胆一侧表面设置有安装挂槽，所述石英炉胆一侧安装有旋转套柄机构，所述石英炉胆内壁下方设置有物料盒，所述安装挂槽表面活动连接有采集机构，所述石英炉胆开...

本技术提供一种氮化镓外延片生长用基座，包括基座盘，所述基座盘顶部均匀开设有多个凹槽，所述凹槽内侧活动安装有限位筒，所述限位筒内部固定连接有吸附盘，所述吸附盘上表面吸附有氮化镓外延片；所述基座盘顶部开设有安装槽，所述安装槽内侧设有自动取放...

本实用新型公开了一种无需胶粘的紫外LED封装支架，包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的导电线路、金属围坝，其特征在于：所述金属围坝由四个面组成，所述陶瓷基板固定在金属围坝的底部，金属围坝的四个面中，每一面顶部均设有台阶以及高出台阶的围栏，四...

本发明公开了一种无需胶粘的紫外LED封装支架，包括陶瓷基板、设置在陶瓷基板上的导电线路、金属围坝，其特征在于：所述金属围坝由四个面组成，所述陶瓷基板固定在金属围坝的底部，金属围坝的四个面中，每一面顶部均设有台阶以及高出台阶的围栏，四个面...

本发明公开了一种非对称晶圆清洗花篮，包括清洗花篮主体，所述清洗花篮主体上设多个晶圆限位槽，所述晶圆限位槽的尺寸与晶圆的尺寸匹配，便于晶圆插入晶圆限位槽中，所述清洗花篮主体设有晶圆限位槽的面与清洗花篮主体的底面呈一定夹角，清洗花篮主体设有...

本发明公开了一种实验室用小尺寸晶圆清洗花篮，包括清洗花篮主体，所述清洗花篮主体底部设有进液孔，所述进液孔的直径小于晶圆的宽度，其特征在于：所述清洗花篮主体上设多个晶圆限位槽，所述晶圆限位槽的尺寸与晶圆的尺寸匹配，便于晶圆插入晶圆限位槽中...

本发明提供一种基于h‑BN的V型隧穿结LED外延结构，其特征在于：自下而上依次包括：衬底、AlN成核层、h‑BN层、n型AlGaN层、AlGaN量子阱层，其中在AlGaN量子阱层形成V型坑，p型h‑BN层核InGaN/graded‑Al...

本实用新型公开了一种均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为四个侧面和一个顶面拼成或一体成型的正方体或无底面的半球形、弧形，所述匀化罩均匀分布有等径的通气孔。此装置能将被N2(载气)带入的水气平缓、稳定均匀的接触晶圆表面，避免进...

本发明提供一种带栅源桥的GaN基P‑GaN增强型HEMT器件结构及其制作方法，生长完GaN cap层后取出外延片利用薄膜沉积设备生长SiO

本实用新型公开了一种全光谱LED光源，由两种或两种以上不同光谱的灯珠给予不同电流后排布而成，使得综合发光为全光谱。本实用新型提供的全光谱LED，只需要两种或两种以上的LED灯珠按一定规律排布而成，结构简单，成本低。

本发明公开了一种均匀进气氧化气体匀化罩，其特征在于：所述匀化罩为四个侧面和一个顶面拼成或一体成型的正方体或无底面的半球形、弧形，所述匀化罩均匀分布有等径的通气孔。此装置能将被N2(载气)带入的水气平缓、稳定均匀的接触晶圆表面，避免进气口...

本发明公开了一种全光谱LED光源，由两种或两种以上不同光谱的灯珠给予不同电流后排布而成，使得综合发光为全光谱。本发明提供的全光谱LED，只需要两种或两种以上的LED灯珠按一定规律排布而成，结构简单，成本低。

本发明公开了一种表面等离激元增强型InGaN/GaN多量子阱光电极，在基片中刻蚀形成贯穿p‑GaN层，深至多量子阱有源层的纳米柱结构，所述纳米柱之间在多量子阱有源层的位置填充有等离金属。并公开了其在作为太阳能光电化学电池的工作电极中的应...

本发明公开了一种利用MBE再生长p‑GaN的单栅结构GaN‑JFET器件的方法，在GaN外延片上刻蚀重掺n

本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法，其步骤包括：通过动态阻抗提取电路提取器件中的动态导通阻抗；拟合提取的动态导通阻抗曲线，提取拟合的曲线斜率；分别计算器件在开关电路中的导通损耗和开关损耗，并换...