本发明涉及一种用于氘化的有机化合物的制备方法，所述方法包括以下步骤：液体组合物的制备，所述液体组合物包含所述有机化合物、至少一种非均相金属催化剂、至少一种氘源、以及作为溶剂的至少一种脂族杂化合物和任选的至少一种脂族烃。

本发明涉及适合用于电子器件中的环状化合物，并且涉及含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。

本发明涉及含有特定取代的三芳基胺重复单元的聚合物，涉及用于制造其的方法，并且涉及其在电子器件中、尤其是在所谓OLED(OLED＝有机发光二极管)的有机电致发光器件中的用途。本发明还涉及含有所述聚合物的有机电致发光器件。

本发明涉及能够制备具有优异质量的含硅薄膜的新型硅前体化合物及其制备方法，以及使用所述硅前体化合物的含硅薄膜制备方法。

一种在具有沟的基板上制造氮化硅质膜的方法，其包括以下工序：(a)在具有沟的基板上施用氮化硅质组合物，以形成组合物层；(b)对该组合物层照射波长200～229nm的光；以及(c)在非氧化气氛中加热该基板；其中该氮化硅质膜对波长633nm的...

[要解决的问题]一个目的是提供一种具有良好耐热性的化合物。本发明的另一个目的是提供一种涂层，该涂层具有较小的膜收缩性，良好的间隙填充性能和良好的平坦性。[方案]本发明提供了乙炔基衍生的复合物和包含其的组合物。并且，本发明提供了用其制造涂...

本申请涉及带负电荷的二氧化硅粒子、生产这样的粒子的方法、包含这样的粒子的组合物以及化学机械抛光方法。

本发明涉及一种具有包含第5族元素的多金属氧酸盐簇的多金属氧酸盐化合物、包含所述多金属氧酸盐化合物的制剂以及使用所述制剂和多金属氧酸盐化合物制备光学金属氧化物层的方法。所得到的光学金属氧化物层特别适合应用于光学器件，例如用于增强现实(AR...

本发明涉及一种用于存储器、传感器、场效应晶体管或约瑟夫森(Josephson)结中的电子切换器件，尤其涉及隧道结，其包括有机分子层。更具体而言，本发明包括在随机存取非易失性忆阻存储器(RRAM)领域中。本发明的另一方面涉及用于该分子层中...

本发明涉及包含电子传输性主体材料、作为敏化剂的磷光发光体、和荧光发光体的组合物，以及包含这些组合物的器件、尤其是包含含有这些组合物的发光层的有机电致发光器件。

本发明提供一种电子设备制造液、制造抗蚀剂图案的方法及制造器件的方法。

本发明涉及用于有机电致发光器件的材料。具体地，本发明涉及特别是在有机电致发光器件中用作三重态基质材料的具有二苯并呋喃、二苯并噻吩和芴基团的胺。本发明还涉及制备本发明的化合物的方法以及涉及包含所述化合物的电子器件。

[问题]本发明提供一种离子注入厚膜抗蚀剂组合物。[解决方案]一种离子注入厚膜抗蚀剂组合物，其包含具有特定结构的聚合物(A)、光酸产生剂(B)及溶剂(C)，其中由该组合物形成的抗蚀剂膜的膜厚为1.0～50μm，聚合物(A)的质均分子量为5...

[问题]本发明提供一种材料，其是黑矩阵用的组合物，其适于制造适用于高亮度的显示设备结构的高耐热性且高遮光性的黑矩阵。[解决手段]使用一种黑矩阵用组合物，其包含(I)具有特定的重复单元的硅氧烷聚合物、(II)硅烷醇缩合催化剂、(III)黑...

本发明涉及适合用于电子器件中的含氮杂环化合物，并且涉及含有所述化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。

[问题]本发明提供一种正型剥离抗蚀剂组合物。[解决方案]一种正型剥离抗蚀剂组合物，其包含具有特定的结构且cLogP为2.76～3.35的聚合物(A)、光酸产生剂(B)、及溶剂(C)。

本发明涉及式(I)和(II)中的一种的化合物、用于制造这些化合物的方法、含有一种或多种这些化合物的电子器件和所述化合物在电子器件中的用途。

本发明涉及适用于电子器件中的化合物，以及含有这些化合物的电子器件，特别是有机电致发光器件。

一种组合物，其至少包含含有多环芳香族烃的聚合物、散射剂和含有硫醇的单体。

本发明涉及适合用于电子器件中的芳族杂环，并且涉及含有这些化合物的电子器件、特别是有机电致发光器件。