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名城大学专利技术
名城大学共有1项专利
发光二极管元件及其制造方法技术
提供一种不用对6H型SiC掺杂Al而可以得到比掺杂了B和N的通常的6H型SiC的发光区域短波长侧的发光的发光二极管元件及其制造方法。在发光二极管元件100的SiC基板102形成由添加了B和N的多孔状单晶6H型SiC构成的多孔层124,如...
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