本发明公开了一种晶体管热载流子注入寿命的预估方法

本发明公开了一种晶体管的栅极电阻测量结构及晶体管的制备方法

本申请涉及半导体制造工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于轨道的版图自动接线方法、系统及装置，一定程度上可以解决通过李氏迷宫算法或顺序绕线算法进行布线规划在实际操作中效率低的问题。所述版图自动接线方法包括：获取被测器件及焊盘的配置信息，根...

本申请提供了一种光学邻近校正方法、装置、计算机设备和存储介质，该方法包括：通过预设的边缘校正模型获取设计集成电路版图中各切分线段的初始偏移值；基于初始偏移值，通过MB

本申请涉及集成电路版图设计技术领域，具体而言，涉及一种集成电路版图的拐角填充方法、装置及计算机设备。一定程度上可以解决由于位于拐角的引线电流分布不均匀而使引线电迁移现象加剧的问题。所述一种集成电路版图的拐角填充方法包括：基于集成电路版图...

本申请涉及测试数据分析技术领域，具体而言，涉及一种测试数据查询方法、终端、服务器及系统，一定程度上可以解决对测试数据的管理较复杂，导致查询任意晶圆上某个器件相关测试数据的效率较低的问题。所述方法包括接收测试机台发送的初始测试数据；接收终...

本申请提供一种基于改进叉树算法的网格生成方法及装置。所述方法包括：对半导体器件的外切立方体进行初始网格生成，如果目标体网格完全位于半导体器件内部且体积大于预设阈值，则继续进行细化，直至得到符合要求的最终内部体网格，如果目标体网格与半导体...

本申请提供一种淀积工艺的仿真方法及装置。所述方法包括：根据淀积反应剂的淀积参数确定仿真淀积速率，并将淀积时长划分为多个淀积时间段，按照该仿真淀积速率，在每个淀积时间段初始时刻的初始仿真立体结构的淀积剖面上进行对应时长的仿真淀积后，得到每...

本申请提供一种刻蚀工艺的仿真方法及装置。所述方法包括：根据待刻蚀对象的第一刻蚀参数以及刻蚀物质的第二刻蚀参数确定刻蚀速率后，再结合预设的刻蚀方式，确定水平单位速度和垂直单位速度，按照该水平单位速度和垂直单位速度，对待刻蚀对象几何剖面结构...

本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法及装置。本申请提供一种基于极坐标矢量计算光刻模型的方法，包括：确定光源的极化类型；基于所述极化类型，建立进入光瞳的入射光线场强的传输矩阵，所述传输...

本申请涉及半导体生产的光刻工艺技术领域，具体而言，涉及一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法及装置。本申请提供一种基于多目标优化的光刻工艺分辨率增强方法，包括以下步骤：通过划分多个圆重叠的方法得到照明光源的区域划分用于优化光源；确定...

本发明涉及制备光学临近校正(OPC)设计工艺技术领域，具体而言，涉及一种光刻掩模光学修正的方法、装置及计算机可读存储介质。本发明提供一种光刻掩模光学修正的方法，包括：对修正前数据进行处理，得到基于多个分类的修正前数据；对所述基于多个分类...

本申请公开了一种计算光刻系统模型中混叠现象的处理方法，该方法包括：根据有效采样范围和预先设定的空间采样间隔，确定对掩模函数离散采样的采样点数量，掩模函数用于表示掩模版的几何形状；根据空间采样间隔，建立抗混叠滤波函数，抗混叠滤波函数用于限...

本申请公开了一种计算光刻中掩模版的处理方法及装置，在所述方法中，通过多边形的顶点数据，获取多边形中边的长度以及方向，并根据所述边的长度以及方向定义多边形的数据格式，令掩模版图形按照所述数据格式进行存储、读取以及传输。相较于现有技术，本申...

本申请公开了一种基于掩模版拐角圆化的计算光刻方法及装置，在获取晶圆表面的光强分布之前，通过圆化处理图形对预先设计的理想的掩模版图形进行圆化处理，获取掩模版的几何图形，通过理想的掩模版图形以及圆化处理图形在频域上的响应函数，获取几何图形的...

本申请公开了一种晶圆表面光强分布的快速获取方法及装置，通过将频域上的光源函数以及频域上的光瞳函数，分别投影到Fourier‑Bessel正交基函数上，获取光源函数的频域投影系数以及光瞳函数的频域投影系数。然后根据Fourier‑Bess...

本申请公开了一种基于掩模版图形处理的光强分布快速确定方法及装置。该方法包括：根据光源函数和光瞳函数，建立交叉传递函数；对交叉传递函数进行奇异值分解，得到至少一个频域核函数；确定掩模版图形划分成的至少一个矩形，以及至少一个矩形中每个矩形的...