根据本公开的一方面，一种用于形成功率半导体的钝化层的方法，包括在等离子体沉积腔室中在功率半导体器件的金属布线的上部等离子体化学气相沉积比率为400±3％sccm:100±3％sccm:3800±3％sccm的SiH4:NH3:N2气体，...

一种根据本公开实施例的SiC MOSFET器件及其制备方法，所述SiC MOSFET器件包括：N型SiC衬底，其具有N型外延层和在深度方向上形成在外延层上表面上的沟槽；形成在沟槽底部上的第一p型电场屏蔽层；在比第一p型电场屏蔽层更大的深...

根据本发明的一方面，一种形成具有改善的台阶覆盖的SiC功率半导体的沟槽的方法，包括：通过在高浓度半导体基板层之上形成的外延层之上注入第一杂质离子而形成第二浓度层；在所述第二浓度层之上形成SiO2层；在所述SiO2层之上形成PR掩模图案，...

根据本发明的实施方式，在包括活性电池和邻近于活性电池形成的用于稳定减缓电场的边缘电池的功率半导体器件中，所述活性电池包括：形成于第二电极的上侧上的N+基板；形成于N+基板的上侧上的N‑漂移层；形成于N‑漂移层的上部的P基区；和形成于P基...

本发明提供一种包括开关特性控制工艺的功率半导体装置的制造方法，根据本发明的一方面，所述方法包括N-EPI层形成步骤、JFET层形成步骤、下部栅极绝缘膜形成步骤、栅极电极用多晶硅栅极形成步骤、体区域形成步骤、源极区域形成步骤、上部绝缘层形...