本申请涉及一种表面处理液，所述表面处理液为水溶液，包含：水溶性铜盐；硫代化合物，为具有于一个碳原子上共价键合着一个以上氮原子以及一个以上硫原子的结构；以及含氮碱化合物，为选自碱性氨基酸、胍化合物、以及四级铵盐中的一种以上。表面处理液中的...

本发明的目的在于提供一种能够抑制铜的蚀刻，并且去除附着于铜配线表面的有机物或铜氧化物的洗净剂。本发明的洗净剂包含水溶性羧酸和过氧化氢，上述过氧化氢的浓度未达0.75重量％，并且上述洗净剂的pH值未达2.5。通过水溶性羧酸，能够从铜配线表...

一种物性值预测方法，其取得拍摄预测对象的原材料所得到的预测对象影像G1，对已机器学习成将拍摄原材料所得到的影像输入作为说明变数且输出关于原材料的物性值(Y)的预测模型输入预测对象影像G1，将映现于预测对象影像G1的关于原材料的物性值(Y...

化合物(A)具有键结于1,3,5‑三嗪环的碳原子的取代基Q1至取代基Q6。取代基Q1至取代基Q6中，至少1个为X，至少1个为Y。R1为氢原子或碳数1至12的烷基。R2为氢原子、或者选自由碳数1至12的烷基、碳数6至25的芳基以及碳数7至...

一种物性值预测方法，其对经机器学习的预测模型21输入物性值的实测值为已知的多个预测对象影像，输出多个预测对象影像各自的预测值及特征量图，根据多个预测对象影像中的实测物性值为同程度的影像的预测结果，界定出实测值与上述预测值的误差在第1阈值...

本发明的蚀刻液组包含：含有盐酸以及硫代化合物的第一液、以及含有盐酸以及亚硝酸源的第二液。第一液所含有的硫代化合物为碳数7以下的化合物，该化合物具有S－H或是S＝C，且具有选自由氨基、亚氨基、羧基、羰基、以及羟基所构成的组中的1种以上的官...

本发明是一种接着组合物，其是用以在金属的表面形成与树脂的接着层的，上述树脂为硬化性树脂，上述组合物为包含在1个分子中具有2个以上氮原子的低分子有机化合物、与选自由3价的铝离子、及3价的铬离子所组成的群中的1种以上的金属离子，且pH值为1...

本申请涉及蚀刻液、补给液及铜配线的形成方法。本发明是一种蚀刻液，其是铜的蚀刻液，所述蚀刻液包含：酸、氧化性金属离子、具有五元环的芳香族杂环化合物(A)、具有五～七元环的脂肪族杂环化合物(B)、及在分子内含有叔氮或季氮的阳离子性聚合物，所...

本发明的微蚀刻剂为用于铜的表面粗化的铜微蚀刻剂，且为含有无机酸、铜(II)离子源、卤化物离子源及聚合物的酸性水溶液，其中，聚合物为侧链含有氨基或季铵基的重均分子量1000以上的水溶性聚合物，在将硫酸根离子源的摩尔浓度设为Cs(mol/L...

本发明提供一种用于在金属表面形成与树脂的粘接性优异的覆膜的覆膜形成用组合物、及具备使用该组合物所形成的覆膜的表面处理金属构件。覆膜形成用组合物为含有含氨基的硅烷偶合剂、金属离子以及卤化物离子的溶液。金属离子优选为铜离子，溶液中的铜离子浓...

本发明涉及一种微蚀刻剂，所述微蚀刻剂包含有机酸、二价铜离子以及卤化物离子的酸性水溶液。卤化物离子的摩尔浓度为0.005摩尔/L至0.1摩尔/L。通过使微蚀刻剂接触铜的表面而粗化铜表面。粗化时的深度方向的平均蚀刻量优选为0.4μm以下。本...

本发明的微蚀刻剂包含无机酸、铜离子、卤化物离子以及水溶性阳离子聚合物，该水溶性阳离子聚合物在侧链上含有四级铵基，且重量平均分子量为1000以上。微蚀刻剂中的卤化物离子的摩尔浓度为铜离子的摩尔浓度的5倍至100倍。微蚀刻剂的pH优选为2以...

本发明的覆膜形成用组成物是包含有：芳香族化合物，是在一分子中具有胺基以及芳香环；以及硫化合物(pKa为－1.9以下的硫的含氧酸以及其盐除外)。覆膜形成用组成物的pH优选为4至10。硫化合物优选为在溶液中经电离而作为阴离子存在，尤其优选为...

本发明的覆膜形成用组成物是pH为4至10的溶液，且含有：在一分子中具有胺基以及芳香环的芳香族化合物、具有2个以上的羧基的多元酸、以及氧化剂。作为氧化剂，可使用次氯酸、亚氯酸、氯酸、过氯酸、过硫酸、过碳酸、过氧化氢、或有机过氧化物等。芳香...

本发明的被膜形成用组成物为pH值为6至9的溶液，包含有：于一分子中具有胺基及芳香环的芳香族化合物、具有2个以上的羧基的多元酸以及卤化物离子。被膜形成用组成物中的多元酸的含量为芳香族化合物的含量的0.05倍至10倍，卤化物离子的浓度为5m...

本发明的蚀刻液为铜的蚀刻液；并且所述蚀刻液为含有酸、氧化性金属离子、具有五元环的杂芳香族化合物(A)、以及选自由具有五元环至六元环的杂芳香族化合物(B1)及烷醇胺(B2)所组成的群组中的一种以上的化合物的水溶液；所述(A)为不具有羟烷基...

本发明为关于一种微蚀刻剂及电路基板的制造方法，该微蚀刻剂由铜的结晶性不同引起的粗化形状的差异小，且对于电解铜及压延铜的任一者均能够形成与树脂等的密接性优异的粗化形状，该电路基板的制造方法具有使用该微蚀刻剂对铜表面进行粗化的工序。本发明的...

本发明的目的在于提供一种蚀刻液及使用该蚀刻液的蚀刻方法，所述蚀刻液可在铜的存在下选择性地蚀刻钛，而且毒性低，保存稳定性优异。本发明的蚀刻液含有选自由硫酸、盐酸及三氯乙酸所组成的群组中的至少一种酸与选自由硫酮系化合物及硫醚系化合物所组成的...

本发明是一种铜的蚀刻液，包含酸、以及选自由脂肪族无环化合物、脂肪族杂环化合物及芳香族杂环化合物所组成的群组中的1种以上的化合物；所述脂肪族无环化合物是碳数2至10的饱和脂肪族无环化合物(A)，仅具有2个以上的氮作为杂原子；所述脂肪族杂环...

本发明涉及一种無電解鍍錫后且水洗前的洗净用的鍍錫被膜用洗淨液及具有使用该洗净液的洗净步骤的鍍錫層的形成方法。本发明的洗净液含有酸、错合剂、稳定剂及氯化物离子的酸性水溶液。洗净液的氯化物离子浓度为2重量％以上、锡浓度为0.5重量％以下。本...