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麦斯克电子材料股份有限公司专利技术
麦斯克电子材料股份有限公司共有90项专利
一种显微镜载物台移动用的传动导向组件制造技术
一种显微镜载物台移动用的传动导向组件,包括导向轮、导向连杆以及转动手轮,所述导向轮包括套筒以及设在套筒一端的槽轮,槽轮与套筒同轴设置;导向连杆下端部与转动手轮之间通过传动带传动连接,所述导向连杆包括小径部和大径部,小径部的外壁设置有外螺...
一种高效精准定位的粘接工装制造技术
一种高效精准定位的粘接工装,涉及硅片加工技术领域,包括粘晶棒限位器以及设置在粘晶棒限位器上的红外传感器所述红外传感器连接有螺旋微调器,螺旋微调器与固定在粘晶棒限位器上的固定台固定连接,螺旋微调器用于精准调整红外传感器的位置,螺旋微调器包...
一种硅片切割接料槽制造技术
一种硅片切割接料槽,包括接料槽本体以及设置在接料槽本体两侧上端的上边缘延伸板,上边缘延伸板竖向滑动在接料槽本体上,上边缘延伸板的两端下方均设有与其下端面接触的凸轮,凸轮的圆心上开设有供螺栓栓体穿过的通孔,接料槽本体上设有与通孔对应的螺孔...
一种保持研磨液均匀的12寸晶圆研磨抛光系统技术方案
一种保持研磨液均匀的12寸晶圆研磨抛光系统,包括研磨液配置房、多个硅片研磨抛光机、主管路及子管路,任一子管路均包括两根并联支管,同一子管路中的两根并联支管通过进液三通阀与主管路相连,并通过排液三通阀与硅片研磨抛光机相连,任一并联支管上均...
一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚制造技术
一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚,包括埚体,埚体的顶端同轴设置有释放环,释放环的内侧壁与埚体的内侧壁平齐使两者形成能够容纳石英坩埚的容纳空间,释放环的侧壁上开设有贯穿其两个端面的伸缩缝,释放环的环形凸起与埚体的环形槽设计内配合,本...
一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法技术
一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法,其针对现有技术中因背损伤工艺产生的掉落颗粒的异常硅片,通过酸碱复合式预清洗、离子清洗、退火处理、颗粒清洗、表面抛光等步骤的协同配合和综合作用,可有效减轻异常硅片背面镶嵌的SiO<subgt;...
一种扩散炉用12英寸石英管更换装置及更换方法制造方法及图纸
一种扩散炉用12英寸石英管更换装置及更换方法,该装置包括能够升降的固定平台以及用于插入石英管内的装卸杆,装卸杆设置在固定平台上并能沿其长度方向移动;装卸杆包括盲管部和抽拉部,抽拉部头部滑设在盲管部管内且不可脱落,盲管部的内部设有活塞。本...
一种提高检测硅单晶间隙氧含量的校准设备精度的方法技术
一种提高检测硅单晶间隙氧含量的校准设备精度的方法,具体为:将硅单晶拉制成指定尺寸的单晶棒,单晶棒的头尾氧含量范围控制为8‑16ppma;将单晶棒按照头部、中部和尾部进行切割,其中头、中、尾均切割为厚样块和两片薄样块,两片薄样块分别为厚样...
一种用于硅片样块干燥的吹扫箱制造技术
一种用于硅片样块干燥的吹扫箱,涉及到半导体硅片生产领域,包括一个内部具有腔室的封闭箱体,箱体内设有向其内吹扫氮气的吹扫机构,箱体的侧壁开设放样口,腔室内自下而上设有排水板和分布漏水孔的漏水板,排水板的上表面通过排出管与箱体外连通,漏水板...
一种减少大尺寸重掺硼硅片氧化诱生层错的加工方法技术
一种减少大尺寸重掺硼硅片氧化诱生层错的加工方法,所述加工方法包括重掺硼单晶硅晶棒的拉晶工艺和硅片加工的背封工艺,所述拉晶工艺包括化料、稳定、引晶、放肩、转肩、等径以及收尾阶段,所述背封工艺包括硅片加热、SiO2薄膜生成以及硅片冷却阶段,...
一种12英寸硅片线切割机的轴承箱拆装工装及方法技术
一种12英寸硅片线切割机的轴承箱拆装工装及方法,拆卸工装包括空心千斤顶、第一辅助圆盘、长度可调丝杆以及滑轨小车,第一辅助圆盘上开设有孔径大于长度可调丝杆外径的穿孔,长度可调丝杆具有多个头尾端顺次拦截的丝杆短节,长度可调丝杆外还配合安装有...
降低大尺寸轻掺N型111晶向硅单晶电阻率梯度的拉晶方法技术
降低大尺寸轻掺N型111晶向硅单晶电阻率梯度的拉晶方法,包括化料、稳定、引晶、放肩、转肩、等径以及收尾工序,调整等径工序中的炉压、氩气流量、液口距和拉速,使炉压为100‑120torr、氩气流量为20‑30slpm、液口距为40‑45m...
一种SiC托盘烘干及颗粒去除一体机制造技术
一种SiC托盘烘干及颗粒去除一体机,包括烘干箱和设置在烘干箱上方的电气柜,烘干箱具有烘干腔和烘箱门,烘干腔内设置有托盘承载架和位于托盘承载架上方的压空吹扫机构,烘干腔的侧壁开设有排风口,排风口内设置有排风风机;压空吹扫机构包括压空主管和...
一种减少大尺寸硅单晶氧化层错的拉晶方法技术
一种减少大尺寸硅单晶氧化层错的拉晶方法,包括多支晶棒的拉制,第一支晶棒在拉晶等径阶段使其初始拉晶状态的晶棒头部有比后续更高拉晶速度,收尾过程中控制时长2.0‑2.5h,完成后在晶棒偏离液面后控制晶棒1h内提升到单晶炉副室,当晶棒到达单晶...
一种解决硅片退火舟印的方法技术
本发明公开一种解决硅片退火舟印的方法,步骤为:一、启动退火炉,通入保护性气体,升温至680~720℃;二、通过摇片器将清洗后的洁净硅片的参考面摇至正上方,使用自动推片装置将硅片从片盒中倒入石英舟,将石英舟放入退火炉中恒温区680~720...
一种大尺寸单晶炉用分体式托杆制造技术
一种大尺寸单晶炉用分体式托杆,包括用于承托坩埚的托盘和用于与单晶炉的驱动轴相连接的托筒,托盘的顶面开设有用于容纳坩埚底部埚托的容纳槽,托盘的底面设置有多个卡块,托筒的顶部端面开设与卡块相对应的卡槽,卡块能够伸入卡槽内,且卡块的侧壁与卡槽...
一种减小8吋重掺制造技术
一种减小8吋重掺
一种制造技术
一种
一种用于大直径硅单晶拉制的拼接坩埚制造技术
一种用于大直径硅单晶拉制的拼接坩埚,包括埚托和三个坩埚块,三个坩埚块两两相邻固定在埚托上能够围合形成圆形埚体,所述坩埚块为弧形结构,坩埚块的底端朝向其曲率中心方向延伸形成延伸部,延伸部远离坩埚块的端面为圆弧面,使埚体底部中心位置形成容纳...
一种APCVD背封炉用履带辅助调整装置制造方法及图纸
本实用新型公开一种APCVD背封炉用履带辅助调整装置,包括树脂轴套、转轮结构、固定底座;所述转轮结构设置在树脂轴套的内腔中,所述转轮结构包括转轮本体、轴承、转轮固定部分,所述轴承设置在转轮本体的内腔,所述轴承的底部设置有转轮固定部分;所...
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