一种提高检测硅单晶间隙氧含量的校准设备精度的方法，具体为：将硅单晶拉制成指定尺寸的单晶棒，单晶棒的头尾氧含量范围控制为8‑16ppma；将单晶棒按照头部、中部和尾部进行切割，其中头、中、尾均切割为厚样块和两片薄样块，两片薄样块分别为厚样...

一种用于硅片样块干燥的吹扫箱，涉及到半导体硅片生产领域，包括一个内部具有腔室的封闭箱体，箱体内设有向其内吹扫氮气的吹扫机构，箱体的侧壁开设放样口，腔室内自下而上设有排水板和分布漏水孔的漏水板，排水板的上表面通过排出管与箱体外连通，漏水板...

一种减少大尺寸重掺硼硅片氧化诱生层错的加工方法，所述加工方法包括重掺硼单晶硅晶棒的拉晶工艺和硅片加工的背封工艺，所述拉晶工艺包括化料、稳定、引晶、放肩、转肩、等径以及收尾阶段，所述背封工艺包括硅片加热、SiO2薄膜生成以及硅片冷却阶段，...

一种12英寸硅片线切割机的轴承箱拆装工装及方法，拆卸工装包括空心千斤顶、第一辅助圆盘、长度可调丝杆以及滑轨小车，第一辅助圆盘上开设有孔径大于长度可调丝杆外径的穿孔，长度可调丝杆具有多个头尾端顺次拦截的丝杆短节，长度可调丝杆外还配合安装有...

降低大尺寸轻掺N型111晶向硅单晶电阻率梯度的拉晶方法，包括化料、稳定、引晶、放肩、转肩、等径以及收尾工序，调整等径工序中的炉压、氩气流量、液口距和拉速，使炉压为100‑120torr、氩气流量为20‑30slpm、液口距为40‑45m...

一种SiC托盘烘干及颗粒去除一体机，包括烘干箱和设置在烘干箱上方的电气柜，烘干箱具有烘干腔和烘箱门，烘干腔内设置有托盘承载架和位于托盘承载架上方的压空吹扫机构，烘干腔的侧壁开设有排风口，排风口内设置有排风风机；压空吹扫机构包括压空主管和...

一种减少大尺寸硅单晶氧化层错的拉晶方法，包括多支晶棒的拉制，第一支晶棒在拉晶等径阶段使其初始拉晶状态的晶棒头部有比后续更高拉晶速度，收尾过程中控制时长2.0‑2.5h，完成后在晶棒偏离液面后控制晶棒1h内提升到单晶炉副室，当晶棒到达单晶...

本发明公开一种解决硅片退火舟印的方法，步骤为：一、启动退火炉，通入保护性气体，升温至680~720℃；二、通过摇片器将清洗后的洁净硅片的参考面摇至正上方，使用自动推片装置将硅片从片盒中倒入石英舟，将石英舟放入退火炉中恒温区680~720...

一种大尺寸单晶炉用分体式托杆，包括用于承托坩埚的托盘和用于与单晶炉的驱动轴相连接的托筒，托盘的顶面开设有用于容纳坩埚底部埚托的容纳槽，托盘的底面设置有多个卡块，托筒的顶部端面开设与卡块相对应的卡槽，卡块能够伸入卡槽内，且卡块的侧壁与卡槽...

一种减小8吋重掺

一种

一种用于大直径硅单晶拉制的拼接坩埚，包括埚托和三个坩埚块，三个坩埚块两两相邻固定在埚托上能够围合形成圆形埚体，所述坩埚块为弧形结构，坩埚块的底端朝向其曲率中心方向延伸形成延伸部，延伸部远离坩埚块的端面为圆弧面，使埚体底部中心位置形成容纳...

本实用新型公开一种APCVD背封炉用履带辅助调整装置，包括树脂轴套、转轮结构、固定底座；所述转轮结构设置在树脂轴套的内腔中，所述转轮结构包括转轮本体、轴承、转轮固定部分，所述轴承设置在转轮本体的内腔，所述轴承的底部设置有转轮固定部分；所...

本实用新型公开了一种用于半导体生产中水回收处理器，属于半导体生产处理技术领域，包括底座，所述底座下端四角处均固定安装有支撑腿，所述底座上端顶部固定安装有处理罐，所述处理罐右侧设置有废水箱，所述处理罐内部设置有过滤罐，所述过滤罐内部设置有...

一种用于洁净间的硅片传递设备，包括运输车，运输车上开设有至少一个用于供硅片进出运输车的进出口，并且进出口的外侧设置有用于打开或者关闭进出口的开闭机构，运输车的两个相对设置的侧壁上各开设有一个通孔，其中一个通孔中固定设置有过滤器，另外一个...

一种减少8吋重掺硼硅单晶原生位错密度的拉晶方法，单晶拉晶过程处于超导水平磁场条件下进行，通过控制引晶和放肩过程中的降温量，使放肩过程中的初始热场SP值为1250

一种适用于8吋半导体晶棒的粘接方法，S1、采用晶体定向设备依据晶向偏离度确定8吋晶棒粘接需要偏转的角度α和β，然后8吋晶棒绕其轴线旋转使其Notch旋转β角，并将其水平放置在粘棒装置上；S2、设置有树脂板的晶托放置在粘棒装置上，并旋转晶...

一种砂线切割12吋半导体硅片的清洗装置和方法，包括底端和顶端均开口的清洗槽，清洗槽上方设置有能够带动硅片组沿竖直方向往返运动的驱动机构，清洗槽内部设置有清洗机构，所述清洗槽上方设置有能够向硅片组喷水的喷水机构，喷水机构包括多个平均设置在...

本实用新型公开了一种用于半导体生产的大理石平台，属于大理石平台技术领域，包括：四个支柱，位于两侧的两个所述支柱上端均固定连接有驱动架，两个所述驱动架相对一侧外壁上分别固定开设有驱动槽和限位槽，所述驱动槽前后内壁之间转动连接有驱动杆，所述...

本发明公开一种适用于12吋金刚线切割的切割辊，切割辊包括两个同一水平面设置的右切割辊、左切割辊，位于右切割辊、左切割辊下方的中心位置设置有切割主辊；切割辊本体上设置有若干个刻槽，刻槽上部为V型槽，刻槽下部为圆形槽，圆形槽与V型槽相连通，...