一种用于拉制大直径晶棒的单晶炉排气系统，包括集气外环，集气外环的顶端和底端朝向其中心垂直弯折形成折弯部，位于顶端的折弯部边缘设置有集气顶环，位于底端的折弯部边缘设置有集气底环，集气顶环和集气底环之间设置有至少两个垫块，垫块、集气外环、折...

一种辅助清洁重掺单晶炉的废气收集装置，涉及废气收集技术领域，包括收集筒以及与收集筒密封连通的输送管，收集筒与单晶炉主体的主炉室对接口间隙配合，输送管用于将收集筒与废气处理系统连通，令废气处理系统的抽吸力传递到收集筒处，从而提高收集筒收集...

一种重掺单晶炉副炉废气收集装置，涉及废气收集技术领域，包括收集腔以及与收集腔密封连通的传输管，收集腔用于与单晶炉主体的副炉室平开门进出口对接，收集腔固定在用于将收集腔高度与副炉室平开门进出口对齐的支撑架上，支撑架固定在底架上，底架底面四...

一种接口保护罩，包括防护罩体，防护罩体为弧形结构，防护罩体一端部设置有固定箍环和活动箍环，活动箍环与固定箍环的弧口相对分布；活动箍环一端铰接在防护罩体上，另一端用于与固定箍环固定连接合围形成固定腔。本技术能够阻挡由上至下施加于管道与电线...

一种硅片搬送手臂，包括板状的手臂本体，手臂本体的背面开设有沿长度方向延伸的凹槽，凹槽的一端的底部开设有若干个沿手臂本体的厚度方向延伸的吸口，且所有吸口贯通手臂本体的正面，凹槽的另一端的连通有若干第一连接槽，所述手臂本体上设置有与手臂本体...

一种8寸硅片背面损伤程度调整用喷射器，包括喷射管体和喷射头，喷射头的前端开设有喷孔，在喷射器的前部设有用于调整喷孔开度的调节机构，调节机构包括沿喷射器横向分布的封板和沿喷射器纵向分布的两根螺柱，封板上开设有供其中一根螺柱转动配合的轴孔、...

一种硅片去边机缓冲台，包括吸片台、支撑柱和底座，吸片台通过支撑柱固定连接在底座上方，所述支撑柱和底座之间设有用于调整吸片台水平的柔性联结器，柔性联结器包括与支撑柱固定连接的第一连接板和与底座固定连接的第二连接板，第一连接板和第二连接板通...

一种切片清洗机自动供液装置，包括供液车、液位传感器以及设在供液车上的供液罐，供液罐与供液车之间设有定量电子称重器，供液罐上连通有具有计量泵的供液管道，液位传感器的数据输出端通过信号线与计量泵控制端连接，所述液位传感器设置在标有位置刻度的...

一种显微镜载物台移动用的传动导向组件，包括导向轮、导向连杆以及转动手轮，所述导向轮包括套筒以及设在套筒一端的槽轮，槽轮与套筒同轴设置；导向连杆下端部与转动手轮之间通过传动带传动连接，所述导向连杆包括小径部和大径部，小径部的外壁设置有外螺...

一种高效精准定位的粘接工装，涉及硅片加工技术领域，包括粘晶棒限位器以及设置在粘晶棒限位器上的红外传感器所述红外传感器连接有螺旋微调器，螺旋微调器与固定在粘晶棒限位器上的固定台固定连接，螺旋微调器用于精准调整红外传感器的位置，螺旋微调器包...

一种硅片切割接料槽，包括接料槽本体以及设置在接料槽本体两侧上端的上边缘延伸板，上边缘延伸板竖向滑动在接料槽本体上，上边缘延伸板的两端下方均设有与其下端面接触的凸轮，凸轮的圆心上开设有供螺栓栓体穿过的通孔，接料槽本体上设有与通孔对应的螺孔...

一种保持研磨液均匀的12寸晶圆研磨抛光系统，包括研磨液配置房、多个硅片研磨抛光机、主管路及子管路，任一子管路均包括两根并联支管，同一子管路中的两根并联支管通过进液三通阀与主管路相连，并通过排液三通阀与硅片研磨抛光机相连，任一并联支管上均...

一种用于大尺寸重掺单晶硅拉制的石墨坩埚，包括埚体，埚体的顶端同轴设置有释放环，释放环的内侧壁与埚体的内侧壁平齐使两者形成能够容纳石英坩埚的容纳空间，释放环的侧壁上开设有贯穿其两个端面的伸缩缝，释放环的环形凸起与埚体的环形槽设计内配合，本...

一种背面软损伤后颗粒异常硅片的修复方法，其针对现有技术中因背损伤工艺产生的掉落颗粒的异常硅片，通过酸碱复合式预清洗、离子清洗、退火处理、颗粒清洗、表面抛光等步骤的协同配合和综合作用，可有效减轻异常硅片背面镶嵌的SiO<subgt;...

一种扩散炉用12英寸石英管更换装置及更换方法，该装置包括能够升降的固定平台以及用于插入石英管内的装卸杆，装卸杆设置在固定平台上并能沿其长度方向移动；装卸杆包括盲管部和抽拉部，抽拉部头部滑设在盲管部管内且不可脱落，盲管部的内部设有活塞。本...

一种提高检测硅单晶间隙氧含量的校准设备精度的方法，具体为：将硅单晶拉制成指定尺寸的单晶棒，单晶棒的头尾氧含量范围控制为8‑16ppma；将单晶棒按照头部、中部和尾部进行切割，其中头、中、尾均切割为厚样块和两片薄样块，两片薄样块分别为厚样...

一种用于硅片样块干燥的吹扫箱，涉及到半导体硅片生产领域，包括一个内部具有腔室的封闭箱体，箱体内设有向其内吹扫氮气的吹扫机构，箱体的侧壁开设放样口，腔室内自下而上设有排水板和分布漏水孔的漏水板，排水板的上表面通过排出管与箱体外连通，漏水板...

一种减少大尺寸重掺硼硅片氧化诱生层错的加工方法，所述加工方法包括重掺硼单晶硅晶棒的拉晶工艺和硅片加工的背封工艺，所述拉晶工艺包括化料、稳定、引晶、放肩、转肩、等径以及收尾阶段，所述背封工艺包括硅片加热、SiO2薄膜生成以及硅片冷却阶段，...

一种12英寸硅片线切割机的轴承箱拆装工装及方法，拆卸工装包括空心千斤顶、第一辅助圆盘、长度可调丝杆以及滑轨小车，第一辅助圆盘上开设有孔径大于长度可调丝杆外径的穿孔，长度可调丝杆具有多个头尾端顺次拦截的丝杆短节，长度可调丝杆外还配合安装有...

降低大尺寸轻掺N型111晶向硅单晶电阻率梯度的拉晶方法，包括化料、稳定、引晶、放肩、转肩、等径以及收尾工序，调整等径工序中的炉压、氩气流量、液口距和拉速，使炉压为100‑120torr、氩气流量为20‑30slpm、液口距为40‑45m...