专利查询
首页
专利评估
登录
注册
麦克德米德乐思公司专利技术
麦克德米德乐思公司共有31项专利
用于自底向上电镀铜的包含促进剂的电解质制造技术
本发明涉及一种用于将铜沉积在导电表面上的电解质组合物。该组合物含有两种芳族胺的组合、铜(II)离子的络合剂和促进剂诸如二硫代二甘醇酸、巯基乙酸、硫脲、硫氰酸铵、硫氰酸或前述物质的组合。本发明还涉及一种用于生产铜互连件的方法,该方法包括用...
用于制造半导体器件的镍合金或钴合金金属化的方法技术
一种用镍‑硼合金或钴‑硼合金对介电基底进行金属化以沉积表现出良好电导率的合金薄层的方法。该方法包括活化步骤,该活化步骤包括用诸如钯的贵金属进行两个活化阶段。在此后,通过无电沉积用镍‑硼合金或钴‑硼合金对该介电基底进行金属化。
用于制造半导体器件的镍合金或钴合金金属化的方法技术
一种对半导体进行金属化的方法,用于制造三维半导体器件,诸如集成电路或存储存储器。金属化过程包括用贵金属,诸如钯活化矿物氧化物基底的表面的步骤,随后通过无电沉积沉积含有硼以及磷和钨中至少一者的镍合金或钴合金的步骤。
用于电沉积纳米孪晶铜的组合物和方法技术
一种铜电解质包含铜盐、卤离子源以及直链或支链的多羟基化合物。该铜电解质用于在基板上沉积具有高密度纳米孪晶柱状铜晶粒的铜。该直链或支链的多羟基化合物可包括2,3‑环氧‑1‑丙醇与胺化合物之间的反应产物。还可将包含聚合物季氮物质的整平剂和/...
电解镀覆的复杂波形制造技术
一种在印刷电路板的制造中铜电镀的方法。该方法用于用铜填充通孔和盲微过孔。该方法包括以下步骤:(1)制备电子基板以在其上接受铜电镀;(2)在该电子基板中形成一个或多个通孔和/或一个或多个盲微过孔中的至少一者;以及(3)通过使该电子基板与酸...
填充印刷电路板和其他基板中的通孔的单步电解方法技术
本发明公开了一种在印刷电路板的制造中铜电镀的方法。该方法用于用铜填充通孔和微过孔。该方法包括以下步骤:(1)制备电子基板以在其上接受铜电镀;(2)在该电子基板中形成一个或多个通孔和/或一个或多个微过孔中的至少一者;以及(3)通过使该电子...
在微电子件中的铜的电沉积制造技术
本发明涉及一种用于在半导体集成电路装置中超填亚微米特征的电解镀敷组合物,及使用其的方法。该组合物包含:(a)将铜电解沉积在基板上并呈电互连特征的铜离子来源;及(b)包含至少三个胺位置的抑制剂,该多醚包含具有环氧丙烷(PO)重复单元与环氧...
用于钴电沉积的电解液和方法技术
本发明涉及一种用于制造钴互连件的方法以及一种能够实现该方法的电解液。pH小于4.0的电解液包含钴离子、氯离子和有机添加剂,该有机添加剂包含α‑羟基羧酸和选自聚乙烯亚胺或苯并三唑的胺。
用于扩散阻挡层形成的方法和湿式化学组成技术
本公开提供了一种通过湿式工艺在电介质或半导体衬底上形成扩散阻挡层的方法。该方法包括以下步骤:用水性预处理溶液处理该电介质或半导体衬底,该水性预处理溶液包含一种或多种吸附促进成分并且能够制备用于在其上沉积该扩散阻挡层的衬底;以及使经处理的...
电解质和大马士革工艺中铜阻挡层的沉积制造技术
本发明涉及电解质及其在制造铜互连的工艺中的用途。pH大于6.0的电解质包含铜离子、锰或锌离子,以及与铜络合的乙二胺。通过对沉积的铜合金进行退火形成薄阻挡层,这会导致锰或锌迁移到绝缘介电材料与铜之间的界面处。锌迁移到绝缘介电材料与铜之间的...
制造3D-NAND闪存的方法技术
本发明涉及制造3D
使用镍或钴合金制造3DNAND的方法技术
本发明涉及一种使半导体衬底金属化的工艺,特别是用于制造3DNAND存储器。该金属化工艺包括用贵金属如钯来活化介电材料表面的步骤,然后是使用包含金属离子的溶液通过无电工艺沉积镍或钴合金的步骤。艺沉积镍或钴合金的步骤。艺沉积镍或钴合金的步骤。
用于电沉积纳米孪晶铜的组合物和方法技术
本发明公开了一种铜电镀溶液,该铜电镀溶液包含铜盐、卤离子源以及线性或支化的多羟基化合物。该铜电镀溶液用于在基板上沉积具有高密度纳米孪晶柱状铜晶粒的铜。该线性或支化的多羟基化合物可包括2,3
银/锡电镀浴及其使用方法技术
本发明提供了一种用于将银/锡合金沉积在基板上的电镀浴。该电镀浴包含(a)锡离子源;(b)银离子源;(c)酸;(d)第一络合剂;(e)第二络合剂,其中该第二络合剂选自:烯丙基硫脲、芳基硫脲和烷基硫脲、以及它们的组合;和(f)任选地润湿剂以...
镀金浴和镀金最终饰面制造技术
自催化金浴能够将金从溶液沉积到基材上,其中该基材在其上具有一个或多个金属层。该自催化金浴包含(a)螯合剂;(b)金盐;和(c)还原剂,其中该还原剂包含有机分子,该有机分子在该有机分子上具有多于一个碳原子。还包括将金电镀到该基材上的该一个...
用于平滑拓扑的钴化学制造技术
本发明公开了一种电镀钴沉积物和一种在表面上电沉积钴以在衬底表面上产生平整沉积物的方法。钴电解质含有(1)钴离子源;(2)硼酸;(3)pH调节剂;以及(4)有机添加剂,其含有抑制剂。该电镀钴沉积物呈现出平整的表面,使得衬底基本上整个表面上...
填充印刷电路板和其他基板中的通孔的单步电解方法技术
本发明公开了一种在印刷电路板的制造中铜电镀的方法。该方法用于用铜填充通孔和微过孔。该方法包括以下步骤:(1)制备电子基板以在其上接受铜电镀;(2)在该电子基板中形成一个或多个通孔和/或一个或多个微过孔中的至少一者;以及(3)通过使该电子...
集成电路的晶圆级封装中的铜沉积制造技术
本发明公开一种电沉积组合物,其包含:(a)铜离子来源;(b)酸;(c)抑制剂;及(d)调平剂,其中该调平剂包含将联吡啶化合物与二官能基烷化剂反应而制备的季铵化联吡啶化合物、或季铵化聚(表氯醇)。该电沉积组合物可用于在半导体基板上以晶圆级...
用于制造镍互连件的组合物和方法技术
一种用于通路填充或势垒镍互连件制造的镍电沉积组合物,该镍电沉积组合物包含:(a)镍离子源;(b)一种或多种极化添加剂;和(c)一种或多种去极化添加剂。该镍电沉积组合物可包含各种添加剂,包括合适的酸、表面活性剂、缓冲剂和/或应力调节剂,以...
选择性电镀三维表面以产生装饰性和功能性效果制造技术
一种形成选择性电镀的三维热塑性部件的方法。该方法包括以下步骤:a)提供在其第一表面上具有硬涂覆层的未固化聚碳酸酯膜的膜;b)通过将催化剂以期望的图案沉积在聚碳酸酯膜的第一表面上来选择性催化该聚碳酸酯膜;c)热成形聚碳酸酯膜以形成三维聚碳...
1
2
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
119937
珠海格力电器股份有限公司
91921
中国石油化工股份有限公司
77911
浙江大学
73650
中兴通讯股份有限公司
64532
三星电子株式会社
64300
国家电网公司
59735
清华大学
51341
腾讯科技深圳有限公司
49054
华南理工大学
47689
最新更新发明人
相速比特苏州科技有限公司
1
浙江卡森建设有限公司
54
蚌埠丰原医药科技发展有限公司
131
浙江省中医院
612
株式会社德山
535
中建八局第一建设有限公司
6112
日本电子株式会社
71
湖州高源金科技股份有限公司
21
浙江正泰电器股份有限公司
3514
江苏雷克锂电科技有限公司
1