创新方法(100)用于从块状件去除碳化硅层；块状件包括碳化硅层下面的石墨衬底；该方法依次包括以下步骤：a)将块状件浸入(110)含硝酸的第一溶液中，b)将块状件浸入(120)含氢氟酸和氧化剂的第二溶液中，并且通常c)将块状件浸入(130...

公开了带不对称凹部的衬托器、用于外延沉积的反应器和生产法。本发明涉及一种用于外延沉积的反应器的衬托器，其包括具有水平盘形的主体；主体具有第一上表面、第二下表面和主体的竖直对称轴线；第一面有多个盘形凹部，其中的每个具有质心并具有穿过该质心...

本实用新型提供一种背面具有凹陷/凸起的基座和用于外延沉积的反应器，其中，用于外延沉积反应器的基座(200)，包括至少一个非中心凹陷(233A)和/或至少一个非中心凸起，以确保基座(200)的角度定位和旋转运动从一个旋转轴(300)传导到...

本实用新型提供一种用于外延沉积的具有液体分配器的反应室和反应器，其中，用于外延沉积反应器的反应室(1)，包括：外表面(2)，外表面2包括至少一个可被液体冷却的第一区域(Z1)和至少一个可被气体冷却的第二区域(Z2)，所述第一区域(Z1)...

本发明涉及用于外延生长反应器的衬托器；其大体上由主体(601)组成，该主体具有面(602)，该面包括至少一个区域(603)，该区域适用于接纳待经受外延生长的衬底；该区域(603)具有用于搁置所述衬底的搁置表面(604)或与该搁置表面相关...

本发明涉及一种用于外延生长反应器的衬托器；它大体上包含主体(601)，所述主体(601)具有面(602)，该面(602)包括适合于接纳将经历外延生长的基底的至少一个区(603)；该区(603)具有用于放置所述基底的支托表面(604)或与...

本发明涉及用于外延生长的反应器的衬托器，由具有第一面和第二面的由石墨制成的圆盘形主体(20、30)组成；第一面包括至少一个区，特别地包括适于接收将经受外延生长的基底的圆形凹进部(21)或凸起(31)；第一面暴露对应于此区(21、31)的...

外延反应器中的用于操纵衬底的工具(1)包括臂(2)、抓取盘(3)和球接头(4)；所述抓取盘(3)具有在其下面上的座(5)，该座用于接纳待操纵的衬底(6)；所述抓取盘(3)通过所述球接头(4)安装在臂(2)上，球接头相对于所述抓取盘(3)...

一种在外延生长炉中操作衬底的工具(1)，包括：吊臂(2)和抓握盘(3)；所述抓握盘(3)包括一个置于其下表面的用以容纳待操作的衬底(6)的底座(5)；抓握盘(3)安装在吊臂(2)上；其特征在于：抓握盘(3)还包括一由弹性材料制成、可与待...

一种用于外延生长的反应器的反应室，包括：‑具有凹部的壁(1)，‑衬托器(7)，其包括主体和凸起，其中所述主体相对于所述壁(1)以旋转方式放置在所述凹部中，‑圆盘状支撑元件(8)，其具有适合于稳定地放置在所述凸起上的形状，具有使得从所述凸...

本发明主要涉及用于外延生长的反应器的衬托器，所述衬托器包括：圆盘形主体(90)，其具有第一面和第二面，其中第一面包括适于接收将经受外延生长的基底(2000)的至少一个区(99)；和至少一个支撑元件(91+97)，其用于基底(2000)、...

本专利涉及位于外延反应器的石英反应室(1)内部的部件(3)、用于外延反应器的反应室和外延反应器，该部件包括具有正面、背面和两个侧面的水平石英板(30)以及分别在两个侧面处的两个垂直石英壁(31、32)；所述板的前部和/或后部弯曲。用于外...

本申请涉及一种位于外延反应器的石英反应室(1)内部的部件(3)、用于外延反应器的反应室和外延反应器，该部件包括具有正面、背面和两个侧面的水平石英板(30)以及分别在所述两个侧面处的两个垂直石英壁(31、32)；其还包括用于调整所述板(3...

本发明涉及基本上由石英构件组成的外延反应器的反应室；石英构件包括具有由壁(1A、1B、1C、1D)界定的内腔(2)的石英构件部分(1)；腔(2)包括外延反应器的反应和沉积区(3)；区(3)适合于容纳在其中待加热的基座(4)；反应室还包括...

本发明涉及基本上由中空的石英部件构成的外延反应器的反应室；该中空的石英部件包括具有圆柱体或棱柱体或圆锥体或棱锥体形状的石英部件部分（１）和设置在所述石英部件部分（１）中的轴向通孔（２）；该石英部件部分（１）适合于根据三个方向中的两个界定...

本发明涉及一种反应器（１），其用于材料的晶体生长、特别是碳化硅或三族元素氮化物的晶体生长；该反应器包括：室（２），其被分成第一区域（２１）和第二区域（２２），所述分隔是通过具有至少一个开口（３１）的分隔壁（３）来实现的，所述至少一个开口...

用于在衬底上进行化学汽相淀积（ＣＶＤ）的外延设备或反应器（２０）中处理所述衬底的装置包括配有抓取和输送衬底装置（６０）的内机械手（３０），其衬底为半导体片子（２４）的形式，为了从装有待处理的半导体片子（２４）的片盒（３８，４０）传送片子...

一种用于传送半导体材料晶片（１００）的工具（７）被设计成用在外延生长台中；工具（７）包括具有上面（２１）和下面（２２）的盘（２０），下面（２２）被加工成仅沿着它的边缘（１０３）与晶片（１００）接触；盘（２０）内部设置有经由至少一个抽气孔...

本发明涉及一种用于外延反应器的基座（３），其包括主体（３１），该主体设置有至少一个用于容纳基片的凹陷部（３１１），外延生长将要在该基片上进行；基座（３）包括突出部分（３２），该突出部分能够由工具（９）夹住，从而被引入到外延反应器的反应室...

本发明涉及一种用于在处理设备（１）内操纵晶片（Ｗ）的系统，包括：配备有吸入口的吸力系统（１０）；具有第一端部和第二端部的吸力管（７），所述第一端部连接至所述吸力系统（１０）的所述吸入口；适于操纵晶片（Ｗ）和通过吸力保持晶片的工具（６），...