一种用于双面双向结型晶体管的双面冷却封装可包含具有个别双面双向功率开关的双面双向结型晶体管芯片(统称为，DSTA)。所述DSTA可夹置于散热片之间。每一散热片可包含直接镀敷铜(DPC)结构、直接铜接合(DCB)结构或直接铝接合(DAB)...

双向沟槽电源开关。至少一个实例是一种半导体装置，其包括：上基极区，其与半导体材料衬底的第一侧相关联；上CE沟槽，其界定于所述第一侧上，所述上CE沟槽界定所述第一侧处的近端开口及所述衬底内的远端；上集电极‑发射极区，其经安置于所述上CE沟...

本发明涉及操作双向双基极双极结型晶体管(B

本发明涉及用以减少端点处的电流拥塞的布局。至少一个实例是一种半导体装置，其包括：发射极区，其界定呈具有平行边的长圆形形状的内边界，且所述长圆形具有各自具有半径的半球形端；基极区，其具有第一端、与所述第一端相对的第二端，及基极长度，所述基...

本公开涉及使用双向双基极双极结型晶体管的开关组合件及其操作方法。一个实例是一种方法，其包括：以第一速率将电荷载流子注入到所述晶体管的上基极中，以所述第一速率的所述注入导致从上集电极

使用双向双极晶体管(BTRAN)进行开关的用于功率分组开关功率转换器的方法、系统、电路和器件。四个端子的三层BTRAN在任一方向上都以小于二极管压降的正向电压提供基本相同的操作。BTRAN是完全对称融合的双基极双向双极相反面对的器件，所...

电力转换器以及由此电力转换器驱动的微电网，其中转换器由比例控制器控制，所述比例控制器直接工作在AC波形下，优选未转换为DC型信号；优选使用电压补偿以移除比例控制器的固有误差；以及优选在电压补偿中使用个别相RMS电压，以允许在任何负载状态...

功率分组交换电路(以及方法和系统)，其中至少一个端口使用双向开关的串联连接的组合以通过可选择极性将连结电感器(或变压器)连接到外部线路。视情况，双向开关的串联连接的组合用于一些端口中的相脚，而单个双向开关用于其它端口中的相脚。这在转换器...

本申请公开了为B‑TRAN类装置提供被动截止保护的新方法。即使控制电路不起作用，AC耦合也使用外部端子上的瞬变电压以防止将发射极结正向偏压。优选地，实施二极管模式和预截止操作的相同开关用作被动截止电路操作的一部分。

用于操作双基双向功率双极晶体管的方法及系统。使用了两个定时阶段来转换到截止：一个阶段是其中每个基极被短接到其最近的发射极/集电极区域，而第二个阶段是其中负驱动被施加到发射极侧基极以减少在块体衬底中的少数载流子数。

本申请特别教示用于操作B‑TRAN(双基极双向双极结型晶体管)的方法和电路。示范性基极驱动电路将高阻抗驱动提供到那一瞬间作为集电极操作的侧面装置上的基极接触区域。(B‑TRAN受所施加的电压控制，而不是受所施加的电流控制。)电流信号操作...

公开了双基极双边双极功率晶体管，其中用绝缘场板将发射极/集电极扩散物和与其最靠近的基极接触扩散物隔开。所述器件在关断性能和击穿电压方面提供了令人惊奇的改进。

本申请提供了(除更广泛适用的发明之外)特别适用于利用双极性传导的双侧功率半导体器件的改善。在这类器件中，本发明人已认识到，还可以令人惊异的优点使用四个(或更多个)半导体掺杂部件中的两个或三个，以在两个表面上的有源阵列周围形成场限定环，其...

用于双侧面半导体器件制造的方法和系统。可以使用耐高温操作晶片和耐中温操作晶片制造在每个表面上具有多个引线的器件。掺杂剂可以被引入在两个侧面上，之后不久，单次长时间高温扩散步骤将所有的掺杂剂在两个侧面上扩散到大致相等的深度。所有的高温处理...