理想晶延半导体设备上海股份有限公司专利技术

理想晶延半导体设备上海股份有限公司共有33项专利

  • 本发明提供了一种大管径石英炉管吊装装置,包括动力组件以及在所述动力组件上方悬设的支撑组件,所述支撑组件上活动设置有多组滚筒组件,所述滚筒组件抵接吊装物,所述支撑组件上方悬设有吊装组件,所述吊装组件上活动连接有牵引组件,所述牵引组件的一端...
  • 本发明公开了一种钙钛矿电池的镀膜设备、连续镀膜方法及钙钛矿电池,镀膜设备包括依次连续设置的进料腔,预热腔,蒸镀腔,过渡腔,沉积腔,出料腔和运输装置,本发明的镀膜设备将两种或多种不同的镀膜设备做成一体,设备成本降低,而且省去了转移工序,进...
  • 一种氧化铟锡透明导电薄膜的制备方法,采用SALD技术在预清洗的玻璃衬底表面通过振荡运动循环沉积氧化铟和氧化锡,得到高质量的氧化铟锡薄膜。所述空间型原子层沉积技术采用的铟前驱体为三甲基铟或三乙基铟,锡前驱体为四丁基锡或四(二甲氨基)锡,氧...
  • 本发明提供了一种太阳能电池背膜的制备方法包括以下步骤:S1、将硅片放置至工艺腔内;S2、在真空状态下,向工艺腔内通入三甲基铝、N<subgt;2</subgt;O和NH<subgt;3</subgt;,并控制工艺...
  • 本技术公开了一种用于侧壁钝化设备的片盒,包括:在正面具有开口的片盒主体,片盒主体包括:顶板、底板、左侧板、右侧板、背板;设于顶板的下表面的压紧部件;设于左侧板和右侧板的上部且位于片盒主体的外部的自动锁扣部件;设于底板的上表面的活动板,用...
  • 本发明提供了一种管式镀膜设备,其包括:管式沉积腔体,设置于工作区,对装载于载具中的若干基板表面沉积形成介质膜;管式清洗腔体,设置于工作区且位于管式沉积腔体的上方,对管式清洗腔体内部进行气相清洗处理;管式饱和腔体,设置于工作区且位于管式清...
  • 本发明提供了管式镀膜设备,其包括:管式沉积腔体,设置于工作区,对装载于载具的基板进行沉积处理以在所述基板的一个待镀表面形成介质膜;管式清洗腔体,设置于工作区且位于管式沉积腔体的上方,对所述管式清洗腔体内部进行气相清洗处理;传输装置,设置...
  • 本发明提供了一种用于硼扩设备的推拉舟系统及硼扩设备,该推拉舟系统包括固定传动结构
  • 本发明提供了一种适用于石英舟的缓存台架
  • 本实用新型公开了一种真空镀膜设备,包括:用于进行镀膜的反应腔室;喷淋,设于腔室的上部;旋转装置,设于腔室的底部;托盘,设于旋转装置的上方且与喷淋相对,用于放置多个工装;加热器,设于托盘的底部和侧面且在内部包括加热元器件;气路系统,与喷淋...
  • 本实用新型提供了一种测温装置及工艺腔体,测温装置包括温度探针、夹持结构、伸缩结构和驱动结构;夹持结构与伸缩结构顶部固定连接,伸缩结构内部设有贯通通道;温度探针与夹持结构固定连接,并自贯通通道贯穿伸缩结构;驱动结构与伸缩结构固定连接,以驱...
  • 本实用新型提供了一种传输装置,包括驱动部、主动臂和传动臂,主动臂和传动臂沿第一方向并列设置;主动臂和驱动部电性连接,使驱动部能够驱动主动臂沿与第一方向垂直的运动路径运动;主动臂和传动臂滑动连接,使主动臂能够相对传动臂沿运动路径进行相对运...
  • 本实用新型提供了一种陶瓷套环及气相沉积设备;包括第一环以及套设在所述第一环外的第二环;所述第一环在第一端凸出外环表面设有第一凸起,所述第二环在第一端凸出内环表面设有与所述第一凸起相抵接的第二凸起;所述第一环的第一端与所述第一舟片相分离形...
  • 本实用新型提供了一种对中调节结构及晶圆升降装置,包括套设在第一传动杆外的第一连接件,以及与第二传动杆相连的第二连接件和定位件,所述第一连接件与所述第二连接件相抵接,且所述第一连接件与所述第二连接件在竖直平面内作相互运动时,使得所述第一传...
  • 本发明提供了一种太阳电池隧穿氧化层及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1:将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内;S2:在所述炉管内通入氧气和氩气的混合气体或氧气,同时控制所述炉管内压力恒定;S3:对所述硅片进行辉光放电;S4:...
  • 本发明提供了一种太阳电池叠层原位掺杂层及其制备方法,所述制备方法包括以下步骤:S1:将插入石墨舟的硅片置于恒温且真空的炉管内;S2:在所述炉管内通入硅烷、磷烷和氩气,同时控制所述炉管内压力恒定;S3:对所述硅片进行辉光放电,获得叠层原位...
  • 本实用新型提供了一种扩散设备包括:炉体,具有炉门,所述炉体上设有进气口和出气口,所述出气口远离所述炉门,石英舟,设于所述炉体内,且所述石英舟位于所述炉体的下端,填充管,为封闭的管路,所述填充管设于所述炉体内,且位于所述炉体的上端。本实用...
  • 本实用新型提供了一种晶圆吸附装置,包括:承载台,用于承载晶圆;吸附槽,所述吸附槽设置于所述承载台表面,用于吸附所述晶圆;定位组件,所述定位组件设置于所述承载台,用于将所述晶圆移动到待吸附位置;所述承载台包括第一吸附区和第二吸附区,所述第...
  • 本发明公开了一种晶圆中心定位方法、装置、设备及介质,该方法包括:获取晶圆图像;获取在直角坐标系下所述晶圆图像中至少三个兴趣点的位置信息;利用所述至少三个兴趣点拟合得到第一参考圆,以及利用所述至少三个兴趣点的位置信息计算所述第一参考圆的第...
  • 本实用新型提供了一种管式炉系统,包括:管式炉体;加热炉丝;保温体;冷却介质管道,所述冷却介质管包括输入端和输出端,所述输入端和所述输出端穿过所述保温体插入所述加热炉丝,以向所述加热炉丝内部通入冷却介质;所述输入端设置于所述加热炉丝轴向上...