一种非易失性存储器及其相关控制方法。在非易失性存储器致能后，判断非易失性存储器是否进入一读取模式、一编程模式或者一抹除模式。在确认非易失性存储器进入读取模式、编程模式或者抹除模式时，搜寻非易失性存储器内多个参考存储器胞中的一最糟临限电压...

一种用于物理不可复制技术的一次编程存储单元，包括：一第一选择晶体管、一第一反熔丝晶体管以及一第二反熔丝晶体管。该第一选择晶体管的一第一漏/源端连接至一位线，该第一选择晶体管的一栅极端连接至一字线。该第一反熔丝晶体管的一栅极端连接至该第一...

本发明公开一种电荷捕捉式非易失性存储器的存储晶体管，该存储晶体管包括：一半导体基板、一阱区、一栅极结构、一间隙壁、一第一掺杂区与一第二掺杂区。阱区形成于半导体基板的表面。第一掺杂区与一第二掺杂区形成于阱区内。栅极结构包括：一第一隧穿层、...

本发明公开一种具叉型片晶体管的反熔丝型一次编程存储器，具有一第一存储单元。第一存储单元至少包括一反熔丝晶体管。反熔丝晶体管为叉型片晶体管，且反熔丝晶体管包括：一第一纳米线、一第一栅极结构、一第一漏/源结构与一第二漏/源结构。第一纳米线的...

本发明公开一种反熔丝型非易失性存储单元，包括一选择晶体管、一跟随晶体管与一电容器。选择晶体管的第一漏/源端连接至位线。选择晶体管的栅极端连接至字线。跟随晶体管的第一漏/源端连接至选择晶体管的第二漏/源端。跟随晶体管的栅极端连接至跟随线。...

一种非易失性存储器的锁存型感测放大器。该锁存型感测放大器包括：三个晶体管、一个锁存元件与二个电容器。第一晶体管的二个漏/源端连接至第一节点与第二节点，第一晶体管的栅极端接收参考电压。第二晶体管的二个漏/源端连接至第一节点与第三节点，第二...

本发明为一种反熔丝型非易失性存储器及其相关控制方法。在编程动作的编程周期时，利用时序控制器产生时序控制信号。根据时序控制信号，字线驱动器提供开启电压与关闭电压至动作的字线。再者，在所有开启期间的时间总和内，编程电流足以让选定存储器胞内反...

一种存储器装置包含记忆胞阵列以及感测放大器电路。记忆胞阵列输出记忆胞电流。感测放大器电路与记忆胞阵列耦接以接收记忆胞电流。感测放大器电路包含运算放大器。运算放大器包含第一输入端、第二输入端和输出端。运算放大器在发展模式中根据记忆胞电流通...

一种非易失性存储器及其参考电流产生器。该非易失性存储器接收一供应电压。非易失性存储器包括：参考电流产生器与感测电路。参考电流产生器提供参考电流至感测电路。参考电流产生器包括：控制电压产生电路、电流路径选择电路与镜射电路。控制电压产生电路...

调节器包含前置调节器电路、泵电路、输出级电路与追踪电路。前置调节器电路根据输入电压产生前置调节电压。泵电路根据前置调节电压与追踪电压产生泵电压。输出级电路根据泵电压与电源电压产生输出电压。追踪电路追踪输出级电路以产生追踪电压，并传输追踪...

一种非易失性存储器的存储器胞与阵列结构及相关的控制方法。该存储器胞连接至源极线、位线、字线、辅助栅极线与抹除线。在编程动作的过程，对存储器胞进行弱编程程序与强编程程序。在弱编程程序的过程，分别提供第一编程电压、接地电压、第一辅助栅电压与...

本发明公开了一种反熔丝存储装置，其具有反熔丝模块、参考电流电路以及控制器。写入致能信号使得反熔丝模块的写入控制器和写入缓冲器能够对反熔丝模块的反熔丝数组中被选到的反熔丝储存单元进行编程。在反熔丝模块的感测放大器改变读出数据信号的状态达预...

本发明公开了一种故障注入保护电路，其包括受保护电路和侦测电路。侦测电路包括具有不相等的上拉能力和下拉能力的侦测单元，并且设置在距离受保护电路小于雷射光点直径的位置。侦测电路用于在侦测到雷射故障注入时，生成警报讯号。

一种静电放电电路包括：第一P型晶体管、第二P型晶体管、第三P型晶体管、第一静电放电电流路径、第二静电放电电流路径、偏压电路与控制电路。控制电路连接在垫与第一节点之间。第一P型晶体管连接至该垫、该控制电路与第二节点。第一静电放电电流路径连...

本发明公开一种用于物理不可复制技术的带鳍式场效晶体管一次编程存储单元，其中一次编程存储单元包括一反熔丝晶体管、一第一晶体管与一第二晶体管。反熔丝晶体管包括：一第一条鳍、一第二条鳍、一第一栅极结构、一第一漏/源接触层与一第二漏/源接触层。...

本发明公开一种用于物理不可复制技术的带环绕式栅极晶体管一次编程存储单元，其中反熔丝型一次编程存储单元，至少包括：一第一纳米线、一第二纳米线、一第一第一栅极结构、一第一漏/源结构与一第二漏/源结构。第一栅极结构包括：一第一栅极介电层、一第...

本发明公开了一种选择电路，包括主选择电路及辅助选择电路。当第一电压及第二电压不同时，主选择电路用以选择第一电压及第二电压中较高的一者作为输出电压。当第一电压及第二电压相同时，辅助选择电路用以依据第一电压及第二电压产生输出电压。

本发明公开一种具有环绕式栅极晶体管的反熔丝型一次编程存储单元，其中反熔丝型一次编程存储单元至少包括一反熔丝晶体管。反熔丝晶体管胞包括：一第一纳米线、一第一栅极结构、一第一漏/源结构与一第二漏/源结构。第一纳米线被第一栅极结构所环绕。第一...

本发明为一种非易失性存储器的记忆胞与阵列结构及其相关的控制方法。该非易失性存储器的记忆胞包括：一选择晶体管、一浮动栅晶体管、一第一电容器、一开关晶体管与一第二电容器。选择晶体管的第一漏/源极连接至一源极线。选择晶体管的栅极连接至一字线。...

本发明公开一种电荷捕捉式非易失性存储器装置的制造方法。在制造非易失性存储器装置的过程中，可有效地保护存储元件的阻挡层，防止阻挡层被污染或者变薄。另外，在半导体基板中，由于逻辑元件区与存储器元件区的阱区不是同时制作，所以在存储器元件区可以...