一种金属氧化物半导体控制二极管(MCD)包括衬底、外延层、场氧化层、数个植入区、高介电常数栅氧化层以及金属层。外延层位于所述衬底上，场氧化层位于所述外延层上，且所述场氧化层具有数个场氧化层开口。植入区位于所述场氧化层开口内的所述外延层中...

本发明提供一种电子装置以及其温度感测装置。温度感测装置包括差动级电路以及输出级电路。差动级电路具有第一差动端以及第二差动端，并包括交叉耦合晶体管组件、第一电阻以及第二电阻。交叉耦合晶体管组件接收第一电压。第一电阻耦接在第一差动端与第二电...

本发明提供一种驱动电压产生装置。驱动电压产生装置包括温度检测器、控制电路、电压产生器以及输出级电路。温度检测器用以检测环境温度来产生检测温度信息。控制电路根据检测温度信息以判断环境温度是否异常以产生启动信号。电压产生器根据启动信号以产生...

本发明提供一种电子装置及其温度检测装置。温度检测装置包括第一电阻、第二电阻以及运算电路。第一电阻以及第二电阻串联耦接在检测端以及第一电压间。第一电阻以及第二电阻分压检测端上的检测电压以产生监控电压。运算电路使监控电压与多个参考电压比较以...

本发明提供一种温度感测装置。温度感测装置包括电阻串以及控制电路。电阻串包括相互串接的可变电阻器、第一电阻以及第二电阻。电阻串耦接在感测端以及参考接地电压间。第一电阻以及第二电阻相互耦接至监控端以提供监控电压。控制电路比较监控电压以及多个...

本发明提供一种碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法。所述碳化硅半导体功率晶体管包括碳化硅衬底、第一漂移层、位在衬底上具有多个V形槽的第二漂移层、位于V形槽下方的第一漂移层中的掩埋掺杂区、位在V形槽中的栅极、栅极绝缘层、Delta掺杂层、阱...

本发明提供一种碳化硅半导体功率装置的制造方法。在所述制造方法中，高压(HV)区的功率装置和低压(LV)区的CMOS装置一起形成，因此可以显著地节省成本并且显着地改进系统效率。首先，在基板上形成第一漂移层，然后在第一漂移层中形成屏蔽区。屏...

本发明提供一种短路保护电路适用于功率晶体管。短路保护电路包括第一二极管、第一电阻、分压电路、栅极电压产生器、下拉电路以及控制信号产生器。第一二极管耦接至功率晶体管的漏极端。第一电阻耦接在二极管与功率晶体管间。分压电路耦接在功率晶体管的栅...

本发明提供一种半导体功率器件及其制造方法

本发明提供一种化学气相沉积装置包括反应器、气体供应槽以及抽气系统，反应器为管状且具有第一开口以及第二开口，气体供应槽透过控制阀连接第一开口以及第二开口以提供气体至反应器，抽气系统透过控制阀连接第一开口以及第二开口以将提供至反应器中的气体...

本发明提供一种碳化硅半导体功率晶体管及其制造方法。所述碳化硅(SiC)半导体功率晶体管，包括由SiC制成的衬底、衬底平面上的漂移层、漂移层中的多个井区、井区内的多个源极区、漂移层上的多个栅极、漂移层和每个栅极之间的栅极绝缘层，以及漂移层...

本发明提供一种碳化硅半导体功率晶体管和制造其的方法。本发明的碳化硅半导体功率晶体管包括由碳化硅(SiC)制成的衬底、设置在衬底上的漂移层，形成在漂移层上的栅极层、设置在漂移层中的多个第一井拾取区及多个第二井拾取区、多个源极电极以及多个接...

本发明提供一种合并PiN肖特基(MPS)二极管，包括基板、第一导电类型的第一外延层、第二导电类型的数个掺杂区、第一导电类型的第二外延层以及肖特基金属层。第一外延层设置于基板的第一表面。掺杂区设置于第一外延层的表面，其中掺杂区由第一部分和...

本发明提供一种宽带隙半导体器件与其制造方法。所述宽带隙半导体器件包括衬底、外延层、合并PN结肖特基(merged PN junction Schottky，MPS)二极管阵列以及围绕MPS二极管阵列的边缘终端区。外延层具有第一平面、第二...