本实用新型提出了一种半导体激光器芯片，包括：自下而上依次为N面散热结构、N面电极、N区外延层、有源区、P区外延层、P面电极和P面散热结构，所述N面电极通过生长衬底的转换方式形成。本实用新型的激光器芯片中的生长衬底能够重复利用，生长衬底的...

本发明提出了一种提高半导体激光器芯片散热效率的方法，包括如下步骤：a）生长衬底依次外延生长预置转换层、N区外延层、有源区和P区外延层；b）经过光刻、刻蚀、蒸镀TiPtAu和退火在所述P区外延层制作P面电极；c）将所述步骤b）所得浸入腐蚀...

本发明提出了一种半导体激光器芯片及其制造方法，其中一种半导体激光器芯片包括：自下而上依次为N面散热结构、N面电极、N区外延层、有源区、P区外延层、P面电极和P面散热结构，所述N面电极通过生长衬底的转换方式形成。本发明的半导体激光器芯片制...