本发明公开一种NAND FLASH读取功能的测试方法、系统、装置和主机，方法包括：NAND FLASH根据读取功能测试指令，将各端口的读取数据发送至本地的奇偶校验模块；控制奇偶校验模块根据各端口的读取数据生成待验证读取数据；将待验证读取...

本发明公开一种NAND FLASH坏块的管理方法、系统、装置和闪存，方法包括：根据各逻辑地址获取对应的存储块；判断存储块是否为坏块，其中，坏块为存储功能不良的存储块；若存储块为非坏块，则维持存储块的逻辑地址不变；若存储块为坏块，则将坏块...

本申请公开一种高带宽的闪存芯片、存储器及数据读取方法，其中高带宽的闪存芯片包括呈阵列分布的N个闪存模块，N个闪存模块用于存储数据，任一闪存模块包括闪存单元、地址解码器、数据寄存器以及IO接口组，闪存单元用于在读取模式下输出数据以及编程模...

本发明公开一种NAND FLASH控制器的纠错方法、装置和闪存，方法包括：控制器接收预设数据，并判断存储模块的当前擦写次数与T1和T2的关系；若当前擦写次数小于T1，则控制第一纠错模块对预设数据进行纠错编码，得到第一编码预设数据；若当前...

本技术公开一种存储芯片功耗测试装置，其包括承载装置、电源、功耗检测器件、主控制器和上位机；承载装置承载待测试存储芯片，具有至少两个接口分别电连接不同类型的待测试存储芯片；电源为承载于承载装置上的待测试存储芯片供电，功耗检测器件用于检测承...

本申请实施例提供一种数据处理方法、芯片、存储介质和计算机程序产品，涉及数据处理技术领域。所述方法，应用于对NAND闪存进行管理的文件系统，该方法包括：获取写入指令；基于实时任务场景和/或待存储数据的数据特性动态确定当前工作模式；当前工作...

本技术公开一种闪存存储器标记装置，包括单片机，所述单片机包括检测模块和标记模块，所述检测模块与待测闪存存储器电连接，用于检测所述待测闪存存储器中出现位翻转现象的块；所述标记模块与所述检测模块以及所述待测闪存存储器电连接，所述标记模块可对...

本技术公开一种SPI芯片时序的测试系统，所述测试系统包括：上位机；通信模块，所述通信模块与所述上位机以及待测SPI芯片电连接；时钟同步模块，与所述通信模块以及所述待测SPI芯片电连接，用于控制所述通信模块与所述待测SPI芯片时钟同步。本...

本技术公开一种Nand flash存储器测试装置，包括：若干个不同型号的SoC平台，所述SoC平台配置有动态随机存取存储器，所述SoC平台均与待测闪存存储器电连接，以测试待测闪存存储器在若干个所述SoC平台上的兼容性；单片机，所述单片机...

本技术公开了一种eMCP芯片的测试装置，用于测试具有eMMC部分和LPDDR部分的待测eMCP芯片，该测试装置包括：测试座，用于安装待测eMCP芯片；人机交互器件，至少用于发送测试指令；存储器，存储有嵌入式系统；主控制器，分别与所述人机...

本技术公开一种存储芯片测试装置，该存储芯片测试装置包括用于承载待测试存储芯片的承载组件，为存储芯片供电的电源模块，本体内部构造有容纳腔，承载组件承载有存储芯片的一面盖设于容纳腔的开口处，封闭容纳腔，温控组件用于调控容纳腔的温度；湿度调控...

本技术公开一种存储卡时序的测试装置，包括：上位机；测试座，测试座上设置有信号输出接口，信号输出接口与待测存储卡的信号引脚连接；信号采集模块，信号采集模块与信号输出接口电连接；信号采集模块包括模数转换器和设置在模数转换器上的SPI控制器，...

本技术公开一种光猫主板测试装置，该测试装置包括：单片机，所述单片机设有通讯串口，所述通讯串口用于与所述光猫主板通讯连接，以至少用于接收所述光猫主板的串口打印信息和测试结果；第一无线通讯模块，第一无线通讯模块用于接收测试指令并反馈至所述单...

本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种NAND闪存存储装置及电子设备，包括：半导体衬底；外围电路包括多个混合晶体管块结构，每个混合晶体管块结构均包括第一导电类型晶体管区域和第二导电类型晶体管区域；第一导电类型晶体管区域包括第一导电...

本技术公开一种半导体芯片自动测试设备，该半导体芯片自动测试设备包括传送装置和沿所述传送装置的传送方向依次设置的热锡装置、除锡装置、至少一测试装置；所述传送装置用于传送倒置的半导体芯片；所述热锡装置用于对所述半导体芯片底部的焊锡进行加热；...

本发明属于数据监测领域，具体公开了一种flash存储器的监控方法和电路板，监控方法包括以下步骤：获取驱动升级包；根据所述驱动升级包，执行升级操作；向flash存储器发送操作指令；记录并保存所述操作指令以及发送所述操作指令的时间点。通过在...

本发明涉及芯片测试技术领域，具体公开了一种芯片测试方法及芯片测试装置，包括：向待测设备的存储芯片写入第一数据文件，并创建进度文件以记录存储芯片中已写入第一数据文件的写入进度，其中，进度文件是存储芯片在写入第一数据文件是与写入比例对应的文...

本技术公开一种半导体芯片测试设备，该半导体芯片测试设备包括：传送装置和沿传送装置的传送方向依次设置的加热装置、除锡装置、短路测试装置；其中，传送装置用于传送半导体芯片，加热装置用于对半导体芯片底部的焊锡进行加热，除锡装置包括除锡带组件和...

本技术公开一种半导体芯片测试设备，包括：传送装置，用于传送半导体芯片，半导体芯片的两侧分别设置有引脚；加热装置，与传送装置邻近设置，用于对半导体芯片的两侧引脚处的焊锡进行加热；除锡装置，与传送装置邻近设置，除锡装置包括两清洁组件，两清洁...

本技术公开一种半导体芯片测试装置，半导体芯片测试装置包括：机座；测试平台，设于机座的顶面，测试平台构造有第一测试治具和第二测试治具，第一测试治具具有用于容置第一被测芯片的第一测试腔，第二测试治具具有用于容置第二被测芯片的第二测试腔，第二...