本技术公开一种闪存存储器标记装置，包括单片机，所述单片机包括检测模块和标记模块，所述检测模块与待测闪存存储器电连接，用于检测所述待测闪存存储器中出现位翻转现象的块；所述标记模块与所述检测模块以及所述待测闪存存储器电连接，所述标记模块可对...

本技术公开一种SPI芯片时序的测试系统，所述测试系统包括：上位机；通信模块，所述通信模块与所述上位机以及待测SPI芯片电连接；时钟同步模块，与所述通信模块以及所述待测SPI芯片电连接，用于控制所述通信模块与所述待测SPI芯片时钟同步。本...

本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开了一种NAND闪存存储装置及电子设备，包括：半导体衬底；外围电路包括多个混合晶体管块结构，每个混合晶体管块结构均包括第一导电类型晶体管区域和第二导电类型晶体管区域；第一导电类型晶体管区域包括第一导电...

本技术公开一种半导体芯片自动测试设备，该半导体芯片自动测试设备包括传送装置和沿所述传送装置的传送方向依次设置的热锡装置、除锡装置、至少一测试装置；所述传送装置用于传送倒置的半导体芯片；所述热锡装置用于对所述半导体芯片底部的焊锡进行加热；...

本发明属于数据监测领域，具体公开了一种flash存储器的监控方法和电路板，监控方法包括以下步骤：获取驱动升级包；根据所述驱动升级包，执行升级操作；向flash存储器发送操作指令；记录并保存所述操作指令以及发送所述操作指令的时间点。通过在...

本发明涉及芯片测试技术领域，具体公开了一种芯片测试方法及芯片测试装置，包括：向待测设备的存储芯片写入第一数据文件，并创建进度文件以记录存储芯片中已写入第一数据文件的写入进度，其中，进度文件是存储芯片在写入第一数据文件是与写入比例对应的文...

本技术公开一种半导体芯片测试设备，该半导体芯片测试设备包括：传送装置和沿传送装置的传送方向依次设置的加热装置、除锡装置、短路测试装置；其中，传送装置用于传送半导体芯片，加热装置用于对半导体芯片底部的焊锡进行加热，除锡装置包括除锡带组件和...

本技术公开一种半导体芯片测试设备，包括：传送装置，用于传送半导体芯片，半导体芯片的两侧分别设置有引脚；加热装置，与传送装置邻近设置，用于对半导体芯片的两侧引脚处的焊锡进行加热；除锡装置，与传送装置邻近设置，除锡装置包括两清洁组件，两清洁...

本技术公开一种半导体芯片测试装置，半导体芯片测试装置包括：机座；测试平台，设于机座的顶面，测试平台构造有第一测试治具和第二测试治具，第一测试治具具有用于容置第一被测芯片的第一测试腔，第二测试治具具有用于容置第二被测芯片的第二测试腔，第二...

本发明公开了一种芯片测试方法及芯片测试装置，包括：获取来自上位机的第一测试指令；根据第一测试指令，读取已连接的多个测试卡座的接口信息，得到测试卡座列表；接收由多个测试卡座中任一测试卡座发送的第一配置参数；根据第一配置参数确定发送第一配置...

本发明涉及闪存存储器技术领域，具体公开了一种非易失性半导体存储装置及电子设备，包括：存储单元阵列、高压开关阵列和页面缓冲阵列，页面缓冲阵列通过高压开关阵列与存储单元阵列连接，每个高压开关单元均包括多个沿第一平面的第二水平方向依次排列的高...

本发明涉及闪存存储器技术领域，具体公开了一种非易失性存储装置及电子设备，包括：存储单元阵列和页面缓冲阵列，存储单元阵列包括多个存储单元，页面缓冲阵列包括多个页面缓冲器；每个页面缓冲器均配置多个高压开关模块，每个高压开关模块均通过连接线单...

本发明公开一种数据读写方法、数据读写设备和计算机可读存储介质，该数据读写方法通过响应于用户对目标存储器的写入请求，获取待写入数据的初始地址。基于初始地址以及预设的加密算法，确定待写入数据的加密物理地址。将在初始地址写入的待写入数据，对应...

本发明涉及芯片测试技术领域，具体公开了一种芯片测试方法及芯片测试系统，该芯片测试系统包括多个芯片测试卡座，每个芯片测试卡座对应包括电压管理模块和温度控制模块，电压管理模块和温度控制模块分别用于调整目标测试卡座的电压和温度，包括生成第一随...

本发明公开一种芯片测试方法及芯片测试系统，该芯片测试方法包括：响应于测试指令，向待测试的多个芯片发送测试行为指令，该多个芯片包括至少一个第一类型芯片和至少一个第二类型芯片，该第一类型芯片具有测试行为数据记录功能；在多个芯片中存在发生异常...

本技术公开一种PCB基板，包括：绝缘层；至少一层铜箔层，设置在所述绝缘层上，且与所述绝缘层之间设置有绝缘层；所述铜箔层包括图形区和非图形区，所述图形区布置有电路，所述非图形区包括开设有若干个细孔的铜箔，所述图形区与所述非图形区之间绝缘。...

本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种NAND FLASH存储器件及其制备方法，包括：半导体衬底上依次设置第一绝缘层、第一导电体层、第二绝缘层、第二导电体层和金属层；第二导电体层包括第二导电体层第一部分和环绕第二导电体层第一部分间隔设...

本发明公开一种eMCP芯片的测试装置、方法及计算机存储介质，该测试装置用于测试具有eMMC部分和LPDDR部分的eMCP芯片，其包括：测试座，用于安装待测eMCP芯片；控制装置，用于对安装于所述测试座上的待测eMCP芯片进行测试；所述控...

本技术公开了一种芯片的封装结构，包括：层叠结构的封装板，所述封装板包括均为阻焊层的底层和顶层，所述底层和顶层之间的中间层为金属芯层，所述底层与金属芯层之间、所述顶层与金属芯层之间依序设置有若干金属层和绝缘层，所述金属层与所述绝缘层交替设...

本技术公开一种多类型存储器的SLT测试系统，包括：测试机，对待测芯片进行SLT测试，其中待测芯片包括DDR芯片以及NAND Flash芯片；DDR测试座，电连接所述测试机，用于承载所述DDR芯片；NAND FLASH测试座，电连接所述测...