一种制作布置在具有垂直的行和列的矩阵阵列

描述了一种用于控制

描述了电路板组件和机动车照明系统。一种电路板组件，包括第一冲压金属片部件、第二冲压金属片部件、以及在第一冲压金属片部件和第二冲压金属片部件之间的印刷电路板(PCB)。第一冲压金属片部件包括：第一表面；与第一表面相反的第二表面；以及在第一...

描述了照明装置

一种发光器件组件包括发光元件的发射器阵列

描述了一种照明装置

描述了一种用于制造发光元件的方法，该方法包括提供未涂覆的光转换板

一种微发光二极管(uLED)器件，包括：台面，包括：包括n型层、有源层和p型层的多个半导体层，接触p型层的p型接触层；接触n型层的第一侧壁的阴极；第一电介质材料区域，其将p型接触层、有源层、和p型层的第一侧壁与阴极绝缘；接触p型接触层的...

描述了包括超晶格结构上的量子阱的发光二极管(LED)器件。该LED器件具有大于520nm的主波长。当电流密度从10A/cm2增加到100A/cm2并且该器件的结温变化小于20℃时，主波长变化小于7nm。小于7nm。小于7nm。

一种微发光二极管(LED)管芯可以包括具有各种正向电压的微LED矩阵。一种减少未驱动或驱动不足的uLED的数量的方法可以包括：由电源提供具有最小电压(V

公开了一种照明器件，其包括布置在阵列中的多个发光二极管、设置在发光二极管之间并光学隔离发光二极管的多个光学隔离屏障、以及设置在由发光二极管的发光表面和光学隔离屏障的上表面形成的阵列表面之上的图案化转换器层，该图案化转换器层包括具有第一转...

一种发光器件，包括衬底、半导体二极管结构、厚度小于50微米的波长转换层、光学侧壁涂层、和光学侧壁结构，该波长转换层具有在折射率匹配的无机粘结剂中的发光颗粒。光学侧壁结构介于衬底侧壁和光学侧壁涂层之间，并且将侧向传播的输出光朝向波长转换层...

本发明的发光装置包括多个发光像素的阵列，以及位于发光像素阵列的发光表面处的一个或多个透射光学元件。发光像素中的一个或多个有缺陷。每个光学元件位于对应的缺陷发光像素的位置处，并且在该缺陷像素上方延伸，并且横向地至少部分地在一个或多个相邻像...

一种发光装置可以减少uLED管芯中未驱动或驱动不足的uLED的数量。一种方法可以包括：通过电源并且在第一时间期间向uLED管芯的各个uLED驱动器以第一电压提供电功率，该第一电压足以操作uLED管芯中的大多数微发光二极管(uLED)；在...

描述了在同一晶片中包括电致发光量子阱和光致发光有源区的组合的发光二极管(LED)器件。具有最短发射波长的第一组QW被放置在p

第一转换层材料形成在衬底的未被掩蔽的像素区域上。从第二像素区域集合选择性地移除掩模材料，留下被掩蔽的第三像素区域集合。在第二像素区域的侧壁上形成涂层，并且然后在第二像素区域上并抵靠它们的侧壁形成第二转换层材料。从第三像素区域移除掩模材料...

一种微发光二极管(uLED)器件，包括：台面，包括：包括n型层、有源层和p型层的多个半导体层，接触p型层的p型接触层；接触n型层的第一侧壁的阴极；第一电介质材料区域，其将p型接触层、有源层、和p型层的第一侧壁与阴极绝缘；接触p型接触层的...

一种横向异质波长转换光学元件包括被边界区域围绕的像素区域；每个区域包括由涂层或固体介质粘合的下转换磷光体颗粒。像素区域与阵列中的LED对准。磷光体区域在组分、颗粒尺寸、涂层厚度、折射率或空隙(尺寸、数量密度或体积分数)中的一个或多个方面...

一种自适应照明系统，包括独立可控的LED阵列，以及被定位成准直、聚焦或以其他方式重定向由LED阵列发射的光的超透镜。自适应照明系统可以可选地包括位于LED阵列和超透镜之间的光路中的预准直器。的光路中的预准直器。的光路中的预准直器。

描述了一种分割光或光学功率发射器件和光照器件。分割器件包括具有光或光学功率发射半导体结构的管芯，该光或光学功率发射半导体结构包括设置在n层和p层之间的有源层。沟槽形成在至少半导体结构中并将该管芯分离成可单独寻址的区段。有源层发射具有第一...