本发明公开了一种导热导电功率模块的制备工艺，涉及半导体技术领域，包括：1：对铝散热器上的喷涂区域进行一次喷砂处理；2：在喷涂区域喷涂第一覆铜层；3：在第一覆铜层上进行二次喷砂处理；4：在第一覆铜层上喷涂第二覆铜层；5：发射激光照射第二覆...

本发明公开了一种逆变电源及供电方法，涉及半导体技术领域，该逆变电源包括机壳，机壳内固定有功率模块，功率模块包括三相整流电路、逆变电路、二次整流回路和一独立的铝散热器；铝散热器通过绝缘支架固定在壳体内，且铝散热器上设有镀铜层；三相整流电路...

本技术公开了一种功率模块的散热结构，涉及半导体技术领域，其包括芯片和铝散热器，所述铝散热器上设有导热铜层，所述芯片直接和/或通过DBC陶瓷覆铜板间接焊固在导热铜层上。本技术能够利用设置在铝散热器上的导热铜层进行直接散热，相对于现有技术取...

本发明公开了一种垂直型宽禁带肖特基功率二极管及其制备方法，属于半导体器件技术领域，本发明通过使阴极直接和重掺杂传输层相连来提升欧姆接触的效果，通过使沟槽内的肖特基金属材料和轻掺杂漂移层相连来增大电极接触面，通过在沟槽内设置电场屏蔽层来提...

本发明公开了一种全垂直型氮化镓积累型功率器件及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该全垂直型氮化镓积累型功率器件的关键创新点在于在栅极电极的两侧单独构建了边缘电场优化结构，以及将漏极电极设置在与源极电极相对应的衬底层下表面。基于关键创新...

本技术公开了一种增强型二极管，涉及半导体器件技术领域，其包括从下至上依次连接的N+层、N层和P+层，所述P+层的上表面中部设有上电极金属层，所述P+层上设有自上而下蚀刻至N层的椭圆形沟槽，所述椭圆形沟槽对称设置在上电极金属层的两侧，所述...

本发明公开了一种功率模块的制造方法，涉及半导体技术领域，包括：步骤1：提供一铝散热器，该铝散热器上涂覆有镀铜层；步骤2：提供一功率器件，该功率器件包括至少一个芯片；步骤3：将芯片直接和/或通过DBC陶瓷覆铜板间接焊固在镀铜层上，以使芯片...

本发明公开了一种双层钝化保护结构二极管的制备方法，包括以下步骤：步骤1：扩散；步骤2：沟槽腐蚀；步骤3：第一钝化保护结构成膜；步骤4：第二钝化保护结构成膜；步骤5：电极区去膜；步骤6：电极区金属化；该方法可制备出满足标准参数的双层钝化保...

本发明公开了一种准垂直型氮化镓积累型功率器件，包括从下至上依次设置的硅衬底

本发明公开了一种氮化镓半导体功率器件的制备方法，包括：一：在

本发明公开了一种整流桥的封装工艺，包括：先在铝基覆铜板上形成正极铜箔、负极铜箔、第一交流铜箔和第二交流铜箔；再分别在正极铜箔、第一交流铜箔和第二交流铜箔上点锡膏并固定铜粒，再将芯片分别固定在各铜粒上，再将连接片分别固定在各芯片与预设的各...

本发明公开了一种逆变驱动电路，包括两个信号控制单元和四颗IGBT芯片，信号控制单元包括输入控制电路和GE信号驱动控制电路，所述输入控制电路包括光耦隔离器和晶体三极管，光耦隔离器包括接地端、输出端和与信号地连接的电源端；所述GE信号驱动控...

本实用新型属于电力电子器件技术领域，尤其涉及一种半导体功率器件的终端结构，包括衬底；衬底的底部和顶部分别设置电极金属板和漂移区；漂移区的顶部嵌入设置有主结区、截止环和2~4个等宽的场限环；漂移区的顶部覆盖有等平面钝化层；等平面钝化层的顶...

本实用新型公开了一种横向竖向相结合的传导散热装置，包括循环换热管、增压件、横向散热器和用于安装待散热模块的竖向散热器，所述横向散热器通过循环换热管与竖向散热器连接，所述循环换热管内设有冷媒介质，所述增压件安装在循环换热管上，所述增压件通...

本发明公开了一种电子集成模块的散热方法，包括：A：使用内设冷却介质的横向循环换热组件分别连接横向辅助散热器和竖向散热器，将电子集成模块安装在竖向散热器上；B：控制冷却介质循环流动，电子集成模块产生的热量经竖向散热器持续地以竖向散热的方式...

本发明公开了一种高压硅堆的单只生产工艺及批量生产工艺，其包括如下步骤：1.刷焊料；2.组装芯片；3.点焊料；4.组装跳线；5.装引脚；6.烧结；7.清洗；8.塑封；9.引脚电镀；10.切筋；11.测试印字；12.包装。本发明能够以成本更...

本实用新型涉及变频线路集成技术领域，具体涉及一种PIM器件的产品内部结构，包括覆铜陶瓷基板以及布设于覆铜陶瓷基板上的三相整流单元、三相逆变单元、制动单元和温控检测NTC器件；三相整流单元包括布设于覆铜陶瓷基板上的六个二极管芯片以及与六个...

本实用新型涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种基于Clip结构的IGBT器件，封装外壳体、二极管芯片、IGBT芯片、发射极引脚、控制极引脚、集电极引脚、铜clipⅠ、铜clipⅡ和处于封装外壳体内部设置有框架；集电极引脚与框架直接连接，...

本实用新型属于二极管技术领域，尤其涉及一种高压硅堆，包括引脚Ⅰ、引脚Ⅱ、引脚Ⅲ、硅堆本体和封装外壳；硅堆本体包括硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ，硅堆单元Ⅰ的负极与硅堆单元Ⅱ的正极连接；硅堆单元Ⅱ和硅堆单元Ⅱ硅堆单元Ⅰ和硅堆单元Ⅱ中分别包含有若干...

本实用新型属于微波炉的控制技术领域，尤其涉及一种基于单个高压硅堆的微波炉控制电路。包括整流电路、变压器T、IGBT、升压电路和磁控管Mt；变压器T和IGBT连接于整流电路的输出端；磁控管Mt连接于变压器T的输出端，且磁控管Mt与变压器T...