提供了矩形的N

一种半导体结构具有直接接触的

一种半导体结构，其具有：晶体衬底；生长在衬底上的单晶体半导体层；以及形成在单晶体层的一部分上的发热半导体器件。衬底在其选定部分中具有孔洞，所述选定部分设置在发热器件下方的半导体层的区域中，所述孔洞从衬底的底部部分延伸到单晶体半导体层。单...

一种在具有中央处理单元(CPU)和图形处理单元(GPU)的计算系统中使用的方法，该方法包括：将第一存储器部分和第二存储器部分指派给：工作窃取调度器的工作者线程以及作为GPU一部分的执行单元；从与工作者线程相关联的队列取回任务；由工作者线...

形成欧姆触点密封层，所述欧姆触点密封层被设置在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处；在欧姆触点的侧壁和半导体的表面之间的交汇处形成欧姆触点密封层；并将带有欧姆触点的半导体利用化学蚀刻剂处理。触点的半导体利用化学蚀刻剂处理。触点的半导...

一种单片微波集成电路(MMIC)结构，其具有导热衬底；设置在衬底的上表面的第一部分上的半导体层；设置在半导体层上的有源台面形半导体器件层；以及直接设置在衬底的上表面的第二部分上的无源电气器件。部分上的无源电气器件。部分上的无源电气器件。

场效应晶体管，其具有用于在栅极(22)和漏极(20)之间的区域中塑造电场的场板结构，所述场板结构具有：设置在栅极上以及栅极和漏极之间的区域中的半导体的表面上的电介质层(24)；以及设置在电介质层的部分中的电荷(41)，所述电荷的一部分设...

一种场效应晶体管，其包括形成竖直结构的栅极触点和栅极金属，所述竖直结构具有被气隙包围的侧面和顶部，所述气隙形成在场效应晶体管的源极电极和漏极电极之间。管的源极电极和漏极电极之间。管的源极电极和漏极电极之间。

具有输入端口和输出端口的频率选择限制器(FSL)可以包括多个竖向堆叠的传输线结构。每个传输线结构可被电耦合到被设置在其正上方的传输线结构，并且多个竖向堆叠的传输线结构中的第一个具有对应于FSL输入端口的一端，并且多个竖向堆叠的传输线结构...

公开了一种自动化雷达组装系统，其包括：被联接到支架的第一机器人装置，该第一机器人装置具有第一工作包络；第二机器人装置，其被经由支架联接到第一机器人装置，该第二机器人装置具有小于第一工作包络的第二工作包络；被联接到支架的零件台，该零件台被...

一种功率放大器(10)，具有：数量为N的多个放大器模块，其中，N是大于一的整数；具有M个输入和N个输出的M:N功率分配器，其中，M是小于N的整数，所述N个输出中的每一个耦接至所述数量为N的多个功率放大器中的对应的一个的输入；数量为M的多...

一种用于形成用于场效应晶体管的栅极结构的方法包括提供半导体。在半导体之上形成电介质层，所述电介质层在其中具有处于半导体的选定部分之上的开口。使用沉积工艺来选择性地将栅极金属沉积在电介质层之上，并且沉积到开口中，沉积的栅极金属通过栅极金属...

一种电路，其具有：(A)晶体管；(B)用于为晶体管设置偏置电流的偏置电路，该偏置电流具有根据馈送到该偏置电路的参考电流的电流电平；以及(C)偏置电流电平控制器，其包括：(i)多个开关，所述开关中的每一个包括：以共源共栅配置连接的MOS ...

一种提供与半导体的欧姆接触部的层堆叠体，该堆叠体的下部金属层被设置为与该半导体直接接触；以及被设置在下部层之上的辐射吸收控制层，该辐射吸收控制层用于在用于使所述堆叠体与所述半导体合金化以形成欧姆接触部的工艺期间，在使所述堆叠体暴露于辐射...

场效应晶体管(FET)结构具有：半导体；第一电极结构；第二电极结构；以及第三电极结构，其用于控制载流子在半导体中在第一电极结构和第二电极结构之间的流动；电介质结构，其布置在半导体之上并在第一电极结构、第二电极结构和第三电极结构之间水平延...

场效应晶体管(FET)，具有沿半导体表面横向布置的源极、漏极和栅极以及场板结构：该场板结构具有连接到源极的一端；以及布置在栅极和漏极之间并通过间隙(37)与漏极分开的另一端。介电结构布置在半导体之上，其具有：布置在场板结构的另一端之下的...

提供了一种具有带有渐缩宽度的传输线结构的频率选择性限制器(FSL)。该FSL包括具有磁性材料的基板、设置在基板上的信号(或中心)导体以及设置在基板上的第一和第二接地平面导体。该信号导体具有第一宽度的第一端和第二不同宽度的第二端，使得信号...

本文提供了一种在不同频带(例如，低、中和高频带)下工作的馈送组件。馈送组件包括低、中和高频带共用的馈电喇叭、用于发射在低带频带中的信号的同轴偏振器、用于发射在低带频带中的信号并支持中和高频带的同轴正交模态换能器(OMT)以及设置在馈送组...

一种用于半导体器件(10)的肖特基接触结构(18)具有肖特基接触部(20)以及设置在所述接触部上的用于所述接触结构的电极(22)。所述肖特基接触部包括：与半导体进行肖特基接触的由第一金属构成的第一层(24)；处于所述第一层上的由第二金属...

本发明涉及一种具有设置于衬底上的III族‑N半导体层的半导体结构。与III族‑N半导体层接触的多层电接触结构包括与III族‑N半导体层接触的无金接触层；和电连接到无金接触层的无金导电蚀刻停止层。导电过孔穿过衬底到达蚀刻停止层。所述结构包...