公开了涉及使用含碳抑制剂以在衬底上非保形地生长氧化物膜的示例。一示例包含执行多个氧化物膜沉积循环，多个氧化物膜沉积循环中的至少一个氧化物膜沉积循环包含：将衬底暴露于氧化物膜前体以将氧化物膜前体吸附至衬底、将衬底暴露于含氧气体、使氧化物膜...

一种产生电压脉冲的方法包括在时钟周期的第一持续时间产生第一非正弦连续波电压(NSCWV)波形。第一NSCWV信号包括第一基础电压和第一频率。该方法还包括执行第一转变以从第一NSCWV信号改变为第二NSCWV信号。在时钟周期的第二持续时间...

在一示例中，所公开的装置的一实施方案描述了一种用于支撑衬底的衬底接触环，该衬底接触环包含外围结构，其设定尺寸并且被配置成支撑在所述衬底接触环内的所述衬底。所述外围结构包含基本平坦的环形部和与所述基本平坦的环形部机械耦合的接触指的间隔阵列...

描述了一种用于产生射频(RF)波形的系统和方法。该方法包括定义由不具有开关脉冲的关状态分开的连串的开关脉冲。该方法进一步包括施加多电平脉冲波形，该多电平脉冲波形调整每个开关脉冲的幅值以产生RF波形。该方法包括将RF波形发送到电极。

公开一双区工艺气体分配喷头。在至少一实施方案中，双区喷头包括内部区域和围绕内部区域的外部区域。至少第一充气室在第一区域内且耦合至第一气体入口端口。在至少一实施方案中，外部区域包括与第二气体入口端口耦合的至少一第二充气室。在至少一实施方案...

本文提供了使用包括烃和含卤化物物质的处理气体和脉冲式低频(LF)功率在衬底上沉积可灰化硬掩模(AHM)的方法和相关装置的示例。含卤化物物质可降低AHM的氢含量，且使用脉冲式LF功率的等离子体可改善AHM的机械性能。本文中还提供了经退火的...

本文所述的是一种包含电感耦合等离子体(ICP)天线的装置，所述ICP天线包含串联电气耦合的多个电感，以及电容器，所述电容器与多个电感中的电感并联耦合。ICP天线将与等离子体进行电磁耦合。

描述了用于确定电容器故障的早期警报系统和方法。所述方法中的一种包括控制马达以进一步控制耦合到马达的可变电容器，以多次促进到达可变电容器的硬停止位置或初始位置。每次控制马达以促进到达初始位置或硬停止位置时，都会记录马达所采取的步数。将步数...

描述了用于阻抗匹配的反馈控制系统的方法、系统和介质。公开了一种阻抗匹配和功率分配网络用的计算机程序产品。该计算机程序产品可包含计算机可执行的指令，该计算机可执行的指令可获得现在时间处与处理室的站相关的可变电抗的现在值，其中该可变电抗与用...

本发明公开了具有晶片背侧处理能力的半导体处理工具。这种工具可被配置成仅通过边缘接触来接触正在处理的晶片，而不是下侧/平面接触。这种工具还可包括晶片居中特征，其可允许这种晶片相对于其特定晶片处理站精准地居中。

描述了用于在千赫(kHz)RF发生器的操作循环内调谐兆赫射频(RF)发生器的系统和方法。在所述方法中的一种中，将预定的周期性波形提供给处理器。处理器使用基于计算机的模型来确定预定周期性波形的多个频率参数。频率参数被应用于兆赫RF发生器以...

一种用于衬底处理系统的双充气腔喷头包括基部和背板。基部包括面向衬底的第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及延伸于第一表面与第二表面之间的侧壁。第一表面和第二表面是平坦的。第一表面和第二表面以及侧壁限定第一充气腔。背板包括从背板的中心部...

本文中描述的是一种基座组件，其包括平台，以及位于该平台下方的传感器支撑板。在至少一实现方案中，传感器支撑板包括传感器隔室，以及位于该传感器隔室内的波导温度传感器。在至少一实现方案中，波导温度传感器包括温度传感器，且该温度传感器包括第一反...

一种处理晶片状物件的装置，装置包含：旋转卡盘，其被配置为接收晶片状物件，其中旋转卡盘包含多个接触元件，每一接触元件可在抓取位置和非抓取位置之间移动，其中接触元件在抓取位置被配置为接触晶片状物件的径向外缘；以及非旋转板，当晶片状物件被旋转...

公开了用于在多站半导体处理室内对清洁化学物质流重新导向的系统和方法。在这样的系统中，清洁化学物质流(例如来自远程等离子体产生器的等离子体)可被引导至转位器的中枢器上，该转位器置中地安置在室内。中枢器可具有使清洁化学物质流重新导向成径向朝...

可引导UV光通过图案化窗以致使衬底的某些区域的选择性UV暴露。沉积于衬底上的应力可调膜由于选择性UV暴露而可进行局部应力变化。在应力可调膜中的局部应力变化可缓解衬底中的晶片弯曲。可将图案化窗设计为具有UV透明区和UV不透明区以有利于应力...

公开了使用等离子体增强原子层沉积(PEALD)在孔洞和沟槽结构中形成气隙的方法。该方法可用于形成埋藏式空隙，即顶部低于相邻特征顶部的空隙。在一些实施方案中，该方法用于减少半导体设备中的层内电容。

公开了通过以下方式在衬底上相对于介电材料而在暴露金属表面上选择性沉积金属氧化物的系统和方法：在利用抑制剂的金属表面的抑制之前，利用产生羟基物质的等离子体进行预处理，随后金属氧化物沉积在介电材料上。示例性抑制剂包括低蒸气压抑制剂。示例性系...

描述了用于中央频率调谐的系统和方法。方法中的一种包括接收来自耦合到低频(LF)射频(RF)发生器和高频(HF)RF发生器的匹配器的输出的电压信号。该方法还包括针对由LF RF发生器产生的LF RF信号的每个周期将电压信号分成多个区间。该...

提供了一种在处理室中的多个站中进行等离子体辅助的半导体处理的方法。该方法包括：a)在所述多个站中的每个站处提供衬底；b)将RF功率分配给多个站，从而在所述站内产生等离子体，其中，根据被调节以减小站与站之间的变化的RF功率参数来分配所述R...