一种等离子体处理腔包括下电极和上电极组件，该组件具有被接地电极围绕着的中心电极。各电极之间射频激发的等离子体在这些电极上感应出DC偏压。下电极DC偏压量控制着连接在中心电极和接地之间的第一串联谐振电路的电容器。中心电极DC偏压量控制着连...

一种多频等离子体蚀刻反应器，其中在一个真空等离子体处理舱内，通过在数个频率下激发等离子体，从而使得由数个频率所致的等离子体激发同时地导致数个不同的现象发生于等离子体中，由此用等离子体对工件进行处理。所述舱包括中央的顶电极和底电极，以及一...

一种处理工件的等离子体处理器包括具有频率２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ和６０ＭＨｚ的源，它们由三个匹配网络施加于包含工件的真空腔中的电极。可选择地由第四匹配网络将６０ＭＨｚ施加于第二电极。基本上调谐到驱动其的源的频率的匹配网络包括串联电感，所以２...

一种处理工件的等离子体处理器包括具有频率２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ和６０ＭＨｚ的源，它们由三个匹配网络施加于包含工件的真空腔中的电极。可选择地由第四匹配网络将６０ＭＨｚ施加于第二电极。基本上调谐到驱动其的源的频率的匹配网络包括串联电感，所以２...

一种处理工件的等离子体处理器包括具有频率２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ和６０ＭＨｚ的源，它们由三个匹配网络施加于包含工件的真空腔中的电极。可选择地由第四匹配网络将６０ＭＨｚ施加于第二电极。基本上调谐到驱动其的源的频率的匹配网络包括串联电感，所以２...

一种处理工件的等离子体处理器包括具有频率２ＭＨｚ、２７ＭＨｚ和６０ＭＨｚ的源，它们由三个匹配网络施加于包含工件的真空腔中的电极。可选择地由第四匹配网络将６０ＭＨｚ施加于第二电极。基本上调谐到驱动其的源的频率的匹配网络包括串联电感，所以２...

一种用于产生电感性耦合的等离子体的设备，其特征在于该设备包括： 一外壳，包围被一介电屏蔽板所限定的等离子体反应室； 外壳内的进气口，用于把工作气体提供给反应室； 一线圈，包括置于外壳外部靠近介电屏蔽板的至少两个导电绕组...

一种等离子体处理器天线，它采用ＡＣ源的功率驱动，该天线包括适用于由源的功率来提供功率的第一和第二激发端，构成通过天线之外的电路由耦合至所述第一和第二激发端的功率赋能的等离子体激发线圈，该天线所具有的连接和阻抗的数值使得通过天线之外电路流...

在一个真空等离子体处理舱内，通过在数个频率下激发等离子体，从而使得由数个频率所致的等离子体激发同时地导致数个不同的现象发生于等离子体中，由此用等离子体对工件进行处理。所述舱包括中央的顶电极和底电极，以及一个周围的顶电极和／或底电极装置，...

在加工工件的真空室内，等离子体以等离子体约束容积为界，包括同时响应于第一和第二ＲＦ频率功率的第一电极与ＤＣ接地第二电极之间的区域。ＤＣ接地延伸部分基本上直线对准第一电极。大部分第一频率功率耦合到包括第一与第二电极但不包括延伸部分的通路，...

提供到真空等离子体处理腔内的等离子体的ＲＦ功率量响应存储于计算机存储器中的信号以预编程为基础逐渐改变。计算机存储器存储信号从而在产生逐渐变化时其它处理腔参数（压强、气体种类和气流速率）保持恒定。所存储的信号使得蚀刻出倒圆的边角而非锐利的...

真空等离子体处理器包括形成等离子体处理器的底部电极或顶部电极的具有多个相互绝缘的电极的电极阵列。当电极阵列是底部电极的一部分时，阵列中的电极是响应于局部温度传感器的、热电的、Ｐｅｌｔｉｅｒ效应型装置的部分以及是静电夹具的部分。热电装置控...

一种大工件等离子体加工器，包括具有多个单独支撑的介电窗口的真空腔体，用于把腔体外产生的射频场耦合到腔体内，以激励出等离子体。感应取得磁场的平面线圈具有多个相同电长度的部分，每部分包括与另一部分元件并联的元件。

一种大工件等离子体加工器，包括具有多个单独支撑的介电窗口的真空腔体，用于把腔体外产生的射频场耦合到腔体内，以激励出等离子体。感应取得磁场的平面线圈具有多个相同电长度的部分，每部分包括与另一部分元件并联的元件。

感应的等离子处理器包括多个绕组射频线圈，该线圈有多个电并联、空间上同轴的绕组（１）有不同数量的射频电源供应给它们，和（２）排列以产生电磁场，该电磁场对室中等离子不同区域有不同的耦合，以控制投射到已处理工件上的等离子流分布。线圈由单独的射...

一种适用于感应式等离子体处理器的射频激励线圈，该线圈包括与层叠在平面匝（１０３）上的部分（１１５）相串联的平面匝（１０３）。所述层叠段设置在由于腔室和／或激励线圈的水平方向上的非对称性所减弱射频耦合到等离子体的区域周围。在单个绕组的实施...

感应等离子体处理器包括具有多个绕组的ＲＦ等离子体激励线圈，每个绕组包括并联连接由单个ＲＦ源通过单个匹配网络驱动的第一端。绕组的第二端由终端电容器接地，该电容器依次由影响接地。包括绕环形核的绕组的电流传感器耦合到每个终端电容器和地之间的引...

一个真空等离子体处理器包括一个电压－电流检测器（３２），它连接在匹配网络（３０）和用于激发在腔室（１０）内的气体成为等离子体以处理工作部件（１５）的反应阻抗之间。在腔室内的一个电极（１４）和接地之间的连接中保持着一个恒定非零的ＲＦ参数。...

一种用于加工工件的真空等离子体腔室，它包括用于与腔室中的气体电气耦合并分别连接至第一和第二、相对较高和较低频率的ＲＦ电源的第一和第二电极。该腔室包括处于参考电位的一壁，和一与该壁间隔开的等离子体约束区域。一连接至诸电源和诸电极的滤波器结...

一种等离子体处理器线圈能包括一与多个多匝共面交织螺旋并联的绕组作电阻或只是电抗耦合的短路匝，一分离电容器可与各绕组关联以将电流从该绕组一部分分流到绕组另一部分，各绕组外围部分邻匝间的间距与各绕组里面部分邻匝间的间距不同，线圈长度相对于该...