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昆山西迪光电材料有限公司专利技术
昆山西迪光电材料有限公司共有17项专利
含倍半萜内酯成膜树脂及其正性248nm光刻胶制造技术
本发明公开一种含倍半萜内酯共聚物成膜树脂及其正性248nm光刻胶。所述成膜树脂由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,在溶剂中进行共聚反应制备而成;所述成膜树脂的分子量为4,000~1,000,000分子量分布为1.4~2.4;所述共聚单...
含倍半萜的成膜树脂及其正性干法曝光193nm光刻胶制造技术
本发明公开一种含倍半萜的成膜树脂及由它配制成的用于干法曝光的正性193nm光刻胶;其成膜树脂的分子量为4,000~5,000,000,分子量分布为1.4~2.4;成膜树脂由共聚合反应合成;共聚单体主要为下列质量百分含量的化合物:含天然产...
含倍半萜的成膜树脂及其正性浸没式曝光193nm光刻胶制造技术
本发明公开一种含倍半萜的成膜树脂及其浸没式曝光193nm正性光刻胶,其成膜树脂的分子量为4,000~5,000,000,分子量分布为1.4~2.4;共聚单体主要为下列质量百分含量的化合物:含天然产物倍半萜的组成单元10%~60%;含酸敏...
含倍半萜内酯的成膜树脂及其正性浸没式曝光193nm光刻胶制造技术
本发明公开一种含倍半萜内酯的成膜树脂及其正性浸没式曝光193nm光刻胶;所述成膜树脂由含倍半萜内酯的(甲基)丙烯酸酯单体和相关共聚单体在溶剂中进行自由基共聚反应制备而成,其特征在于:所述成膜树脂的分子量为4,000~5,000,000,...
含倍半萜的成膜树脂及其负性248nm光刻胶制造技术
本发明公开一种含倍半萜的成膜树脂及其深紫外(DUV)波段曝光的负性248nm光刻胶,由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,在溶剂中进行共聚反应制备而成。所述成膜树脂的分子量为2,000~1,000,000;所述共聚单体主要为下列质量百分...
含倍半萜内酯成膜树脂及其负性248nm光刻胶制造技术
本发明公开一种含倍半萜内酯的成膜树脂及其负性248nm光刻胶,其共聚物成膜树脂由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,在溶剂中进行共聚反应制备而成,成膜树脂的分子量为4,000~1,00,000,共聚单体主要为下列质量百分含量的化合物:取...
含倍半萜内酯成膜树脂及其正性干法曝光193nm光刻胶制造技术
本发明公开一种含倍半萜内酯成膜树脂及其正性干法曝光193nm光刻胶,其成膜树脂由至少包括一种含倍半萜内酯的共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,在溶剂中进行共聚反应制备而成;其特征在于:所述成膜树脂的分子量为4,000~1,000,000...
含倍半萜的成膜树脂及其正性248nm光刻胶制造技术
含倍半萜的成膜树脂及其正性248nm光刻胶,其特征在于:成膜树脂由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,于溶剂中进行共聚合反应制备而成的共聚物,共聚单体主要由5~40份的取代苯乙烯和10~60份的含倍半萜的组成单元;正性248nm光刻胶主...
化学增幅型含硅I-线紫外负性光刻胶及其成膜树脂制造技术
一种化学增幅型含硅I-线紫外负性光刻胶,主要由10~30份的成膜树脂、0.5~6份的光致酸;0.5~10份的交联剂;70~90份的溶剂经混合后制成所述成膜树脂主要由0.5%~40%的含硅丙烯酸酯类偶联剂和40%~90%的取代苯乙烯经共聚...
含纳米硅聚酰胺紫外正性光刻胶及其成膜树脂制造技术
一种含纳米硅聚酰胺紫外正性光刻胶及其成膜树脂,该成膜树脂由芳香酰氯、芳香胺和含纳米硅组成单元聚合而成,采用该成膜树脂制得含纳米硅聚酰胺紫外正性光刻胶,其中成膜树脂的重量份数为8~30份,溶剂的重量份数为70~90份。本发明制得的光刻胶具...
含硅I-线紫外正性光刻胶及其成膜树脂制造技术
一种含硅I-线紫外正性光刻胶及其成膜树脂,主要由10~30份的酚醛树脂、1~10份的含硅共聚物成膜树脂、5~20份的重氮萘醌类光敏化合物、30~85份溶剂以及少量其他添加剂如正丁胺和表面活性剂作为原料配制,然后经过5微米,1微米和0.2...
紫外厚膜光刻胶及其成膜树脂制造技术
一种紫外厚膜光刻胶,主要由10~35份的酚醛树脂、1~10份的含硅共聚物成膜树脂、5~20份的重氮萘醌类光敏化合物、30~85份溶剂以及少量其他添加剂如正丁胺和表面活性剂作为原料配制,然后经过5微米,1微米和0.2微米的过滤器过滤而得。...
含纳米硅紫外厚膜正性光刻胶及其成膜树脂制造技术
一种紫外厚膜光刻胶,主要由10~35份的酚醛树脂、1~10份的含纳米硅共聚物成膜树脂、5~20份的重氮萘醌类光敏化合物、30~85份溶剂以及少量其他添加剂如正丁胺和表面活性剂作为原料配制,然后经过5微米,1微米和0.2微米的过滤器过滤而...
化学增幅型高分辨率含硅I-线紫外光刻胶及其成膜树脂制造技术
一种含硅共聚物成膜树脂,由共聚单体在自由基引发剂存在的条件下,溶剂中进行共聚合反应制备而成,其特征在于:所述成膜树脂的分子量为4000~100000,分子量分布为1.4~2.8;所述共聚单体主要为40%~90%的取代苯乙烯、0.5%~2...
含纳米硅深紫外负性增幅型光刻胶及其成膜树脂制造技术
一种含纳米硅深紫外负性增幅型光刻胶,主要由10~30份的成膜树脂、0.5~6份的光致酸、0.5~10的交联剂、70~90的溶剂以及0.01~0.5的有机碱混合组成。本发明在一般以聚对羟基苯乙烯(PHS)为基础的成膜树脂配方中引入了可以与...
含纳米硅深紫外正性光刻胶及其成膜树脂制造技术
一种含纳米硅深紫外负性增幅型光刻胶,主要由10~30份的成膜树脂、0.5~5份的光致酸、70~90份的溶剂以及0.01~0.5份的有机碱混合组成。本发明在一般以聚对羟基苯乙烯为基础的成膜树脂中引入了Si8-POSS,它是一个具有纳米尺寸...
含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂制造技术
一种含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂,在成膜树脂配方中引入了可以共聚合的含有机硅的丙烯酸酯类偶联剂单体,同含可交联的碱性可溶基团单体进行共聚合制备成一种新的成膜树脂。这种新的成膜树脂与光致酸、交联剂、溶剂、以及其他添加剂组成光刻胶后...
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