本发明专利提供了一种改进型梯度凝固GaAs单晶生长方法，它对传统垂直梯度凝固法(VGF)或垂直布里奇曼法(VB)晶体生长装置进行了改造。其特征在于加热系统被安装在晶体生长炉顶部，加热元件为一组串联的U型硅钼棒。炉体内温度分布曲线通过隔热...