昆明贵研新材料科技有限公司专利技术

昆明贵研新材料科技有限公司共有48项专利

  • 本发明公开了一种用于对甲酸制氢催化剂催化性能进行测试评估的系统及方法,系统包括气体生成组件、气体体积数据采集和分析组件和气体成分分析组件;气体生成组件包括可控温磁力搅拌装置、反应容器,用于甲酸分解制氢反应生成混合气体;气体体积数据采集和...
  • 本发明公开了一种铋掺杂钯炭催化剂、制备方法及用途,催化剂的钯总负载量为1.0~10.0wt.%,铋的负载量是钯摩尔量的0.05~0.15倍。方法包括:将碳载体分散在水中得到悬浊液A;向柠檬酸钠水溶液加入氯钯酸,制得溶液B;将溶液B加入悬...
  • 本发明公开了一种高速滑环用高弹高耐磨摩擦副材料及其制备方法,包括高耐磨导电环材料和高弹高耐磨刷丝材料,导电环材料包含金60~70%、铜15~20%、铂10~15%、银2~10%;刷丝材料包含金50~60%、铜1%~20%、钯15~20%...
  • 本发明公开了一种低温固化型导电银浆、制备方法及其应用,导电银浆按质量分数计由以下原料组成:40‑80%主体银粉,10‑50%辅助银粉,2‑10%环氧树脂,0.5‑5%辅助树脂,3‑15%有机溶剂,0.5‑5%固化剂和0.1‑2%有机助剂...
  • 本发明涉及一种基于机器学习的预测多组元铂基合金拉伸强度的方法,包括采集铂基合金常温拉伸强度实验数据,利用领域知识对元素进行分类处理,通过第一性原理密度泛函理论计算的方法构建特征池,以机器学习中的岭回归预测十折交叉验证精度为目标函数,按特...
  • 本发明提供了一种收缩率可调控的玻璃
  • 本发明提供一种微米片和亚微米颗粒共存的金粉制备方法,目的在于一步制备出结构可调的金粉,解决金导体浆料中微米级金粉的技术瓶颈。其制备方法为:氯金酸溶液加入表面活性剂溶液中,抗坏血酸为还原剂,通过温度梯度变化来控制微米片和亚微米颗粒的形核与...
  • 本发明提供了一种可控强析晶高频低损耗LTCC基板材料及其制备方法,属于电子信息功能材料领域。本发明以CaO
  • 本发明公开了一种镀银铜微米片的制备方法,采用一步化学镀法,包括如下步骤:将聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、醇胺类化合物分别溶解于去离子水中,随后依次加入到铜微米片分散液中充分混合,得到混合溶液;在特定温度下,将硝酸银(AgNO3)溶解于去离子...
  • 本发明属于陶瓷材料技术领域,提供了一种钙硼硅系LTCC陶瓷材料。本发明通过设计低硼的CBS陶瓷,减少了氧化硼的熔融挥发和硼酸钙的析出,降低了介电损耗;通过引入稀土氧化物Nb2O5和/或Ta2O5能够加强玻璃网络结构,增大玻璃粘度,降低陶...
  • 本发明公开了一种金微米片的绿色高效制备方法,涉及二维微纳米材料制备技术领域,特别涉及一种基于液相还原法制备金微米片的有效方法,旨在提供一种重复性高、操作简单、产率高的金微米片。该金微米片的制备方法包括:将纤维素醚在去离子水中充分溶解;向...
  • 本发明公开了基于材料基因工程的描述符筛选及晶体材料物性预测方法,通过对部分晶体材料目标性质数据进行计算与晶体描述符的收集,再凭借方差信息、四大相关性系数、随机循序特征选择方法对描述符开展清洗与综合筛选,之后利用智能优化思维对模型搭建过程...
  • 本发明公开了一种离子型铱配合物磷光材料的制备方法,具体是以Ir(ppy)2(acac)为起始原料,缓慢滴加适量的HPF6,在惰性气体保护下,室温反应0.1
  • 本发明公开了一种乙酰丙酮二羰基铱(I)的制备方法,具体是以二烯类铱废液为原料,醇为还原剂,在惰性气体保护下,加热反应回流2h,把废液里少量高价铱还原为一价铱,除去溶剂,固体溶解在四氢呋喃,在惰性气体保护下,通入CO,反应5min,加入碱...
  • 本发明公开一种制备阳离子型铱(III)配合物的方法,具体是在惰性气体保护下,通过银盐脱出铱氯桥二聚体中的氯形成水合物,加入N^N配体取代配位水,同时加入抗衡阴离子盐的水溶液形成阳离子型铱配合物,过滤得到阳离子型铱配合物及氯化银混合物,将...
  • 本发明公开了一种从废Al2O3基贵金属催化剂中富集回收贵金属的方法,包括以下步骤:(1)溶解:将废Al2O3基贵金属催化剂、固体氢氧化钠和水按比例加入到反应釜中,充入氮气将反应釜中的空气排出,加热至一定的温度,反应一段时间;(2)稀释过...
  • 本发明公开了一种从失效SiO2载体催化剂中回收贵金属的方法,该方法包括:(1)焙烧:将失效SiO2载体贵金属催化剂与一定质量的碱混合,在预定温度下焙烧一定时间;(2)浸出:将焙烧产物用水浸出,贵金属保留在浸出渣中,实现贵金属富集。本发明...
  • 本发明公开了一种用作相变存储介质的高性能Ru
  • 本发明公开了一种废二氧化硅载体贵金属催化剂的富集方法,采用氢氧化钠溶液在高温高压条件下溶解SiO2或xSiO2·
  • 本发明公开了一种适于作久储相变存储介质的高性能Ru