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卡普雷斯股份有限公司专利技术
卡普雷斯股份有限公司共有17项专利
用于测试测试样品电气性能的探针和相关的接近探测器制造技术
一种用于材料和半导体晶片的直接纳米和微米级电气表征的探针。探针包括探针主体、从探针主体延伸的第一悬臂以及从探针主体延伸的第一热探测器。热探测器用于相对于测试样品定位悬臂。
用于测试测试样品的电特性的探针制造技术
一种用于材料和半导体晶片的直接(direct)纳米级和微米级电学表征的探针。探针(10)包括探针主体(12)、从探针主体延伸的第一悬臂(20a)。第一悬臂相对于所述探针主体限定第一回路。探针还包括由所述第一悬臂支撑的第一接触探针以及与第...
位置校正方法和用于关于四个探针电阻测量进行位置校正的系统技术方案
本发明涉及一种通过提供多点探针和试样来建立具体电极位置的方法。方法包括以下步骤:测量或确定多点探针的电极中的两个之间的距离;以及建立表示试样的电阻模型。方法还包括以下步骤:执行至少三个不同的薄片电阻测量;以及基于电阻模型对于不同薄片电阻...
自动化多点探针操作制造技术
公开了一种尤其适用于自动操作的多点探针。还公开了一种包括所述多点探针和探针操作器头的自动化多点测量系统。此外,还披露了一种包括探针座和所述探针操作器头的自动化多点探针夹持系统。另外,还披露了一种加载的探针加载器,它包括探针加载器和用于处...
深蚀刻的多点探针制造技术
一种用于建立测试装置和测试样品之间的电连接的多点探针,该多点探针包括限定顶表面的基部和提供在顶表面上的多个迹线,每个迹线单独使用于建立与测试样品的电连接的接触垫和接触电极互相连接,每个迹线包括连接到接触垫的宽部和连接到接触电极的窄部;第...
自动化多点探针操作制造技术
公开了一种尤其适用于自动操作的多点探针。还公开了一种包括所述多点探针和探针操作器头的自动化多点测量系统。此外,还披露了一种包括探针座和所述探针操作器头的自动化多点探针夹持系统。另外,还披露了一种加载的探针加载器,它包括探针加载器和用于处...
单个位置霍尔效应测量制造技术
一种通过包括四个接触元件的多点探针来确定试验样品上的第一位置和电气边界(34)之间的距离(Y)的方法,包括:在第一位置用四个接触元件(20,22,24,26)接触试验样品,在第一位置施加磁场,进行第一和第二四点测量并得出第一和第二电阻值...
自动化多点探针操作制造技术
公开了一种尤其适用于自动操作的多点探针。还公开了一种包括所述多点探针和探针操作器头的自动化多点测量系统。此外,还披露了一种包括探针座和所述探针操作器头的自动化多点探针夹持系统。另外,还披露了一种加载的探针加载器,它包括探针加载器和用于处...
用于测试电性能的多点探针以及生产多点探针的方法技术
用于对测试样本的多个特定位置进行电性能测试的多点探针包括用于限定第一表面的支撑体,多个第一导电探针臂(101-101”’),每个探针臂定义了近端和远端。探针臂在近端连接至支撑体(105),远端从支撑体自由延伸,使探针臂独立弯曲运动。每个...
一种用于提供探头对准的方法技术
一种用于提供探头相对于支撑衬底对准的方法,包括的步骤为:提供限定平面表面和边缘的所述支撑衬底,所述衬底进一步限定第一晶体平面;在所述支撑衬底所述表面上提供第一掩模,所述第一掩模在所述边缘所述表面上限定第一外露区域;以及提供特定的刻蚀剂、...
测定试样电性能的方法技术
一种通过利用多点探针进行多次测量,获得包括非导电区和导电或半导电测试区的试样电性能的方法。该方法如下步骤:提供磁力线垂直穿过测试区的磁场;将探针带入到测试区上的第一位置,探针的导电针头与测试区接触,测定每个针头相对非导电区和测试区之间分...
具有接触探测器的装置制造方法及图纸
本发明涉及一种用于探测测试样品表面区域电学性能的探针。所述探针位于与所述测试样品相应的特定方向内。所述探针包含确定第一表面的支撑体,可从与第一表面共面的支撑体延伸的多个悬臂(12)。所述多个悬臂(12)可基本上彼此平行地延伸,且所述多个...
用于测量浅层半导体注入物的片电阻和漏电流密度的方法技术
一种用于精确确定半导体表面(520)中浅层注入物的片电阻和漏电流密度的方法,该方法包括使用多个电极间隔集合对半导体表面(520)进行感应电流低于100μA的一个或多个四点电阻测量,至少一个集合的平均间隔低于100μm。通过将所测量的数据...
用于多点探针的电反馈探测系统技术方案
一种电反馈探测系统,其用于探测多点探针和电传导材料测试样品表面之间的电接触。该电反馈探测系统包括电探测器单元,其连接至多点探针中的电极组,并且可选地直接到测试样品表面。该探测器单元向多点测试设备提供电信号,该设备可被用于确定多点探针是否...
一种用于提供探头对准的方法技术
一种用于提供探头相对于支撑衬底对准的方法,包括的步骤为:提供限定平面表面和边缘的所述支撑衬底,所述衬底进一步限定第一晶体平面;在所述支撑衬底所述表面上提供第一掩模,所述第一掩模在所述边缘所述表面上限定第一外露区域;以及提供特定的刻蚀剂、...
一种用来测试测试样品的电属性的探针制造技术
本发明涉及一种用来测试测试样品(508)的电属性的探针(502)。该探针可以包括主体(504),主体具有包括近端和与近端相对的远端的探针臂(506),该探针臂在探针臂近端,从主体延伸出来,由近端和远端限定出第一轴。进一步地,该探针臂可以...
消除四点电阻测量的成直线定位误差制造技术
本发明涉及一种计算校正因子的方法,该校正因子用来减少用四点探针的电阻测量中的定位误差。该四点探针具有主体和每个都包括探针的四个探针臂,探针臂从主体平行延伸出来。该四点探针包括电触点,用于在该探针和测试仪器之间建立电接触发射和接收电信号。...
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