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巨能半导体股份有限公司专利技术
巨能半导体股份有限公司共有1项专利
具有凹陷场板的功率金属氧化物半导体场效应晶体管制造技术
沟槽MOSFET包含邻近栅极沟槽的凹陷场板(RFP)沟槽。RFP沟槽包含RFP电极,RFP电极通过沿RFP沟槽的壁的介电层与管芯绝缘。栅极沟槽具有厚的底部氧化物层,并且栅极沟槽和RFP沟槽优选在相同的加工步骤中形成并且深度基本相同。当M...
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