本技术涉及碳化硅籽晶的粘接技术领域，公开了一种碳化硅籽晶的粘接装置，包括主体机构、加热机构和控制机构，所述加热机构位于主体机构的内部，所述控制机构位于主体机构的右端，所述主体机构包括箱体，所述箱体的内部设置有石墨托，所述石墨托的上端设置...

本发明公开了一种氮化单晶生长用炉体结构，包括炉体，所述炉体的底端设置有方便顶出取料的顶升机构；本发明通过顶升机构的设置，方便对氮化单晶取放的优点，不仅无需借助外置吊装设备，而且操作简单便捷，同时利于提高取放效率以及整体的操作效率，利用电...

本技术公开一种自结合烧结碳化硅装置，包括硅化装置主体和散热仓，所述散热仓套设于硅化装置主体外侧，所述散热仓外侧面上分别连接设有出气管和连接管，所述出气管和连接管与散热仓连接的位置对称设置，所述连接管远离散热仓的端部连接设有驱动机构，本技...

本发明公开了一种碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法和应用，先将碳化硅颗粒与氯化钇溶液混合处理，煅烧，得到纳米氧化钇修饰碳化硅，接着将纳米氧化钇修饰碳化硅与硝酸钡溶液混合，加入草酸铵溶液，沉淀反应，再次煅烧，得到预处理碳化硅颗粒；然后将预处理...

本发明公开了一种立式石墨纯化一体炉及其纯化方法，涉及石墨纯化一体炉技术领域，一种立式石墨纯化一体炉，包括：设置于炉体中的加热系统，用以对所述炉体内的石墨加热；设置于所述炉体中的保温系统，用以减缓所述炉体内的热量散发至炉体外；设置于所述炉...

本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种双重容器材料生长装置及材料生长方法。本发明的双重容器材料生长装置，包括耐压容器、外生长容器、内生长容器。外生长容器固定于耐压容器中，在外生长容器外侧包裹有加热装置。内生长容器可升降地设于外生长容器...

本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底及氮化镓晶体生长方法。本发明提供的助溶剂法生长氮化镓晶体的自剥离衬底包括衬底层、图形化掩埋层、可分解缓冲层、氮化镓微籽晶和氮化镓籽晶层。衬底层具有平整表面，在衬底...

本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种循环式晶体生长装置及氮化镓晶体生长方法。本发明提供的循环式晶体生长装置，包括反应腔、固定在反应腔内的反应容器、固定在反应腔内的延缓容器、可旋转地设置在反应腔内的回转支架；反应容器内设有固定装置，反...