根据实施例的激光照射设备(1)是一种被构造成激活半导体装置的半导体层的激光照射设备，其包括：半导体激光光源(35)，半导体激光光源(35)被构造成产生具有不短于250nm且不长于500nm波长的激光(15)；光学系统单元(30)，光学系...

根据本实施方式的激光切割装置(1)包括：工作台(20)，所述工作台吸附保持工件；光学系统(30)，所述光学系统将用于切割工件(W)的激光引导至工件；引导机构，所述引导机构在俯视视角下在第一方向上保持光学系统(30)并使之能够移动；第一驱...

激光剥离装置向包括基板和在该基板上形成的剥离层的工件照射激光而将所述剥离层从所述基板剥离，包括：拍摄装置，其对被照射所述激光的工件进行拍摄；以及处理部，其进行基于由所述拍摄装置拍摄到的图像的处理，所述处理部获取由所述拍摄装置拍摄到的工件...

根据本实施方式的激光照射装置(1)具备：激光光源(35)；光学系统单元(30)，其将激光(15)向基板引导；浮起单元(10)，其具有设置于激光(15)的照射位置的正下方的贯通孔，使所述基板浮起；输送单元(11)，在第一方向上输送在浮起单...

根据本实施方式的激光切割装置(1)具备：工作台(20)，具有沿着工件的切割线形成的槽，其对工件W进行吸附保持；光学系统(30)，其将用于切割工件W的激光向工件引导；驱动机构，其使光学系统(30)沿着切割线移动；以及排气部件(222)，其...

激光照射装置包括射出激光的激光源和进行与激光向基板的照射相关的控制的控制部，所述控制部获取包含来自所述激光照射装置中设置的检测部的检测值的运行参数，通过向学习模型输入所获取的所述运行参数而导出预想品质信息，其中，所述学习模型在输入了运行...

本实施方式的热处理装置包括：激光光源(21)，其产生连续振荡的激光(L1)；光学系统(30)，其具有使激光(L1)沿着第1方向扫描的光扫描器(32)，将激光(L1)向基板(100)引导；光学系统驱动部(40)，其使光学系统(30)移动，...

根据一实施例，一种构造成运送基板(100)以便用激光照射基板(100)以形成线状照射区域(15a)的运送装置包括：悬浮单元(10)，其构造成使所述基板在所述基板悬浮单元的上表面上方悬浮；保持机构(12)，其构造成保持基板(100)；以及...

本发明公开激光照射装置以及半导体器件制造方法，所述激光照射装置包括一光学系统模块，用于向一照射对象发射激光；第一遮光板，所述第一遮光板内形成有供所述激光通过的第一狭缝，所述第一遮光板朝所述光学系统模块弯曲；以及一反射光接收部件，设于所述...

本实施方式的激光退火装置包括产生随机偏振的激光(L30)的激光光源(21a)、将随机偏振的激光(L30)的分支的偏振射束分离器(31)、控制由偏振射束分离器(31)分支得到的多束激光(L31、L32)的偏振状态的偏振控制元件、和合成来自...

本发明提供一种激光照射装置，包括激光光源，还包括：检测来自所述激光光源的激光照射的基板的亮度的第一检测部和第二检测部；以及进行涉及从所述激光光源出射的激光的控制的控制部，所述控制部，根据由所述第一检测部检测出的亮度确定激光的能量密度；根...

本发明提供一种激光照射装置，其包括多个激光光源，还包括控制部，该控制部进行涉及从所述多个激光光源出射的激光的控制，所述控制部取得所述多个激光光源各自的特性信息，根据所取得的各个特性信息进行规定的处理。所取得的各个特性信息进行规定的处理。...

本发明提供一种激光照射装置、信息处理方法和可读取地记录有程序的记录介质。激光照射装置包括激光光源，还包括进行可动零部件的故障预测的故障预测部，所述可动零部件在利用所述激光光源进行基板加工时被使用，所述故障预测部取得所述可动零部件动作时的...

本公开提供了一种能够形成高质量半导体膜的激光处理装置和激光处理方法。ELA装置(准分子激光退火装置)(1)包括：激光振荡器(10)，该激光振荡器(10)生成激光，该激光用于通过用激光照射在基材上的待处理的非晶硅膜来形成多晶硅膜；脉冲测量...