本发明的用于静电保护的半导体元件的制造方法，该用于静电保护的半导体元件位于电子设备的输入端并保护电子设备免受过电压，其特征在于，包括：第一步骤，在由硅片或玻璃基板构成的基底基板上形成下基板；第二步骤，在所述下基板的上面形成具有规定间隙的...