本发明揭示无金属电极的垂直结构的LED高压芯片，包括：支持衬底，至少两个单元半导体外延薄膜。其中，支持衬底包括，绝缘支持衬底，导电支持衬底，通孔绝缘支持衬底，通孔导电支持衬底。单元半导体外延薄膜键合在支持衬底上，剥离生长衬底。相邻的单元...

本实用新型揭示正装结构的高压直流或交流芯片，包括：生长衬底，形成在生长衬底上的至少两个单元芯片。相邻的单元芯片通过透明电极电连接。全部单元芯片以串联方式连接，形成低价的高压正装结构芯片。全部单元芯片以整流桥式的方式连接或者以串联和并联混...

本实用新型揭示无金属电极的垂直结构的LED高压芯片，包括：支持衬底，至少两个单元半导体外延薄膜。其中，支持衬底包括，绝缘支持衬底，导电支持衬底，通孔绝缘支持衬底，通孔导电支持衬底。单元半导体外延薄膜键合在支持衬底上，剥离生长衬底。相邻的...

本实用新型揭示倒装结构的LED高压芯片，包括：生长衬底，形成在生长衬底上的至少两个单元半导体外延薄膜，支持衬底；相邻的单元半导体外延薄膜通过连接电极电连接；单元半导体外延薄膜键合在支持衬底上。全部单元半导体外延薄膜以串联方式连接，形成倒...

本发明揭示低价的正装结构的高压交直流芯片，包括：生长衬底，形成在生长衬底上的至少两个单元芯片。相邻的单元芯片通过透明电极电连接。全部单元芯片以串联方式连接，形成低价的高压正装结构芯片。全部单元芯片以整流桥式的方式连接或者以串联和并联混合...

本发明的陶瓷衬底的正装结构的氮化镓基芯片包括陶瓷衬底、缓冲层和氮化镓基外延层。陶瓷衬底包括，氮化铝陶瓷衬底、氧化铝陶瓷衬底、碳化硅陶瓷衬底、氮化硼陶瓷衬底、氧化锆陶瓷衬底、氧化镁陶瓷衬底。缓冲层的结构包括，低温氮化铝层、成份分层结构、高...

交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管包括，多个直流垂直结构LED单元芯片，垂直结构LED单元芯片按照预定的正反向并联或桥式整流的方式电连接。垂直结构LED单元包括，(A)半导体外延薄膜；半导体外延薄膜设置在通孔支持衬底的金属膜上。(B...

本实用新型的陶瓷衬底的正装结构的氮化镓基芯片包括陶瓷衬底、缓冲层和氮化镓基外延层。陶瓷衬底包括，氮化铝陶瓷衬底、氧化铝陶瓷衬底、碳化硅陶瓷衬底、氮化硼陶瓷衬底、氧化锆陶瓷衬底、氧化镁陶瓷衬底。缓冲层的结构包括，低温氮化铝层、成分分层结构...

交流表面贴片式垂直结构半导体发光二极管包括，多个直流垂直结构LED单元芯片，垂直结构LED单元芯片按照预定的正反向并联或桥式整流的方式电连接。垂直结构LED单元包括，(A)半导体外延薄膜；半导体外延薄膜设置在通孔支持衬底的金属膜上。(B...

本发明涉及高电压垂直结构半导体发光二极管。一个高电压垂直结构LED芯片包括，支持衬底和数个垂直结构LED单元，垂直结构LED单元设置在带有通孔的绝缘支持衬底上，垂直结构LED单元按照串联的方式电连接。垂直结构LED单元包括，(A)半导体...