本发明属于存储器技术领域，公开了一种基于多层氧化铪薄膜的铁电存储器件及制造方法。所述的铁电存储器件包括顶电极层、中间介质层以及底电极层，顶电极层设置于中间介质层的顶部，底电极层设置于中间介质层的底部，中间介质层包括若干层氧化铪薄膜，氧化...

本申请公开了一种基于铁电电容器的字线升压电路及其控制方法，涉及半导体集成电路技术领域。所述电路包括有字线使能信号输入端、反相器电源输入端、反相器电路单元、数字地连接端、三个双NMOS管串联电路单元、铁电电容器、电容器、数字电源连接端、电...

本发明公开一种数据写入控制电路及数据写入控制方法，涉及数据存储技术领域。数据写入控制电路包括存储单元、选择器、共源共栅极放大器、比较器和微处理器，存储单元与选择器连接，共源共栅极放大器连接于选择器与比较器之间，微处理器与选择器、共源共栅...

本发明公开了一种基于铁电电容的可编程双边延时装置，本发明采用铁电电容

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种铁电薄膜存储单元

本发明涉及一种基于存内CNN的调度存储方法，属于复用CNN调度运算技术领域，解决了现有技术中访存和数据搬运造成的能耗强和延迟高的问题。一种基于存内CNN的调度存储方法，包括以下步骤：对输入数组的元素和卷积核的权重进行卷积运算得到卷积结果...

本发明涉及基于存内CNN中间缓存调度的存储器，属于复用CNN调度运算技术领域，解决了现有技术中访存和数据搬运造成的能耗强和延迟高的问题。一种基于存内CNN中间缓存调度的存储器，包括：控制逻辑单元，用于根据时钟信号和外部输入的有效标志信号...

本发明涉及支持存内CNN的中间缓存调度方法，属于复用CNN调度运算技术领域，解决了现有技术中访存和数据搬运造成的能耗强和延迟高的问题。一种支持存内CNN的中间缓存调度方法，包括以下步骤：对输入数组的元素和卷积核权重进行卷积运算得到卷积结...

本发明涉及支持存内CNN的中间缓存调度电路，属于复用CNN调度运算技术领域，解决了现有技术中访存和数据搬运造成的能耗强和延迟高的问题。包括控制逻辑单元和缓存调度电路单元；缓存调度电路单元包括运算逻辑单元用于对输入数组的元素和卷积核的权重...

本发明涉及一种存内计算单元和加速方法，属于存内计算领域。本发明将DNN加速器中的输出存储器和内积累加单元结合，将累加运算放到存储Cell当中，用于解决输出端存在的内存墙问题。存内计算单元包括多个Block，每个Block包括并列的Cel...

本发明涉及一种用于部署深度学习网络的存内计算架构和方法，属于DNN加速器的存内计算领域。存内计算架构包括输入存储器、内积运算单元、存内计算单元和控制模块；控制模块用于基于前置模块的指令信息控制存内架计算架构完成计算任务；输入存储器用于存...