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晶成半导体股份有限公司专利技术
晶成半导体股份有限公司共有4项专利
光电半导体元件制造技术
本发明提供一种光电半导体元件,包括:半导体叠层,包括第一部分及第二部分依序堆叠,第二部分包含活性层;以及第一金属层,位于第一部分上,且与第一部分电连接,其中第一部分的俯视轮廓呈第一图形,第二部分的俯视轮廓呈第二图形,第一金属层的俯视轮廓...
光电半导体元件制造技术
本发明公开一种光电半导体元件,包括:外延叠层,包括第一半导体结构、活性结构位于第一半导体结构上、及第二半导体结构位于活性结构上,其中外延叠层具有第一部分及第二部分,且第一部分的第二半导体结构与第二部分的第二半导体结构分离;沟槽,位于第一...
半导体元件及其应用制造技术
本发明公开一种具有n
声波元件及其制造方法技术
本发明公开一种声波元件及其制造方法,其中该声波元件包括:基板;位于基板之上的第一电极;位于第一电极上的压电层;以及位于压电层上的第二电极。基板与第一电极之间具有接合界面。压电层于amp;lt;002amp;gt;晶相的X光绕射图谱中的半...
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