基本半导体南京有限公司专利

基本半导体南京有限公司专利技术

基本半导体南京有限公司共有2项专利

一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法技术

本发明公开了一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法，选择商业化的硅衬底并清洗；在硅衬底正面涂覆光刻胶，经光刻、显影、坚膜后刻蚀以形成刻蚀道；沉积SiO2填充刻蚀道，并使晶片表面平坦化；使用H2气体高温刻蚀硅衬底结构表面，去除晶片表面损伤...

最后更新日期：2023-07-29 09:07 访问量：15
一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法技术

本发明公开了一种硅衬底上3C碳化硅材料外延生长方法，选择商业化的硅衬底并清洗；在硅衬底正面涂覆光刻胶，经光刻、显影、坚膜后刻蚀以形成刻蚀道；沉积SiO2填充刻蚀道，并使晶片表面平坦化；使用H2气体高温刻蚀硅衬底结构表面，去除晶片表面损伤...

最后更新日期：2022-02-12 19:20 访问量：22