本申请公开了一种用于镀膜的转载托架，属于沉积镀膜技术领域，转载托架包括：限位框，内侧设有框架口，框架口用于置入板件结构；承载台，连接于限位框，承载台设有延伸至框架口内的承载边，承载边用于承载板件结构的边部。本申请能够最大程度地避免玻璃与...

本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种砷化镓薄膜及其制备方法；所述制备方法包括：对待沉积衬底进行预热，得到预热衬底；以及，在真空条件下使镓源和砷源经过原子层沉积附着在所述预热衬底，得到砷化镓薄膜；其中，原子层沉积的温度≤200℃；原...

本申请公开了一种用于镀膜的转载托架及使用方法，属于沉积镀膜技术领域，转载托架包括：限位框，内侧设有框架口，框架口用于置入板件结构；承载台，连接于限位框，承载台设有延伸至框架口内的承载边，承载边用于承载板件结构的边部；使用方法包括：将第一...

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及钙钛矿样品承载装置。本申请实施例提供了一种钙钛矿样品承载装置，该装置设置在原子层沉积设备的反应腔中，用于安装钙钛矿样品。该装置包括载物托盘和进气机构，载物托盘用于承载钙钛矿样品，钙钛矿样品放置于载物...

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种原子层沉积反应腔室和原子层沉积设备。本申请实施例提供了一种原子层沉积反应腔室，包括腔体和加热载盘。腔体具有出气口，作业人员可通过该出气口拿放样品。加热载盘设置于腔体中，用于承载样品且对样品加热，...

本申请涉及一种液位可检测的原子沉积设备源瓶，包括：圆柱瓶体，所述圆柱瓶体的左侧插接有长进流管，且圆柱瓶体的上端右侧固定设有短出流管，并且圆柱瓶体的右端上下侧分别固定设有粗低压管和细高压管；差压传送连接管，所述差压传送连接管固定插接有连通...

本申请公开了一种原子沉积设备的反应物定量控制方法、装置、介质以及电子设备。该方法包括:设定各个反应物对应的差压累和阈值，并在未通入反应物时，通入设定流量的载气，获取进气管道处的压强作为第一初始压强；针对各个反应物，通过依次开启各个反应物...

本申请公开一种氟化镁薄膜的制备方法及相关设备，涉及薄膜技术领域，能够提高在制备大面积氟化镁薄膜过程中的膜厚均匀性。氟化镁薄膜的制备方法，包括：将衬底传送至原子层沉积反应腔室；在所述原子层沉积反应腔室达到制备条件的情况下，向所述原子层沉积...