本申请涉及薄膜材料技术领域，尤其涉及一种玻璃基底表面沉积生长铜薄膜的方法；所述方法包括：将玻璃基底进行预处理，得到预处理基底；在惰性气氛的条件下使用铜源将所述预处理基底进行第一次原子层沉积处理，得到含有粗铜薄膜的粗基底；在惰性气体氛的条...

本申请涉及电极材料技术领域，尤其涉及一种碳纳米管复合电极材料及其制备方法；所述复合电极材料包括碳纳米管基体以及依次覆盖在所述碳纳米管基体表面的活性材料层和钝化涂层，所述活性材料层的导电性＞所述钝化涂层的导电性，所述钝化涂层的体积膨胀系数...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种等离子体原子层沉积设备，包括：反应气体输入组件，用于输入反应气体；反应试剂输入组件，用于输入反应试剂；等离子气体生成组件，用于利用所述反应气体生成等离子气体；所述等离子气体生成组件与所述反应气体输入...

本发明原子层沉积技术领域，涉及一种静电粉末同轴电容器，包括：外柱体，用于容纳内柱体；内柱体，用于与所述外柱体共同形成电场；所述内柱体设置于所述外柱体中；绝缘部，用于绝缘所述外柱体和所述内柱体；所述绝缘部分别与所述外柱体和所述内柱体连接；...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种热型原子层沉积装置，包括：反应腔室，用于提供反应空间；抽气泵，用于对所述反应腔室的内部抽取真空；所述抽气泵与所述反应腔室连接；气体检测仪，用于检测所述反应腔室内的气体；所述气体检测仪设置于所述反应腔...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种粉末原子层沉积设备，包括：第一气体输入组件，用于输入第一反应气体；第二气体输入组件，用于输入第二反应气体；反应组件，用于提供反应空间；所述反应组件分别与所述第一气体输入组件和所述第二气体输入组件连接...

本发明涉一种用于原子层沉积设备的可拆卸格挡样品托盘，包括：承载部，用于至少部分承载样品；所述承载部至少部分支撑于样品台上；镂空部，用于使至少部分所述样品与所述样品台接触；所述镂空部设置于所述承载部上；定位部，用于与所述样品台适配定位；所...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种原子层沉积设备辅助分散粉末装置，包括：筒体，所述筒体侧壁设置有出口，所述筒体底壁设置有入口，所述筒体内设置有容纳腔，所述容纳腔分别与所述出口和所述入口连接；分隔部，所述分隔部设置于所述容纳腔内，且将...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种时间型快速镀膜原子层沉积装置，包括：运输组件、第一加热组件、第二加热组件、第一反应组件、第二反应组件、前驱体输送组件、第一抽取组件和第二抽取组件。本申请提供的一种时间型快速镀膜原子层沉积装置设置有专...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种原子层沉积镀膜腔室，包括：壳体，用于样品镀膜；所述壳体内设置有容纳腔；进气孔，用于向所述容纳腔内输入反应气体；所述进气孔设置于所述壳体上，且与所述容纳腔连接；出气孔，用于排出所述容纳腔内的气体；所述...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种原子层沉积设备快速冷却装置，包括：加热组件，用于加热样品；检测组件，用于检测所述加热组件的温度；所述检测组件设置于所述加热组件上；冷却流体输送组件，用于向所述加热组件输送冷却流体；所述冷却流体输送组...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种粉末镀膜夹具，包括：夹持件，用于夹持粉末内胆；所述夹持件内设置有密闭空间；粉末内胆，用于承载粉尘；所述粉末内胆设置于所述密闭空间中；进气口，用于供向所述密闭空间中进气；所述进气口设置于所述夹持件上，...

本发明属于前驱体源源瓶加热技术领域，涉及一种用于原子层沉积设备的源瓶加热装置，包括：外壳组件，用于装载源瓶；所述外壳组件内设置有密闭空间，所述密闭空间用于装载所述源瓶；加热组件，用于加热所述源瓶；所述加热组件设置于所述密闭空间内，且至少...

本发明属于原子层快速沉积技术领域，涉及一种原子层快速沉积设备，包括：第一气体输入组件，用于输入第一反应气体；第二气体输入组件，用于输入第二反应气体；反应组件，用于提供反应空间；所述反应组件分别与所述第一气体输入组件和所述第二气体输入组件...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种原子层沉积设备的粉末内腔，包括：壳体，所述壳体内设置有容纳腔；盖板，所述盖板设置于所述容纳腔内；内胆，所述内胆设置于所述盖板上，且与所述容纳腔的内壁间隔预设距离；所述容纳腔与原子层沉积设备的反应腔室...

本申请公开了一种原子层沉积装置，属于原子层沉积的技术领域。本申请所提供的原子沉积装置包括平面样品沉积器和粉末样品沉积器，平面样品沉积器具有平面样品沉积腔，用于对平面样品进行薄膜沉积，粉末样品沉积器具有粉末样品沉积腔，用于对粉末样品进行薄...

本申请公开了一种用于镀膜的转载托架，属于沉积镀膜技术领域，转载托架包括：限位框，内侧设有框架口，框架口用于置入板件结构；承载台，连接于限位框，承载台设有延伸至框架口内的承载边，承载边用于承载板件结构的边部。本申请能够最大程度地避免玻璃与...

本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种砷化镓薄膜及其制备方法；所述制备方法包括：对待沉积衬底进行预热，得到预热衬底；以及，在真空条件下使镓源和砷源经过原子层沉积附着在所述预热衬底，得到砷化镓薄膜；其中，原子层沉积的温度≤200℃；原...

本申请公开了一种用于镀膜的转载托架及使用方法，属于沉积镀膜技术领域，转载托架包括：限位框，内侧设有框架口，框架口用于置入板件结构；承载台，连接于限位框，承载台设有延伸至框架口内的承载边，承载边用于承载板件结构的边部；使用方法包括：将第一...

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及钙钛矿样品承载装置。本申请实施例提供了一种钙钛矿样品承载装置，该装置设置在原子层沉积设备的反应腔中，用于安装钙钛矿样品。该装置包括载物托盘和进气机构，载物托盘用于承载钙钛矿样品，钙钛矿样品放置于载物...