本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种粉末镀膜夹具，包括：夹持件，用于夹持粉末内胆；所述夹持件内设置有密闭空间；粉末内胆，用于承载粉尘；所述粉末内胆设置于所述密闭空间中；进气口，用于供向所述密闭空间中进气；所述进气口设置于所述夹持件上，...

本发明属于前驱体源源瓶加热技术领域，涉及一种用于原子层沉积设备的源瓶加热装置，包括：外壳组件，用于装载源瓶；所述外壳组件内设置有密闭空间，所述密闭空间用于装载所述源瓶；加热组件，用于加热所述源瓶；所述加热组件设置于所述密闭空间内，且至少...

本发明属于原子层快速沉积技术领域，涉及一种原子层快速沉积设备，包括：第一气体输入组件，用于输入第一反应气体；第二气体输入组件，用于输入第二反应气体；反应组件，用于提供反应空间；所述反应组件分别与所述第一气体输入组件和所述第二气体输入组件...

本发明属于原子层沉积技术领域，涉及一种原子层沉积设备的粉末内腔，包括：壳体，所述壳体内设置有容纳腔；盖板，所述盖板设置于所述容纳腔内；内胆，所述内胆设置于所述盖板上，且与所述容纳腔的内壁间隔预设距离；所述容纳腔与原子层沉积设备的反应腔室...

本申请公开了一种原子层沉积装置，属于原子层沉积的技术领域。本申请所提供的原子沉积装置包括平面样品沉积器和粉末样品沉积器，平面样品沉积器具有平面样品沉积腔，用于对平面样品进行薄膜沉积，粉末样品沉积器具有粉末样品沉积腔，用于对粉末样品进行薄...

本申请公开了一种用于镀膜的转载托架，属于沉积镀膜技术领域，转载托架包括：限位框，内侧设有框架口，框架口用于置入板件结构；承载台，连接于限位框，承载台设有延伸至框架口内的承载边，承载边用于承载板件结构的边部。本申请能够最大程度地避免玻璃与...

本申请涉及半导体器件技术领域，尤其涉及一种砷化镓薄膜及其制备方法；所述制备方法包括：对待沉积衬底进行预热，得到预热衬底；以及，在真空条件下使镓源和砷源经过原子层沉积附着在所述预热衬底，得到砷化镓薄膜；其中，原子层沉积的温度≤200℃；原...

本申请公开了一种用于镀膜的转载托架及使用方法，属于沉积镀膜技术领域，转载托架包括：限位框，内侧设有框架口，框架口用于置入板件结构；承载台，连接于限位框，承载台设有延伸至框架口内的承载边，承载边用于承载板件结构的边部；使用方法包括：将第一...

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及钙钛矿样品承载装置。本申请实施例提供了一种钙钛矿样品承载装置，该装置设置在原子层沉积设备的反应腔中，用于安装钙钛矿样品。该装置包括载物托盘和进气机构，载物托盘用于承载钙钛矿样品，钙钛矿样品放置于载物...

本发明涉及半导体设备技术领域，尤其涉及一种原子层沉积反应腔室和原子层沉积设备。本申请实施例提供了一种原子层沉积反应腔室，包括腔体和加热载盘。腔体具有出气口，作业人员可通过该出气口拿放样品。加热载盘设置于腔体中，用于承载样品且对样品加热，...

本申请涉及一种液位可检测的原子沉积设备源瓶，包括：圆柱瓶体，所述圆柱瓶体的左侧插接有长进流管，且圆柱瓶体的上端右侧固定设有短出流管，并且圆柱瓶体的右端上下侧分别固定设有粗低压管和细高压管；差压传送连接管，所述差压传送连接管固定插接有连通...

本申请公开了一种原子沉积设备的反应物定量控制方法、装置、介质以及电子设备。该方法包括:设定各个反应物对应的差压累和阈值，并在未通入反应物时，通入设定流量的载气，获取进气管道处的压强作为第一初始压强；针对各个反应物，通过依次开启各个反应物...

本申请公开一种氟化镁薄膜的制备方法及相关设备，涉及薄膜技术领域，能够提高在制备大面积氟化镁薄膜过程中的膜厚均匀性。氟化镁薄膜的制备方法，包括：将衬底传送至原子层沉积反应腔室；在所述原子层沉积反应腔室达到制备条件的情况下，向所述原子层沉积...