本实用新型公开了一种GaN芯片加工用切割装置，包括底座，所述底座的上端面左侧固定连接有支撑板，所述底座的上端面右侧固定连接有收集箱，所述收集箱的右端面通过管道连接有抽风机，使用时，通过定位组件将芯片主体固定在放置槽的内部，之后启动第一电...

本实用新型公开了一种GaN基芯片封装用引脚检测装置，包括底座，所述底座上设置有定位槽，所述定位槽与芯片卡接配合，所述底座的前后侧壁上开设有安装槽，所述安装槽中固定安装有引脚定位座，所述引脚定位座上端面上设置有一组用于定位引脚的引脚槽，所...

本实用新型公开了一种GaN基LED芯片封装结构，包括内封装结构，所述内封装结构包括GaN基芯片，所述GaN基芯片的上方设置有蓝宝石层，所述GaN基芯片的下方设置有反射层，所述反射层的下方通过焊接层焊接有硅基板，所述硅基板通过粘接层粘接在...

本实用新型公开了一种GaN基晶圆切割装置，包括工作台，所述工作台的上端面通过若干支撑杆固定连接有支撑板，所述支撑板的上端面中部固定安装有气缸，所述气缸的输出端连接有运动组件，运动组件上安装有激光切割器，所述工作台的上端面中部固定连接有固...

本实用新型公开了一种GaN基芯片封装用层叠治具，包括底板，所述底板上端面上设置有一组定位单元，所述定位单元包括一组用于定位芯片的定位块，所述定位单元中的定位块围成方形区域，所述定位芯片放置在方形区域中，所述定位块底部设置有安装座，所述安...

本实用新型公开了一种GaN器件的高效封装装置，包括下模和上模，所述下模的模腔用于放置芯片，所述上模前后侧壁上各设置有一组上引脚定位槽，所述下模前后侧壁上各设置有一组下引脚定位槽，所述芯片前后两侧的引脚卡接在上引脚定位槽与下引脚定位槽之间...

本实用新型公开了一种GaN基晶圆清洗装置，包括底板，所述底板上方转动安装有夹持座，所述夹持座与固定连接在底板上的电机驱动连接，所述夹持座上端面上设置有晶圆槽，所述晶圆槽中放置晶圆，所述晶圆槽中设置有一组定位柱，所述晶圆槽底部垫设有硅胶垫...

本发明公开了一种GAN芯片封装制作工艺，包括以下步骤:步骤1、选择合适大小的基框本体，在基框本体的内底端中部开设一组合适孔径的通口，在基框本体的左右端面固定穿设上导电连接体；步骤2、在通口的上下端分别设置导热板和散热罩；步骤3、在导热板...

本发明公开了一种芯片封装缺陷检测方法，包括如下步骤：S1、建立芯片封装缺陷模型；S2、采用工业照相机获取当前封装芯片的图像信息；S3、将S2得到的图像信息输入到芯片封装缺陷模型中，获得处理后的图像信息识别码；S4、芯片封装缺陷模型将S3...

本发明公开一种氮化镓肖特基势垒二极管，其为多层结构，从下到上依次包括衬底(1)、缓冲层(2)、i

本发明公开一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，包括由下至上依次设置的衬底(1)、缓冲层(2)、n

本发明公开一种垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制作方法，其包括n