本技术公开了一种半导体加工腔室，其包括：工作台，所述工作台的顶部固定连接有防护罩，所述防护罩的前侧壁上固定连接有观察窗，所述工作台的前侧壁上设置有放置门，所述放置门的前侧壁上固定连接有自锁合页，所述自锁合页的数量设置有两个。通过设置工作...

本发明公布了一种等离子刻蚀机刻蚀腔及等离子体刻蚀机，涉及半导体刻蚀技术领域。包括有工作台，所述工作台的上侧固接有支撑座，所述支撑座设置有第一滑动件，所述第一滑动件的内侧设置有刻蚀腔，所述刻蚀腔由竖向腔体和引导腔组成，所述引导腔为圆台形，...

本发明公开了一种均匀温控式干法刻蚀机，涉及半导体刻蚀技术领域。包括有工作台，所述工作台的上侧固接有镜像分布的固定架，镜像分布的所述固定架的上侧共同固接有连接架，所述连接架固接有固定罩，所述固定罩的内侧设置有等离子体制造模块，镜像分布的所...

本发明涉及喷涂技术领域，公开了一种电子元件加工喷涂设备，包括底板、夹持机构和喷涂机构；夹持机构，包括设置于底板中部两个侧边的侧板，两个所述侧板相对的一侧设置有托板，所述底板的两端设置有支撑柱，支撑柱的端部转动连接有旋转杆，底板上设置有驱...

本发明涉及除灰技术领域，尤其涉及一种电子元件除灰装置，包括固定框，所述固定框的上表面开设有安装口，且安装口中固定设置有驱动件

本实用新型公开了一种纳米薄膜成形机，其包括：底座、箱体和真空泵Ⅰ，所述箱体内顶部固定连接有升降杆，所述升降杆一端固定连接有正极板，所述正极板下方固定连接有真空吸盘，所述真空吸盘下方吸附有镀膜板，所述箱体内侧壁两边固定连接有离子源，所述箱...

本实用新型公开了一种纳米薄膜镀膜机，其包括：镀膜机主体，所述镀膜机主体的内部固定连接有隔板，所述镀膜机主体的下内壁固定连接有电动缸，所述电动缸的输出端固定连接有滑动架，所述滑动架的下内壁固定连接有置物架，所述置物架的上侧壁固定连接有配合...

本实用新型公开了一种化学气相沉积设备的晶圆承载装置，包括承载圆台，所述承载圆台的下方中部固定连接有固定支撑杆，所述固定支撑杆的外侧固定连接有固定托架，所述固定托架上固定连接有三个电动伸缩杆，所述电动伸缩杆的输出端固定连接有连接杆，所述承...

本发明提供一种等离子体增强化学气相沉积设备，涉及太阳能电池镀膜技术领域。该等离子体增强化学气相沉积设备，包括设备主体，所述设备主体的内部设置有沉积室，所述沉积室的顶部固定连接有第一电极板，所述沉积室的底部固定连接有第二电极板，所述第二电...

本实用新型公开了一种多腔体化学气相沉积设备，其中，包括：箱体、尾气处理系统和活性气体罐，所述箱体内顶部呈间隔固定连接有两隔板，两所述隔板内部均滑动连接有活动板，两所述活动板下端均穿过隔板下端延伸至外部，且与箱体内底部相互贴合，两所述隔板...

本发明提供一种化学气相淀积装置及其调节方法，涉及化学气相淀积领域。该基于化学气相淀积装置，包括底座和工作台，所述底座的上方固定连接有工作台，所述工作台的上方中部固定连接有淀积室，所述工作台的上方一端固定连接有第一原料室，所述工作台的上方...

本实用新型公开了一种纳米金刚膜抗压抗爆检测装置，包括操作平台、工作台和检测箱，所述操作平台顶端一侧中间位置处安装有工作台，所述工作台顶端中间位置处安装有检测箱，所述检测箱内部底端中间位置处安装有支撑座，所述支撑座顶端一侧中间位置处安装有...

本实用新型公开了一种双离子束共溅射纳米膜装置，包括箱体和真空泵，所述箱体靠近底端位置处安装有底板，所述箱体顶端中间位置处通过轴承安装有旋转轴，所述旋转轴底端位于箱体内部靠近顶端位置处安装有支撑座，所述支撑座底端中间位置处通过磁力座安装有...

本实用新型公开了一种基于新型SnO2薄膜探测装置，包括工作台和箱体，所述工作台顶端中间位置处安装有输送带，所述输送带外表面中间位置处安装有放置槽，所述工作台顶端位于输送带上端位置处安装有箱体，所述箱体内部顶端一侧中间位置处安装有高清摄像...

本实用新型公开了一种制备三角形二硫化钼薄膜的设备，包括工作台、石英管和过滤器，所述工作台顶端一侧中间位置处通过支撑座安装有石英管，所述工作台顶端背离石英管一侧中间位置处安装有过滤器，所述石英管一侧中间位置处通过输送管连接于过滤器一侧，所...

本实用新型公开了一种用于制备二硫化钼薄膜的分子束外延生长设备，包括工作台和箱体，所述工作台顶端中间位置处安装有箱体，所述箱体前表面一侧中间位置处安装有除尘管，所述除尘管内表面顶端中间位置处与底端中间位置处均安装有静电板，所述工作台靠近底...

本实用新型公开了一种离子束溅射沉积薄膜压力传感装置，包括喷射管道和外套，所述喷射管道外表面中间安装有滑槽，所述滑槽内表面中间位置处安装有外套，所述外套顶端中间位置处与低端中间位置处均设有装夹孔，两侧所述装夹孔内表面中间位置处通过密封环套...

本实用新型公开了一种基于脉冲气流生长二硫化钼薄膜的化学气相沉积装置，包括操作平台和沉积箱，所述操作平台顶端中间位置处安装有沉积箱，所述操作平台顶端一侧中间位置处安装有处理箱，所述处理箱顶端一侧中间位置处安装有排气管，所述沉积箱两侧中间位...

本实用新型公开了一种二硫化钼薄膜制备用层状材料立式碾磨设备，包括箱体、立磨座和磨台，所述箱体顶端中间位置处安装有进料斗，所述箱体前表面靠近顶端中间位置处安装有观察窗，所述箱体底端四个角位置处均安装有支撑柱，所述箱体前表面靠近底端中间位置...

本发明公开了一种利用离子束溅射沉积制备薄膜的方法，涉及离子束技术领域，包括以下步骤：步骤S1：准备，溅射壳准备；作业物件准备：靶台、金属靶材、氮离子源、衬底，工件台和挡板；步骤S2：预处理，物件清洗；衬底清洗；衬底表面处理；步骤S3：安...