本技术涉及半导体封装技术领域，具体说是一种双面散热的功率模块结构。它括上基板和下基板，上基板与下基板间呈平行并排布置。所述下基板的上表面上刻蚀有用于放置功率芯片的下金属区，上基板的下表面上有用于与功率芯片导电连接的上金属区。其特点是，所...

本发明涉及芯片封装技术领域，具体说是一种BOOST电路用低杂感及内绝缘IGBT单管结构。它的特点是包括基板和引脚，基板自上而上依次为铜层和陶瓷层。所述陶瓷层的上表面有电路布局层，电路布局层含有IGBT芯片和FRD芯片，IGBT芯片与FR...

本发明涉及半导体封装技术领域，具体说是一种插件封装SiC MOSFET半桥结构及制备方法。插件封装SiC MOSFET半桥结构包括基板和金属引脚，基板的上表面覆盖有电路布局层，电路布局层与所述金属引脚相连，其特点是，所述基板含有铜底板和...

本技术涉及半导体功率器件技术领域，具体说是智能功率模块用基板。它包括自绝缘陶瓷板和顶层导电板，顶层导电板上有三个相区，相区内均有上桥主回路、下桥主回路和驱动芯片。其特点是，相区内，上桥主回路倒扣在下桥主回路一侧，且两者的横部有间距，驱动...

本技术涉及功率器件技术领域，具体说是使IGBT不易因短路而损坏的一种IGBT短路保护电路。它包括驱动电路，该驱动电路含有检测端DESAT、驱动端OUT和接地端GND；所述驱动电路的检测端DESAT与IGBT的C极相连，用于对IGBT的C...

本发明的IGBT转移特性测试系统的特点是包括测试电路、采样单元和数据处理单元，测试电路含有驱动单元和电源单元。驱动单元用于与IGBT的栅极相连，产生驱动电压驱动IGBT导通。所述电源单元用于与IGBT的集电极和发射极适配连接，用于产生电...

本发明涉及一种光伏微型逆变器电路，属于电路结构技术领域。采用了该发明的光伏微型逆变器电路包括光伏组件输入模块、反激DC/DC模块、全桥DC/AC模块以及并网交流输出模块；还包括电压电流采样模块、控制系统模块和驱动输出模块。通过输出电流和...

本技术涉及IGBT测试领域，具体说是一种IGBT动态结温测试电路。它的特点是包括电源正接线端BUS+、电源负接线端BUS‑、低压电压探头VP、电流探头CP、驱动模块和被测的IGBT器件DUT。驱动模块通过控制单元与MOS管S1的栅极和I...

本发明涉及微型逆变器技术领域，特别涉及一种光伏微型逆变器散热结构及散热方法，包括壳体和固定安装在所述壳体内部的集成电路板，所述集成电路板上发热元件底部对应的所述壳体内设置有多个导热凸台，每个所述集成电路板上发热元件和对应设置的所述导热凸...

本发明涉及光伏发电技术领域，具体说是一种安全的光伏组件关断方法及光伏系统。该是先寻找故障的光伏组件、再对关断故障的光伏组件、再对其它光伏组件进行放电，直至其它光伏组件的电压均为零即可。这种关断方法可将没有故障的光伏组件中的电能释放，从而...

本发明涉及半导体应用技术领域，具体说是高精度的碳化硅模块温度保护方法及系统。该方法根据碳化硅模块的温度改变采样模式，当碳化硅模块处于低温时，采样电路为低温采样模式，当碳化硅模块处于高温时，采样电路为高温采样模式。本发明的高精度的碳化硅模...

本发明涉及半导体功率器件领域，具体说是一种可以抑制Snapback现象的RC‑IGBT结构。它包括第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面有元胞区。其特点是，所述半导体衬底背面的缓冲层上沿半导体衬底的横向均布有腐蚀沟槽，腐蚀沟槽呈等腰...

本发明涉及半导体功率器件领域，具体说是一种带有超结结构的屏蔽栅IGBT。它包括第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面设置有若干个元胞，所述元胞中至少有一个深沟槽，深沟槽内有屏蔽栅结构，深沟槽的两侧有离子注入区及接触孔。其特点是，所述...

本发明涉及半导体器件技术领域，具体说是一种电容可调的SGT IGBT结构及制备方法。它包括半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞。元胞中至少有一个深沟槽作为SGT IGBT的栅极，深沟槽两侧有离子注入区与第一接触孔结构。其...

本发明涉及绝缘栅双极型场效应晶体管技术领域，具体说是一种具有多有效栅的IGBT结构。它包括具有第一导电类型的半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞。元胞中依次平行布置有不少于两个条形的沟槽栅，相连两个沟槽栅间有发射极结构。...

本发明涉及集成电路领域，具体说是一种碳化硅MOS管体二极管通流老化测试装置。它的特点是包括恒流回路和调节单元，该恒流回路上串联有不少于两个SiC MOSFET体二极管通流老化单元，恒流回路用于为SiC MOSFET体二极管通流老化单元提...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种带空穴路径的非对称栅IGBT结构。它包括具有半导体基板，半导体基板的元胞区内的元胞含有沟槽。其特点是，沟槽内有第一多晶硅区，第一多晶硅区与沟槽的侧壁、底部和槽口间均生长有栅极氧化层，第一多晶硅区到沟...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种带JBS的RC

本发明涉及一种半导体功率器件，具体说是RC

本发明公开了一种基于数学拟合的SiC MOSFET模型的建立方法，根据SiC MOSFET的输出特性、体二极管正向导通特性、电容特性，将器件等效为压控电流源和压控电压源以及电容电阻配合的方式，对SiC MOSFET进行特性建模，根据其测...