本发明提供了一种导电型碳化硅晶片硅面和碳面的辨别方法，所述辨别方法通过对待辨别导电型碳化硅晶体进行处理形成主定位面，在形成待辨别导电型碳化硅晶片后，每个晶片都具有定位边和微观单元，所述微观单元为导电型碳化硅晶体生长所特有的结构；本发明相...

本发明公开一种碳化硅腐蚀装置，包括加热桶，支架和观测装置；加热桶用于盛装碱性腐蚀原料，上端开口；待观测晶片位于加热桶的开口上方处受碱性腐蚀原料的蒸汽腐蚀；支架用于放置待观测晶片，并能使待观测晶片在水平方向上移动以便选择观测区域对准观测装...

本发明公开的外延反应器包括石墨腔室和反应腔室，石墨腔室包括上半月和下半月，上半月和下半月均设置于反应腔室内，且上半月和下半月之间形成供工艺气流通过的气流通道，该外延反应器还包括测距装置，测距装置可测定上半月和下半月在反应腔室内部的位置，...

本发明公开的预热装置用于安装晶圆并对工艺气流进行预热，该预热装置包括多个预热部，任意相邻两个预热部连接，以形成用于安装晶圆的环形预热安装台阶，且晶圆的一端与预热安装台阶的台阶面贴合。本发明提供的预热装置为分体式结构，避免了卡片现象的发生...

本发明公开的托盘基座测速设备，包括外延反应腔室、托盘基座和测速装置。外延反应腔室的两端分别设置有进气端口和出气端口以及连通进气端口和出气端口，用于供反应气流动的气流通道；托盘基座转动设置于外延反应腔室内，气流通道流经托盘基座，托盘基座的...