本技术公开了一种碳基材料表面制备碳化钽涂层的装置，包括：炉体，炉体内限定形成反应室，反应室的侧壁沿周向安装有加热件一，反应室内可拆卸固定有反应坩埚，反应坩埚内侧壁从上到下间隔固定有多组载台支架，每组载台支架包括多个载台支架一，每组的多个...

本发明制备石墨基碳化钽涂层的装置及其控制方法，装置包括真空烧结炉和旋转系统，真空烧结炉内部空间构成反应室；旋转系统包括石墨盘、电机和连接部件，石墨盘设置在真空烧结炉的反应室内，石墨盘内侧壁上限定出N个用于容纳石墨基体的容纳空间，容纳空间...

本发明公开了一种制备平衡化学计量比的碳化钽粉的装置，包括：加热器，加热器沿周向设置于反应腔内的保温墙的内侧；反应坩埚，反应坩埚设置于反应腔底部中心处，反应坩埚的上端敞口设置，反应坩埚内填充有钽粉以及位于钽粉内的碳源，钽粉受压完成后，碳源...

本发明公开一种制备高质量碳化硅晶体的生长方法及设备，方法采用两个长晶阶段，第一长晶阶段采用提拉法对碳化硅籽晶进行长晶，将碳化硅籽晶浸润在碳化硅熔液中，消除籽晶中的微管缺陷位错；第二阶段采用气相法对消除微管缺陷后的碳化硅籽晶进行长晶。设备...

本实用新型公开了一种碳化硅晶体清洗装置，包括置料箱、清洗组件和限位组件，置料箱下部开设有排液口，排液口通过排液管路与废水池相连，排液管路上连接有出液阀；清洗组件连接于置料箱上；清洗组件包括一组导向件、过滤件和升降调节件，其中，导向件分别...

本实用新型公开了一种碳化硅粉的合成装置，该合成装置包括反应坩埚、反应组件和出料组件，所述反应坩埚限定出反应腔，所述反应坩埚的底部设有出料口；所述反应组件有多个，多个所述反应组件设于所述反应腔内，用于提供反应场所并将反应生成的碳化硅粉输送...

本实用新型公开了一种制备碳化钽粉的预处理装置，包括第一混料机构、装料机构和压实机构，所述第一混料机构包括第一机壳、第一机盖和第一搅拌机构，所述第一机壳限定出顶部敞开的第一容纳腔，所述第一机壳的底部设有第一出料阀；所述第一机盖设于所述第一...

本实用新型公开了一种可补充硅粉的坩埚组件及碳化硅晶体生长装置，坩埚组件包括：坩埚；套筒和伸缩杆，套筒设在坩埚内，伸缩杆在第一位置和第二位置之间可上下移动；多个第一连接杆，每个第一连接杆的一端与套筒的顶端可转动地相连，每个第一连接杆的另一...

本发明公开了一种用于解决生长初期籽晶重熔的装置及方法，该装置包括生长坩埚、冷却机构和测温组件，生长坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚盖能够上下移动地安装在坩埚本体的顶部，且坩埚盖上下移动过程中时刻与坩埚本体连接；坩埚盖的底部装有籽晶；冷却机...

本发明公开了一种碳化硅粉的合成装置及合成方法，该合成装置包括反应坩埚、反应组件和出料组件，所述反应坩埚限定出反应腔，所述反应坩埚的底部设有出料口；所述反应组件有多个，多个所述反应组件设于所述反应腔内，用于提供反应场所并将反应生成的碳化硅...

本发明公开了一种生产高质量碳化硅晶体的装置，包括：石墨发热体，石墨发热体设置于保温毡内，石墨发热体限定形成反应腔；外坩埚，外坩埚设置于容纳腔的下部；石墨载台，石墨载台包括连接筒和载板，连接筒的中部水平固定载板，石墨载台的下端与外坩埚密封...

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚本体；坩埚盖；连接机构；导流组件，导流组件设于导流通道内，导流组件包括第一转动轴和多个叶片组，第一转动轴的中心轴线在上下方向延伸，多个叶片组在第一转动轴的周向方向均匀间隔开排布，每个叶片...

本实用新型公开了一种碳化硅长晶热场，包括：坩埚，坩埚呈圆柱状，坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚盖粘贴有籽晶，坩埚本体的底部设有碳化硅粉；顶部石墨毡，顶部石墨毡设于坩埚的顶部，顶部石墨毡的中心轴线与籽晶的中心轴线在同一条直线上，顶部石墨毡包...

本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括：坩埚，坩埚的内顶壁设有籽晶；支撑杆和多个伸缩臂，支撑杆穿设于坩埚，支撑杆与籽晶的中心轴线在同一条直线上，多个伸缩臂绕支撑杆均匀间隔开排布，每个伸缩臂沿坩埚的径向方向水平设置，每个伸缩臂包括第...

本实用新型公开了一种长晶用高纯碳化硅合成粉的合成装置，装置包括：碳源坩埚，用于盛放碳源；硅源坩埚，用于盛放硅源，硅源坩埚与碳源坩埚并列设置；合成坩埚，合成坩埚内部限定形成密封的腔体，合成坩埚位于碳源坩埚和硅源坩埚的上方，碳源坩埚和硅源坩...

本发明公开了一种碳化硅粉及其制备工艺，制备工艺包括以下步骤：聚合反应：取碳前驱体均匀溶解于溶剂中，加入硅源，搅拌使硅源均匀分散在溶液中，得混合溶液，再向混合溶液中加入催化剂，在催化剂的作用下碳前驱体发生聚合反应得到有机聚合物，所述有机聚...

本发明公开了一种内部可视的碳化硅单晶生长装置，包括生长坩埚、镜面反射装置和透光反射装置，所述生长坩埚包括坩埚本体和坩埚盖，所述坩埚本体内限定出顶部敞开的原料腔，所述坩埚盖设于所述坩埚本体的顶部；所述镜面反射装置倾斜布置在所述坩埚本体的内...

本发明公开了一种制备多铁半导体用铪钛酸钡钙的方法，包括以下步骤：按照Ba、Ca、Ti、Hf的摩尔比称取乙酸钡、乙酸钙、四氯化铪、钛酸四丁酯原料，利用溶胶

本发明公开了一种长晶用高纯碳化硅合成粉的合成装置及合成方法，装置包括：碳源坩埚，用于盛放碳源；硅源坩埚，用于盛放硅源，硅源坩埚与碳源坩埚并列设置；合成坩埚，合成坩埚内部限定形成密封的腔体，合成坩埚位于碳源坩埚和硅源坩埚的上方，碳源坩埚和...

本实用新型公开了一种高纯碳化钽粉的制备装置，该制备装置包括：生长炉，生长炉安装在炉架内；反应坩埚，反应坩埚设置于生长炉的中心处，反应坩埚呈内部在上下方向贯穿的套筒状，反应坩埚的上、下两端分别设有托板，反应坩埚的侧壁沿周向均匀设有多组通孔...