本技术涉及吸气剂的技术领域，特别涉及一种新型柱状吸气剂；载体，载体上有涂覆气体吸附材料，对载体进行操作可激活气体吸附材料对气体的吸附；载体包括柱状的涂覆部、位于涂覆部轴向两端的安装部，柱状的涂覆部的侧表面展开图为非平面结构：涂覆部的侧表...

本申请涉及一种防抖动托盘治具，包括：托盘本体，所述托盘本体设置有承载面和安装面，所述承载面和所述安装面相对设置在所述托盘本体的正反两面；所述承载面用于承载待焊接物料，所述安装面可被放置在输送机构上，并在输送机构上移动，所述安装面设置有缓...

本技术涉及吸气剂激活技术领域，具体涉及一种电激活的吸气剂结构，包括承载有吸气剂膜层的基板，所述基板设置为立体结构，且在所述基板上设置有若干由表面向内凹陷的镀膜腔；所述吸气剂膜层包括分布于所述基板外表面上的外覆镀层，以及覆盖于所述基板内部...

本技术涉及红外探测器技术领域，具体涉及一种红外探测器的免焊连接式管壳封装结构，包括内置有空腔的管壳壳体，在所述空腔内安装有基座，所述基座成对设置并凸出所述空腔内部衬底表面；所述基座卡接连接吸气剂基片并具备和吸气剂基片上的连接部对应连接的...

本技术公开了一种电子元器件封焊治具，包括第一磁吸底座和设置在第一磁吸底座上方的压板和第一上盖限位盖板，本技术在使用时，通过在第一磁吸底座上开设有定位槽，从而可将产品放入进定位槽的内腔中，并对其进行磁吸固定，且通过拉动把手按压第一上盖限位...

本技术公开了一种吸气剂片焊接的定位结构，包括半导体外壳和凸台，所述半导体外壳的内部中间位置开设有芯片槽，所述凸台对称设置在芯片槽的侧面，所述凸台的上方焊接有吸气剂片，所述吸气剂片的两端均设置有定位机构。本技术使用时，在凸台侧面设置定位机...

本技术公开了一种陶瓷管壳，包括管壳主体，管壳主体的内部设置有吸气剂片，吸气剂片的顶端设置有固定机构，固定机构包括金属盖板和固定凸块，金属盖板设置于管壳主体的顶端，固定凸块设有多个，多个固定凸块均固定连接于金属盖板的底端，吸气剂片焊接于多...

本技术公开了一种半导体集成式封装结构，属于半导体封装技术领域，该结构包括封装总成，所述的封装总成包括管壳，所述的管壳的内部设置有多个安装槽，每个安装槽的内部安装有芯片，通过管壳内侧底部设置的多个安装槽能够在一个管壳的内部封装多个芯片，并...

本发明涉及半导体技术领域，且公开了一种半导体封装检测系统，包括运输上料装置，所述运输上料装置通过动力传递装置驱动旋转装置使半导体封装原料倒置，在所述半导体封装原料旋转倒置的过程中，通过振动装置使所述半导体封装原料晃动，所述半导体封装原料...

本技术公开了一种半导体盖板缝焊焊接结构，属于半导体盖板缝焊接技术领域，该结构包括陶瓷管壳，所述的陶瓷管壳的上端设置有金属环，金属环的上端设置有凹槽，凹槽的上端放置有盖板，所述的盖板的底部固定连接有凸筋，凸筋插在凹槽的内部，通过盖板底部设...

本发明涉及红外探热成像探测器封装技术领域，且公开了一种红外探热成像探测器封装机构及其方法，包括探测器本体、安装壳体和对接壳体，探测器本体固定安装在对接壳体内部，安装壳体与对接壳体对接卡合，其特征在于：安装壳体侧壁设置有用于控制安装壳体与...

本发明涉及电子封装技术领域，且公开了一种陶瓷管壳清理装置，包括操作台，所述操作台上固定连接有用于限制封装管壳体滑动范围的限制轨道，所述限制轨道的一侧安装有用于防止封装管壳体被推动过程中翘起的长杆，所述操作台上设有用于盛装封装管壳体的上料...

本发明涉及新型TO封装技术领域，且公开了一种新型TO封装结构，包括保护壳体，保护壳体上侧通过螺纹安装有保护盖体，保护盖体的顶部中间嵌套有光学件，保护壳体内部安装有TO底座，TO底座上侧安装有薄膜型热电致冷器、硅热沉块、半导体激光器、热敏...

本技术公开了一种晶片级封装结构，属于晶圆级晶片技术领域，该装置包括上晶圆和下晶圆，所述的上晶圆和下晶圆之间设置有定位装置，在进行封装时将插头和插口定位插接后将上晶圆和下晶圆之间贴紧，贴紧后融化焊料使上晶圆和下晶圆之间进行封装，通过插头和...

本技术公开了一种钎焊料红外陶瓷封装结构，包括管壳，所述管壳的顶部开设有放置腔，本技术通过安装有焊料片，通过将焊料片设计成异形结构，其结构包含米字状，叉子状，及十字状多种异形态，目的是为了在规则焊料片的形态上预留空位，使其焊料片在与芯片共...

本实用新型涉及薄膜吸气剂片技术领域，特别涉及一种长度可调的薄膜吸气剂片；长度可调的薄膜吸气剂片包括两个薄膜吸气剂片单元，两个薄膜吸气剂片单元之间伸缩卡接；每个薄膜吸气剂片单元包括金属基板，以及附着在金属基板上的薄膜吸气剂；每个所述薄膜吸...

本实用新型涉及一种镀膜吸气结构及真空封装结构、MEMS器件，包括衬底，所述衬底上具有凸起模块，所述凸起模块包括多个大小不一且依次环套的环形凸起，所述环形凸起表面及未设有环形凸起的所述衬底表面上均覆盖有吸气剂层。本实用新型极大的增大了吸气...

本实用新型涉及TO封装技术领域，特别涉及一种TO封装用管座与管帽固定结构；包括管座和管帽，管座和管帽之间通过铆接工艺固定；管座包括其外周的周边部、其中部凸起形成的凸起安装部，管帽包括与周边部盖合的帽檐、容纳凸起安装部的帽体；凸起安装部的...

本实用新型涉及TO封装技术领域，特别涉及一种新型TO封装用管帽及应用该管帽的TO封装结构；本实用新型提供了一种新型TO封装用管帽，管帽包括帽盖、帽体，帽盖与帽体之间螺纹连接，帽盖的顶部中间嵌套有光学件；本实用新型还提供了一种TO封装结构...

本发明属于芯片加工技术领域，公开了一种集成芯片的加工制备工艺，包括，S1：获取Wafer，将Wafer作为衬底；S2：确定蚀刻区域，将不同封装体放置于Wafer衬底上，描绘蚀刻区域；S3：进行蚀刻，将获描绘后蚀刻区域，在Wafer上进行...