本技术提供了一种具有张紧功能的卷毡装置，所述卷毡装置包括相互独立的卷绕单元和张紧单元；所述卷绕单元包括支架和架设于所述支架上的卷筒；所述卷筒的侧壁设置有至少1个定向压板；所述张紧单元包括2个平行设置的滚轴；所述滚轴的中心线与卷筒的中心线...

本发明提供了一种碳化硅生长过程的控制方法、碳化硅与装置，所述控制方法包括：采用统一的生长配方来控制碳化硅的生长过程；所述生长配方包括碳化硅的生长过程中所有的控制步骤，及所述控制步骤中所有的控制参数。本发明提供的控制方法通过将碳化硅生长过...

本发明提供了一种热场结构、碳化硅生长装置和碳化硅的生长方法，所述热场结构包括侧保温部件、顶部保温部件、底部保温部件和感应加热线圈；所述侧保温部件包括由内至外依次嵌套的内保温层和外保温层，内保温层和外保温层均为两端开口的中空筒状结构，内保...

本发明提供了一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法包括控制晶锭生长质量影响因素的一致性；所述晶锭生长质量影响因素包括红外测温仪、石墨体、测温距离、感应线圈匝间距、炉腔压力、生长系统圆周温度、长晶过程中加热温度、水冷系统中冷...

本发明提供了一种碳化硅晶体的生长方法和碳化硅晶体，所述生长方法包括：

本发明提供一种碳化硅及其退火装置和退火方法，所述退火装置包括用于给碳化硅施加压力的加重部、用于承载碳化硅的装载部和换气部；所述装载部的上部设有第一开孔，所述加重部通过所述第一开孔伸入所述装载部的内部与碳化硅接触，并对所述碳化硅施加压力；...

本发明提供了籽晶处理方法及碳化硅晶体的生长方法，所述籽晶处理方法包括以下步骤：(1)向籽晶所在的容器通入刻蚀气体，进行退火刻蚀；(2)采用第一粘结剂将所述籽晶的粘接面和第一粘接板进行粘接，碳化，然后在所述粘接板的背面涂覆第二粘结剂，并与...

本发明提供了一种粉料清洗的装置、粉料清洗方法与应用，所述装置包括壳体，壳体内为流动清洗腔，沿壳体的顶部到底部的方向，流动清洗腔内设置有至少一层镂空支撑板，每层镂空支撑板上设置有至少一个物料容纳器，物料容纳器的底部和/或侧面上设置有至少一...

本发明提供了一种无金属污染的碳化硅合成料块破碎装置，所述碳化硅合成料块破碎装置中压板的顶部电性连接有驱动电机，驱动电机用于驱动压板和刮件移动，压板的底部边缘和筛网板的边缘通过导向轴活动连接；筛网板朝向压板的一侧中部设置有承压台和刮件，刮...

本发明提供一种碳化硅及其生长装置和生长方法，所述生长装置包括：容器本体；保温层，设置于所述容器本体的内部，所述保温层的顶部设置有一开口，所述开口能容纳测温装置；坩埚，设置于所述保温层的内部，所述坩埚的底部设置有凸设于所述坩埚内部的腔室，...

本发明提供了一种碳化硅粉料的自动装料装置及装料方法，所述自动装料装置中进料机构的顶部设置有进料口，底部设置有第一出料口，第一出料口连接至称重机构的一端，称重机构的另一端设置有第二出料口，称重机构包括设置于第一出料口底部的称重传感器；传动...

本发明提供了一种碳化硅粉料的制备方法与碳化硅粉料，所述制备方法包括：硅粉与碳粉的混合粉料、碳化硅粉及粘结剂溶液混合后，通过喷雾造粒得到原料微球，所得原料微球进行热处理，得到碳化硅粉料；所述混合粉料的D50粒径为100～5000nm，所述...

本发明提供了一种碳化硅粉料的装料方法、碳化硅晶体及其制备方法和应用，所述装料方法包括以下步骤：将球粒状碳化硅细粉、针柱状碳化硅粗粉和片状碳化硅粉料置于装料装置中，完成装料。本发明改变装料方式，采用球粒状碳化硅细粉、针柱状碳化硅粗粉和片状...

本发明提供了一种降低碳化硅多线切割头尾部晶片翘曲度的方法及晶片，所述方法包括以下步骤：(1)采用固定板将待切割碳化硅晶体的头尾部进行固定夹持；(2)将切割线均匀绕置于多线切割机上，并在绕线过程中进行跳线操作，以避开固定板的位置；(3)启...

本发明提供了一种多坩埚系统的碳化硅粉料合成装置及其应用，所述碳化硅粉料合成装置包括至少2组感应线圈和至少2个坩埚；所述感应线圈的内部设置有至少1个坩埚；所述坩埚的底部设置有填充层和支撑板；所述坩埚的外部依次设置有同轴心的外筒和侧保温层。...

本发明提供一种P型碳化硅晶体及其生长方法和生长装置，所述生长方法包括：将铝源层和碳化硅粉层交替置于反应腔室中，进行反应，得到所述P型碳化硅晶体；其中，所述铝源层为至少一层。本发明通过将铝源层和碳化硅粉层交替设置，确保了整个P型碳化硅晶体...

本发明提供了一种低电阻N型碳化硅晶体及其制备方法。所述制备方法包括：在反应腔体内填入反应粉料并安装碳化硅籽晶，然后将反应腔体放入晶体生长装置内，反应后得到所述低电阻N型碳化硅晶体；所述反应粉料包括至少两层碳化硅粉层，且每两层碳化硅粉层之...

本发明提供一种调整晶圆角度的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：将所述晶圆固定于具有万向组件的载台上，调整所述载台角度，在恒温冷却条件下进行研磨处理。所述加工方法可以将偏角度过大的晶圆二次加工，重复利用，加工后的晶圆的偏角度达到要求，加...

本发明提供一种晶圆厚薄片，所述加工方法包括以下步骤：将所述晶圆粘结与承载盘上；将所述承载盘放置于冷却装置表面，使用压盘装置对所述晶圆进行压制处理，所述压盘装置包括压盘以及与所述压盘连接的调心滚子轴承压头；对压制处理后的所述晶圆进行研磨处...

本发明提供了一种碳化硅单晶的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)SiC粉料一次加热升华，进行沉积生长；(2)步骤(1)沉积生长所得SiC多晶取下与剩余的SiC粉料混合，进行二次加热升华，得到所述碳化硅单晶，所述SiC多晶与剩余的S...