本发明提供一种改性半导体晶片及其改性方法和应用。所述改性方法包括以下步骤：将碱性物质、助熔剂和金属氧化物混合，然后进行热处理，得到熔融态的刻蚀剂；将半导体晶片置于所述熔融态的刻蚀剂上方进行预热，然后浸渍到熔融态的刻蚀剂中静置，得到刻蚀后...

本发明提供了碳化硅晶片的复合清洗剂、清洗方法与清洗后碳化硅晶片，所述复合清洗剂由第一改性清洗剂、第二改性清洗剂与表面活性剂组成；所述第一改性清洗剂由双端羟基聚硅氧烷、多胺化合物与酸催化剂在第一溶剂中进行缩合反应得到；所述第二改性清洗剂由...

本发明提供了一种缩颈式的坩埚结构及长晶工艺，所述坩埚结构包括下坩埚和上坩埚，所述上坩埚螺纹连接在所述下坩埚的顶部，形成反应腔体；所述上坩埚远离所述下坩埚的一端为缩颈开口结构，所述缩颈开口结构的外侧周向设置有保温层。本发明通过对分段式坩埚...

本发明提供一种碳化硅晶体及其生长方法，属于半导体技术领域。所述生长方法包括以下步骤：将碳化硅原料装入坩埚底部，碳化硅籽晶固定于坩埚盖上，坩埚转入单晶生长炉，对单晶生长炉抽真空后充入惰性气体，同时对生长腔室进行升压升温，压强升至第一压强，...

本发明提供一种减少晶体中碳包裹物的装置系统及方法，所述装置系统包括坩埚、过滤层组与中空导流层，所述过滤层组包括纵向过滤层和横向过滤层。所述方法包括：(1)将碳化硅原料装填于坩埚的底部后加热，碳化硅原料升华为气体；(2)气体上升至过滤层组...

本发明涉及一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统及切割方法，其中一种基于3D缺陷检测的碳化硅晶体切割系统包括，X射线断层CT扫描设备，获取晶体内部的结构和缺陷信息；碳化硅晶体固定设备，用于固定碳化硅晶体；3D数据处理模块，与X射线断层...

本发明提供一种碳化硅籽晶的粘结方法、碳化硅单晶及其制备方法和应用，所述粘结方法首先提供含粘结剂、硅烷偶联剂和溶剂的胶液，然后将胶液涂覆在石墨纸和碳化硅籽晶的粘结面后将二者一次性同心居中按压粘合，而后采用碳化硅晶锭作为压块进行第一次热压，...

本发明涉及一种大尺寸晶圆横向运输装置及方法，包括：减震柜体，所述减震柜体包括减震上盖和减震座，所述减震上盖的顶端安设着减震座；储存盒体，所述储存盒体位于减震柜体的里侧，所述储存盒体包括储存顶盖、储存底座、储存单元及限位挡柱，所述储存底座...

本发明属于材料制备技术领域。本发明提供了一种多孔碳化钽陶瓷及其制备方法与应用，所述的制备方法包括将钽粉和/或碳化钽粉与钽盐及有机配体源在液相体系混合后通过快速降温形成固体，将所得固体进行抽真空烧结后再进行碳化，得到多孔碳化钽陶瓷。所述制...

本发明提供一种碳化硅晶体的生长方法及生长装置，属于碳化硅晶体生长领域。碳化硅晶体生长装置包括长晶炉体，长晶炉体内设置有单侧开口的石英管，石英管的开口端部密封安装有密封件；石英管的生长腔室内设置有坩埚组件，坩埚组件具有第一腔室和第二腔室，...

本发明提供了一种碳化硅生产废料制备碳化硅陶瓷的方法及碳化硅陶瓷，所述方法包括：(1)对碳化硅生产废料进行前处理，得到碳化硅粉料；(2)混合苯乙烯磺酸钠、亚硫酸氢钠、丙烯酸单体、烯丙基聚醚、过硫酸盐与第一溶剂，得到改性剂；(3)以步骤(2...

本发明提供一种基于碳化硅衬底与聚合物界面的激光标记方法，利用碳化硅衬底与聚合物薄膜之间的接触界面处发生光热转换来实现激光诱导图案化。本发明提供的方法无需化学刻蚀和物理掺杂，仅需碳化硅衬底即可实现聚合物薄膜表面的激光标记，克服了大部分聚合...

本发明提供一种碳化硅晶体的生长坩埚、生长装置及生长方法，属于碳化硅晶体生长领域。所述生长坩埚包括下坩埚、上坩埚、坩埚盖和石墨环；所述下坩埚套设在所述上坩埚的内围，用于放置碳化硅原料；所述下坩埚和上坩埚之间留有间隔，用于所述上坩埚的轴向滑...

本发明提供一种碳化硅晶锭的偏心滚圆工艺，包括滚圆工装、固定垫、顶块、顶杆和激光器，滚圆工装用于定位晶锭，滚圆工装靠近晶锭的一侧设置有抛光布；固定垫设置在晶锭的另一侧并与晶锭的C面紧密接触，固定垫的中心处开设有第一通孔；顶块和顶杆用于抵住...

本技术提供了一种具有张紧功能的卷毡装置，所述卷毡装置包括相互独立的卷绕单元和张紧单元；所述卷绕单元包括支架和架设于所述支架上的卷筒；所述卷筒的侧壁设置有至少1个定向压板；所述张紧单元包括2个平行设置的滚轴；所述滚轴的中心线与卷筒的中心线...

本发明提供了一种碳化硅生长过程的控制方法、碳化硅与装置，所述控制方法包括：采用统一的生长配方来控制碳化硅的生长过程；所述生长配方包括碳化硅的生长过程中所有的控制步骤，及所述控制步骤中所有的控制参数。本发明提供的控制方法通过将碳化硅生长过...

本发明提供了一种热场结构、碳化硅生长装置和碳化硅的生长方法，所述热场结构包括侧保温部件、顶部保温部件、底部保温部件和感应加热线圈；所述侧保温部件包括由内至外依次嵌套的内保温层和外保温层，内保温层和外保温层均为两端开口的中空筒状结构，内保...

本发明提供了一种碳化硅晶锭生长质量一致性的控制方法，所述控制方法包括控制晶锭生长质量影响因素的一致性；所述晶锭生长质量影响因素包括红外测温仪、石墨体、测温距离、感应线圈匝间距、炉腔压力、生长系统圆周温度、长晶过程中加热温度、水冷系统中冷...

本发明提供了一种碳化硅晶体的生长方法和碳化硅晶体，所述生长方法包括：

本发明提供一种碳化硅及其退火装置和退火方法，所述退火装置包括用于给碳化硅施加压力的加重部、用于承载碳化硅的装载部和换气部；所述装载部的上部设有第一开孔，所述加重部通过所述第一开孔伸入所述装载部的内部与碳化硅接触，并对所述碳化硅施加压力；...