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江苏艾森半导体材料股份有限公司专利技术
江苏艾森半导体材料股份有限公司共有76项专利
一种厚膜负性光刻胶及其制备方法和应用技术
本发明提供一种厚膜负性光刻胶及其制备方法和应用。所述厚膜负性光刻胶包括如下质量百分含量的组分:丙烯酸树脂30‑45份、交联剂10‑20份、引发剂5‑15份、溶剂40‑50份;厚膜负性光刻胶还包括流平剂和消泡剂;厚膜负性光刻胶中流平剂的质...
一种感光性组合物及其应用制造技术
本发明提供了一种感光性组合物及其应用,所述感光性组合物包括接枝聚合物、光致产酸剂、交联剂、乙烯基醚类化合物;所述接枝聚合物的结构如式1所示。本发明提供的感光性组合物具有优异的灵敏度、分辨率和能够有效地复制精细的图案,且低温固化后翘曲应力...
负性感光树脂组合物、制备方法及光刻产品技术
本发明公开了一种负性感光树脂组合物、制备方法及光刻产品,其中组合物,至少包括下述成分(a)、(b)和(c):成分(a)为:具有碱溶性的树脂聚合物;成分(b)为:可光诱导的自由基聚合反应引发剂;成分(c)为:含有一个或一个以上可聚合官能团...
感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法、固化物和电子部件技术
本发明涉及感光性介电材料技术领域,具体而言,涉及感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法、固化物和电子部件。感光性聚酰亚胺组合物包括成分(a)可溶于碱性水溶液的接枝聚合物,其选自下述结构式所示的化合物:其中,Ar1选自4价有机基团,Ar2选...
感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法、结构、部件及设备技术
本发明公开了感光性聚酰亚胺组合物、图形的制造方法、结构、部件及设备,其中组合物其原料包括如下组成,以重量份数计:嵌段聚合物100份,其可溶于碱性水溶液;热交联剂5‑30份,选自含有环氧基的交联剂、含有CH2OR的交联剂;光产酸剂0.5‑...
感光性组合物、图形的制备方法、固化物和电子部件技术
本发明涉及感光性介电材料技术领域,具体而言,涉及感光性组合物、图形的制备方法、固化物和电子部件。感光性组合物包括成分(a)接枝聚合物,其选自下述结构式所示化合物:其中,Ar<subgt;1</subgt;选自4价有机基团,A...
光伏用电镀锡溶液制造技术
本发明公开了一种光伏用电镀锡溶液,其原料组成包括,金属锡盐15‑65g/L;缓冲剂0.3‑5g/L;络合剂100‑350g/L;润湿剂1‑3g/L;抗氧化剂0.1‑1.5g/L;以及溶剂水。本发明可以在光伏电池片上形成一层均匀、附着性良...
显影液、制备方法及应用技术
本发明公开了显影液、制备方法及应用,其中显影液原料组成包括,wt%:0.5%四甲基氢氧化铵;1%‑10%缓蚀剂;1%‑10%稳定剂;余量为水。本发明的显影液中四甲基氢氧化铵的含量仅为0.5%,对铝的腐蚀速率<50A/min,且显影液的使...
一种化学放大型光刻胶及其制备方法、使用方法和应用技术
本发明提供一种化学放大型光刻胶及其制备方法、使用方法和应用,所述化学放大型光刻胶包括含保护基团的聚对羟基苯乙烯树脂、光产酸剂、碱性淬灭剂和含巯基的氮杂环添加剂;通过引入含巯基的氮杂环添加剂,使所述化学放大型光刻胶曝光后加热时质子酸能扩散...
锡银电镀液制造技术
本发明公开了一种锡银电镀液,包括,以每升电镀液计:酸150g;锡盐55‑85g;银盐0.5‑0.7g;络合剂80‑120g;聚亚烷基氨基聚合物HL480 6‑10g;添加剂6‑10g;余量为水。本发明方案通过优化镀液中成分及其组合,尤其...
一种半导体被动元件封装用油墨及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种半导体被动元件封装用油墨及其制备方法和应用,所述半导体被动元件封装用油墨以重量份数计包括第一环氧树脂20‑35份、第二环氧树脂5‑10份、固化剂5‑10份、固化促进剂0.1‑5份、填料25‑50份。本发明提供的半导体被动...
单组分半导体被动元件用油墨、方法、封装结构及装置制造方法及图纸
本发明公开了单组分半导体被动元件用油墨、方法、封装结构及装置,其中油墨其原料组成包括,以重量份数计:20~40份的改性脂环族环氧树脂、15~35份的脂环族环氧树脂、20~50份的填料、1~10份的助剂、1~10份的溶剂以及1‑10份的固...
一种封装用油墨及其制备方法和应用、器件及设备技术
本发明提供一种封装用油墨及其制备方法和应用、器件及设备。所述封装用油墨的制备原料按重量份数计包括以下组分:第一环氧树脂20~35份、第二环氧树脂1~10份、固化剂3~7份、固化促进剂0.15~7份、填料10~35份;其中,所述第一环氧树...
不伤铜的铝蚀刻液制造技术
本发明公开了不伤铜的铝蚀刻液,其原料的投料组成包括,wt%:50%‑65%磷酸;5%‑10%醋酸;1%‑6%间硝基苯磺酸钠;1%‑10%缓蚀剂;1%‑5%表面活性剂;余量为水。本发明方案组成简单,通过优化蚀刻液的组成,消除传统配方中的强...
一种IBC电池单晶硅及其碱抛光刻蚀添加剂、刻蚀液与刻蚀方法技术
本发明公开了一种IBC电池单晶硅及其碱抛光刻蚀添加剂、刻蚀液与刻蚀方法,属于单晶硅刻蚀技术领域。上述添加剂的原料包括0.5‑2%的水杨酸、0.1‑0.3%的2‑膦酸丁烷‑1,2,4‑三羧酸、0.1‑0.3%的葡萄糖内酯、0.1‑0.2%...
可低温固化的聚酰亚胺树脂、光刻胶组合物及其制备方法技术
本发明涉及感光高分子材料技术领域,具体而言,涉及可低温固化的聚酰亚胺树脂、光刻胶组合物及其制备方法。聚酰亚胺树脂的结构式如下所示:D‑A‑B‑A‑C‑A‑D,其中,A表示二酐单体,B表示结构上具有2个氨基和至少一个酚羟基的二胺单体,A与...
IBC电池单晶硅制绒添加剂和腐蚀液、及制备方法和应用技术
本发明公开了IBC电池单晶硅制绒添加剂和腐蚀液、及制备方法和应用,涉及光伏技术领域。利用海藻酸钠、乙二胺四乙酸二钠盐、硫酸钠、2,4‑二羟基苯甲酸钠、阿拉伯胶、次氮基三乙酸钠和水形成新型制绒添加剂,添加剂在加入到碱腐蚀反应液后能够使制绒...
一种负性光刻胶及其制备方法和应用技术
本发明提供一种负性光刻胶及其制备方法和应用,所述负性光刻胶的制备原料包括特定份数的丙烯酸树脂、光引发剂、交联剂和光吸收剂,且所述丙烯酸树脂的制备原料包括苯乙烯、聚丁二烯、丙烯酸异冰片酯、马来酸二丁酯和甲基丙烯酸缩水甘油酯;通过采用上述特...
一种干膜去除液及其制备方法和应用技术
本发明提供了一种干膜去除液及其制备方法和应用,所述干膜去除液以重量份数计包括有机溶剂35‑60份、磺酸类基料15‑25份、有机碱5‑15份和缓蚀剂0.1‑3份。本发明提供的干膜去除液能够以溶解形式而非裂解形式有效去除干膜,没有干膜碎屑污...
硅基改性的丙烯酸酯类化合物和用于封装有机发光二极管的组合物制造技术
本发明涉及有机发光器件技术领域,具体而言,涉及硅基改性的丙烯酸酯类化合物和用于封装有机发光二极管的组合物。硅基改性的丙烯酸酯类化合物,其选自下述结构式所示的化合物该硅基改性的丙烯酸类化合物含有特殊环状结构的树脂,与丙烯酸单体组合,固化后...
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