本发明公开了一种内置MCU的低压检测电路，包括阈值设定单元(1)、电压采集单元(2)、与所述阈值设定单元(1)的输出和电压采集单元(2)的输出分别连接的比较单元(3)，利用阈值设定单元(1)来接入模式信号，根据检测模式来选择固定参考电压...

一种数字鉴相器以及数字延迟锁相环，数字鉴相器对输入、输出时钟相互采样，产生两个初始相位关系信号；然后对两个初始相位关系信号独立进行计数，并在计数时间持续了多个计数周期时比较两个计数结果，产生两个相位关系标志信号；再对两个相位关系标志信号...

一种电池管理系统的充电管快速关断电路，充电管的栅极和源极之间连接基于所述电池管理系统的功耗要求而设定的大于预设阻值的电阻，所述充电管快速关断电路包括：控制电路，用于在关闭所述充电管时同步打开所述下拉放电电路，以及在检测到所述放电检测电路...

本技术公开了一种单个ADC获取同时刻多通道电压值的电路，属于ADC技术领域，所述电路集成于MCU内部，包括：多个采样保持电路、多路选择电路、ADC电路、逻辑控制电路。一路模拟信号直接连接多路选择电路，其余模拟信号各经过一个采样保持电路后...

本技术公开了一种集成在MCU中的ADC通道防串通切换控制电路，所述电路包括GPIO电路、ADC电路、通道接口控制电路，每个通道都有一个GPIO引脚导通开关和一个通道切换开关，电路工作时，通道接口控制电路开启第一通道的引脚导通开关，隔一段...

本技术公开了一种非易失存储器及其存储单元擦写电压电路，包括恒流源、基础电压电路、击穿电路以及多个小电压叠加电路，在需要擦写存储单元时，目标电压并非直接上升到最大值，而是先利用击穿电路使得目标电压首先达到击穿值使得隧道区被击穿，电子向浮栅...

本技术公开了一种MCU及其ESD防护结构，包括：IO独用ESD结构(101)，与MCU的单个IO口唯一对应，并位于对应的IO口的外部引脚/焊盘(PAD)和内部驱动电路(102)之间，用于基于二极管将外部引脚/焊盘(PAD)的ESD静电正...

本技术公开了一种防止ESD影响MOS管性能的MOS管防护电路以及IC芯片，所述IC芯片包括目标IO端口，所述目标IO端口与ESD防护电路(1)连接，所述目标IO端口对内连接所述IC芯片内的内部MOS管的栅极，所述MOS管防护电路包括：分...

本实用新型公开了一种IO端口ESD保护结构的漏电保护电路以及IC芯片，本实用新型在所述IO端口ESD保护结构和内部模拟电路之间设置漏电保护结构，其包括连接在所述IO端口和地之间的第一漏电抵消电路、以及连接在所述IO端口和电源之间的第二漏...

本发明公开了一种用于

本发明公开了一种

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一种微控制器及其上电初始化方法，本发明在配置存储区域预先存储了每一个配置参数的原码所对应的校验码，上电复位后，利用默认的读电路的参数值从第一个配置参数开始按照存储顺序从配置存储区域读取参数的原码和校验码进行校验，在出现校验错误时，调整读...

本实用新型公开了一种内置MCU的低压检测电路，包括阈值设定单元(1)、电压采集单元(2)、与所述阈值设定单元(1)的输出和电压采集单元(2)的输出分别连接的比较单元(3)，利用阈值设定单元(1)来接入模式信号，根据检测模式来选择固定参考...

本发明公开了一种达林顿管驱动电路、方法以及开关电源管理芯片，驱动电路用于驱动所述达林顿管交替工作于导通周期和关断周期，驱动电路包括：第一驱动源，与前级管的控制端连接，用于给所述前级管提供驱动电流；第二驱动源，与后级管的控制端连接，用于给...

本发明公开了一种电源驱动电路、芯片以及方法，本发明每个导通周期都会考虑是否需要兼顾充电需求，如果当前的导通周期需要充电则在当前的导通周期内驱动管完全导通后会关断电流采样开关管、导通充电开关管，利用本周期前期流过驱动管的小电流来充电，在本...

本发明公开了自供电电源驱动电路及芯片，本发明在导通周期的预关断阶段通过关断所述电流采样开关管并导通所述充电开关管，将流过驱动管的电流引出到储能电路进行充电，充电的时机选择的是导通周期的预关断阶段内，这样不会影响达驱动管本身的正常开关周期...

本实用新型公开了一种电容检测电路，包括充电单元、储能电容C

本发明公开了一种上电软启动电路，包括：基准值产生电路，用于在上电启动过程中输出缓慢增长的基准值；保护阈值产生电路，用于在上电启动过程中输出缓慢增长的保护阈值，如此本发明可实现更为平顺的电流输出，极大的改善了输出电流浪涌的风险，保障输出电...

本实用新型公开了一种自适应晶振起振电路，包括基准电流电路(101)、电流镜电路(102)、开关序列(103)以及晶振电路(104)；所述电流镜电路(102)包括多个输出电流支路，所述开关序列(103)设置在所述电流镜电路(102)中，用...