本技术公开了一种MOS异常检测电路以及电池管理系统，包括电流采样电路(1)、电压采样电路(2)、电流比较电路(3)、电压比较电路(4)，本技术通过镜像方式采样MOS管栅极的输入电流，在采样的电流超出基准电流时输出异常检测信号；同时，还采...

本发明公开了一种电流均衡双相COT BUCK电路以及电流均衡方法，电路包括两个BUCK电路（4）、电流均衡电路（6）；两个BUCK电路（4）的输出端共接在一起并输出所需的输出电压，且两个BUCK电路（4）交替导通，每一次导通维持一段导通...

本发明公开了一种MCU内核功能验证方法，属于芯片验证技术领域，该方法对待测试的MCU内核遗产指令集列表中的每条指令编写测试用例，将测试用例编译生成十六进制代码，存储到Prom模块中，Prom模块在预设的时间按顺序依次读取十六进制指令，传...

本发明公开了一种MCU验证方法和系统。该方法包括监测MCU总线，在监测到MCU有对待验证模块的寄存器的写操作时，产生与所述待验证模块的测试用例相关的随机数据；将所述随机数据写入存储模块；MCU在执行所述测试用例时，读取存储在所述存储模块...

本发明公开了一种AC‑DC电源开关电路及芯片，应用于SSR拓扑电路中，用于实现BCM模式下最大载电流、最大功率不随输入电压变化，所述AC‑DC电源开关电路包括计时补差电路(101)，用于在每个开关周期中，当所述AC‑DC电源开关电路的原...

本发明公开了一种改进型自供电电源驱动电路及芯片，本发明在导通周期的预关断阶段通过关断所述电流采样开关管并导通所述充电开关管，将流过驱动管的电流引出到储能电路进行充电，充电的时机选择的是导通周期的预关断阶段内，不会影响达驱动管本身的正常开...

本发明公开了一种低漏电的开关电容型SAR ADC电路，涉及集成电路设计领域，本发明通过在比较器正向输入端增加电容的方式，增大了转换时比较器正向输入端的最小电压，同时通过在共模信号与地之间增加分压开关电路，提高转换时的共模电压，使得共模开...

本发明公开了一种内置MCU的低压检测电路，包括阈值设定单元(1)、电压采集单元(2)、与所述阈值设定单元(1)的输出和电压采集单元(2)的输出分别连接的比较单元(3)，利用阈值设定单元(1)来接入模式信号，根据检测模式来选择固定参考电压...

一种数字鉴相器以及数字延迟锁相环，数字鉴相器对输入、输出时钟相互采样，产生两个初始相位关系信号；然后对两个初始相位关系信号独立进行计数，并在计数时间持续了多个计数周期时比较两个计数结果，产生两个相位关系标志信号；再对两个相位关系标志信号...

一种电池管理系统的充电管快速关断电路，充电管的栅极和源极之间连接基于所述电池管理系统的功耗要求而设定的大于预设阻值的电阻，所述充电管快速关断电路包括：控制电路，用于在关闭所述充电管时同步打开所述下拉放电电路，以及在检测到所述放电检测电路...

本技术公开了一种单个ADC获取同时刻多通道电压值的电路，属于ADC技术领域，所述电路集成于MCU内部，包括：多个采样保持电路、多路选择电路、ADC电路、逻辑控制电路。一路模拟信号直接连接多路选择电路，其余模拟信号各经过一个采样保持电路后...

本技术公开了一种集成在MCU中的ADC通道防串通切换控制电路，所述电路包括GPIO电路、ADC电路、通道接口控制电路，每个通道都有一个GPIO引脚导通开关和一个通道切换开关，电路工作时，通道接口控制电路开启第一通道的引脚导通开关，隔一段...

本技术公开了一种非易失存储器及其存储单元擦写电压电路，包括恒流源、基础电压电路、击穿电路以及多个小电压叠加电路，在需要擦写存储单元时，目标电压并非直接上升到最大值，而是先利用击穿电路使得目标电压首先达到击穿值使得隧道区被击穿，电子向浮栅...

本技术公开了一种MCU及其ESD防护结构，包括：IO独用ESD结构(101)，与MCU的单个IO口唯一对应，并位于对应的IO口的外部引脚/焊盘(PAD)和内部驱动电路(102)之间，用于基于二极管将外部引脚/焊盘(PAD)的ESD静电正...

本技术公开了一种防止ESD影响MOS管性能的MOS管防护电路以及IC芯片，所述IC芯片包括目标IO端口，所述目标IO端口与ESD防护电路(1)连接，所述目标IO端口对内连接所述IC芯片内的内部MOS管的栅极，所述MOS管防护电路包括：分...

本实用新型公开了一种IO端口ESD保护结构的漏电保护电路以及IC芯片，本实用新型在所述IO端口ESD保护结构和内部模拟电路之间设置漏电保护结构，其包括连接在所述IO端口和地之间的第一漏电抵消电路、以及连接在所述IO端口和电源之间的第二漏...

本发明公开了一种用于

本发明公开了一种

本发明公开了一种

一种微控制器及其上电初始化方法，本发明在配置存储区域预先存储了每一个配置参数的原码所对应的校验码，上电复位后，利用默认的读电路的参数值从第一个配置参数开始按照存储顺序从配置存储区域读取参数的原码和校验码进行校验，在出现校验错误时，调整读...