本发明公开了一种用于实现自旋扭矩传递切换的磁性元件、制备方法及磁存储器件；磁性元件的双钉扎垂直各向异性磁固定层，非磁性间隔层和垂直各向异性磁自由层的结构。其中垂直各向异性磁自由层位于双层非磁性间隔层之间。垂直各向异性磁自由层具有垂直于膜...

本发明提供了一种垂直各向异性磁性元件、制备方法及磁存储器；使用在磁性器件中的该磁性元件将联接半导体集成电路构成存储位单元。该磁性元件的垂直各向异性磁性固定层，非磁性间隔层和垂直各向异性磁性自由层的结构。其中非磁性间隔层位于垂直各向异性磁...

本发明提供了一种磁性元件、存储器系统及其写操作方法；磁性元件包括磁固定层、非磁性隔离层、磁自由层和覆盖层；非磁性隔离层设置于磁固定层与磁自由层之间；覆盖层连接磁自由层与外部半导体晶体管电路。磁性自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于...

本发明提供了一种信号放大器、磁存储器的读取电路及其操作方法，在磁存储器模块中包括，多个磁性存储单元，多个位线，多个字线，多个参考存储单元，至少一个参考线，和至少一个高速读取感测放大器。读取操作时，只有一个被字线和位线同时选中的存储单元提...

本发明公开了一种磁随机存储系统及其读取操作方法；提供一个K-位数据STT-MRAM存储器的系统结构和电路以及其读取操作方法。该方法和系统包括K个存储模块，一个字地址驱动器和一个列地址驱动器，K个信号放大器以及一个K-位数据总线；本发明为...