本公开实施例提供一种半导体设备及其操作方法，该半导体设备包括顶针部件；顶针部件包括第一基座以及位于第一基座的顶部的多个顶针；多个顶针的分布范围覆盖需要顶起的多个不同尺寸的芯片，且多个顶针中每个顶针均可被单独控制顶起高度以顶起不同尺寸的芯片。

本公开提供了一种检测方法、检测设备以及存储介质；其中，检测方法包括提供多个第一芯片和晶圆；检测多个所述第一芯片的第一芯片缺陷，并且，获取每个所述第一芯片缺陷与对应的所述第一芯片的芯片拐角之间的第一距离；在所述晶圆上键合多个所述第一芯片；...

本申请实施例提供一种半导体封装结构的制造方法以及半导体结构。其中，半导体封装结构制造方法包括：提供第一晶圆和第二晶圆；第一晶圆包括第一电路；第二晶圆包括第二电路；在第一晶圆的第一面形成贯穿第一晶圆的引出结构；在第一晶圆的第二面形成第一键...

本申请实施例提供一种半导体封装结构的制造方法、半导体结构的制造方法以及半导体器件。其中，半导体封装结构的制造方法，包括：提供晶圆；在晶圆上形成多个第一堆叠；每一第一堆叠包括一个芯片或者堆叠设置的多个芯片；在相邻的两个第一堆叠之间的间隙中...

公开了一种封装结构及其制造方法，其中，封装结构包括：第一基板，在第一基板上间隔分布的多个芯片结构，以及围绕多个芯片结构的空隙；第二基板，与多个芯片结构远离第一基板的一侧对应键合连接；第二基板与第一基板相对的一侧具有多个间隔分布的第一凹槽...

本申请实施例提供一种半导体封装结构及其制造方法。其中，半导体封装结构包括：基板；多个半导体芯片，位于基板上堆叠设置；微电极，位于至少一个半导体芯片的顶部，用于接收微电场；微通道，位于至少一个半导体芯片的顶部，设置在微电极上或者微电极下并...

本公开实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一键合结构、第二键合结构、填充层和连接层；第一键合结构设于第一晶圆的表面且包括第一键合部和第二键合部，其中，第一键合部的截面尺寸小于第二键合部的截面尺寸；第二键合结构设于...

本申请实施例提供一种晶圆切割设备以及晶圆切割方法。其中，晶圆切割设备包括：多孔卡盘，包括第一区域和被第一区域围绕的第二区域；第一区域包括多个顶针，第二区域包括多个孔结构；其中，通过多个顶针的升高，用于使得框架晶圆承载的晶圆正面与第二区域...

本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，其特征在于，方法包括：提供第一晶圆，第一晶圆包括多个第一芯片，多个第一芯片之间设置有第一切割道；在第一晶圆的第一表面上形成第一介质层及位于第一介质层中的第一凹槽和第二凹槽，在第一凹槽中形成第一...

本申请涉及晶圆检测技术领域，具体公开了一种晶圆翘曲检测结构以及检测方法，检测结构包括第一测量板组件、第二测量板组件以及电容测量设备；第一测量板组件用于与待测晶圆的第一表面连接，第二测量板组件用于与待测晶圆的第二表面连接；待测晶圆的第一表...

一种晶圆临时键合方法，涉及微电子技术领域。该方法包括：在承载晶圆的键合面设置第一键合胶层；在器件晶圆的键合面沉积牺牲层；在牺牲层的表面设置第二键合胶层；通过第一键合胶层和第二键合胶层将承载晶圆和器件晶圆键合；在键合后的器件晶圆上进行加工...

一种键合装置，涉及半导体技术领域。本申请提供一种键合装置，包括吸附组件、键合组件和基台；吸附组件的吸嘴用于吸附芯片，基台具有用于承载晶圆的键合工位；键合组件包括转盘以及设置于转盘上的多个键合头，转盘受驱转动以带动多个键合头依次与吸嘴的位...

本公开提供了一种转接板及其形成方法、封装结构，所述转接板的形成方法包括：提供玻璃基板；所述玻璃基板包括第一金属元素；在所述玻璃基板中形成多个通孔；所述多个通孔均从所述玻璃基板在第一方向相对的两侧中的第一侧沿所述第一方向延伸至所述玻璃基板...

本公开提供了一种封装结构及其制造方法，该封装结构包括：基板；中介层，位于基板上；中介层包括相对的第一表面和第二表面；第二表面面向基板；至少一个芯片，位于第一表面上；第一散热结构，位于中介层中并从第二表面显露；第一导热结构，位于中介层中并...

本申请实施例提供一种多孔膜层的制造方法、封装基板以及芯片，其中，该制造方法包括：提供行星架；行星架包括多个行星盘和固定在行星盘上的基座；行星盘绕行星架的法线公转并绕行星盘所在平面的法线自转；基座包括相对设置的第一面和第二面；第一面贴合行...

本公开提供了一种封装结构及其制造方法，该封装结构包括：封装体，包括向上开口的容纳腔；芯片，位于容纳腔中；芯片的表面具有感光区域；透光盖板，位于芯片上方；透光盖板与容纳腔的内壁之间的空间构成第一槽；第一槽用于容置粘接透光盖板和封装体的胶体...

本公开实施例公开了一种半导体材料的蚀刻方法及蚀刻机台的控制方法，所述蚀刻方法包括：提供半导体层，对所述半导体层执行第一蚀刻以及第二蚀刻以形成凹穴；所述第一蚀刻以及所述第二蚀刻中至少包括使用等离子体偏置轰击所述半导体层；所述第二蚀刻中的等...

本公开提供了一种半导体键合结构及其形成方法，半导体键合结构包括沿第一方向堆叠排布的第一半导体结构、第二半导体结构和凸块键合结构；凸块键合结构包括：与第一半导体结构连接的第一凸块，包括沿第一方向依次堆叠排布的第一导电层、第二导电层和第三导...

本申请涉及半导体领域，公开了一种缺陷检测装置、方法和超声波显微镜。缺陷检测装置包括：扫描探头和介质液控制模块。介质液控制模块的控制头设置于扫描探头上，且包围扫描探头的侧壁。在扫描探头移动至目标晶片的正上方的情况下，介质液控制模块向目标晶...

本公开提供了一种晶圆键合结构的缺陷分析方法及装置、计算机可读介质，所述晶圆键合结构的缺陷分析方法包括：提供晶圆键合结构；所述晶圆键合结构包括沿第一方向堆叠排布的第一晶圆和第二晶圆；所述第一晶圆包括经边缘修剪得到的侧面；所述第一晶圆与所述...