湖北星辰技术有限公司专利技术

湖北星辰技术有限公司共有12项专利

  • 本申请提供一种基于背面供电的互连结构及其制备方法,涉及集成电路技术领域,通过利用金属化的纳米埋入式电源轨对金属化的背面接触孔实现在外延层背面形成电源布线层,即实现背面供电,这样不仅能够有效缓解传统电源线和信号线同侧布置所导致的高压降,提...
  • 本公开实施例提供一种半导体封装结构的形成方法,包括:提供多个第一晶圆;第一晶圆包括第一半导体结构以及分别位于第一半导体结构的厚度方向相对的两侧的第一混合键合层以及第二混合键合层;提供第二晶圆;第二晶圆包括第二半导体结构以及位于第二半导体...
  • 本公开实施例提供了一种材料厚度的控制方法、可读存储介质及程序产品,其中,所述控制方法包括:提供第一待处理结构和第二待处理结构;在第一待处理结构上以预设转速S<subgt;0</subgt;涂覆目标材料,以在预设时间后在第一待...
  • 本公开实施例提供了一种材料的填充方法,所述填充方法包括:提供待处理结构,待处理结构上形成有多个待填充结构;提供一体式3D打印材料,一体式3D打印材料包括多个3D打印材料和连接框架,多个3D打印材料之间通过连接框架进行连接,3D打印材料的...
  • 本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法,其中,所述半导体结构包括:多层密封环;多层虚设结构,每一层的虚设结构的数量包括多个,多个虚设结构呈阵列排布,阵列包含多个行,多个虚设结构至少包括位于密封环的至少一侧的部分。多层第一连接结构,...
  • 本申请实施例公开了一种键合强度的测试方法、装置,涉及半导体技术领域,能够降低测试成本,实现可重复性进行测试操作的效果,且提高集成结构的键合强度测试的准确性。所述键合强度的测试方法包括:提供管芯和晶圆键合形成的集成结构。确定管芯和晶圆键合...
  • 本申请提供一种半导体器件及其制备方法,涉及集成电路技术领域,包括提供底晶圆,底晶圆上形成有多个芯片,在芯片内形成有第一散热结构;提供载体晶圆,在载体晶圆内形成第二散热结构;使载体晶圆的第二散热结构面向底晶圆的第一散热结构对应贴合,以使载...
  • 本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统;其中,半导体器件包括:沿第一方向依次层叠设置的第一介质层、第二介质层和半导体结构层;第一导电结构,沿第一方向贯穿所述第一介质层;接触结构,沿第一方向贯穿第二介质层且延伸至半导体结...
  • 本技术提供一种离子风机,涉及静电消除设备领域,该离子风机包括:壳体,壳体内具有容纳腔,壳体还具有与容纳腔连通且在第一方向上相对设置的气流输入孔和气流输出孔;风扇,位于容纳腔内并与壳体可旋转地连接,且在第一方向上,风扇位于气流输入孔和气流...
  • 本申请涉及光刻制程技术领域,具体公开了一种晶圆光掩膜及光刻方法,晶圆光掩膜包括设置在光刻光源投射光线路径上的光掩膜本体,所述光掩膜本体上阵列排布有多个透光区域,每个所述透光区域内设有项目图案;在所述光掩膜本体所在平面上相邻所述透光区域之...
  • 本申请涉及半导体制造技术领域,具体公开了一种清理装置及清理方法,清理装置包括气源、第一等离子源以及与前级管线连通的第一管道;第一等离子源具有第一进气口与第一出气口;气源与第一进气口连通,第一管道与第一出气口连通;气源提供的清洁气体进入可...
  • 本技术提供一种光罩的储存装置及运输装置,涉及半导体储存运输技术领域,该储存装置包括本体,本体包围形成容纳腔,光罩位于容纳腔内,本体还具有与容纳腔连通的充气口和排气孔;充气口与充气装置连通,利用充气装置对容纳腔内填充惰性气体;其中,排气孔...
1