本申请公开了一种半导体堆叠结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的半导体堆叠结构的制备方法，包括：提供多个已经在第一区域完成一次测试的晶圆，晶圆的测试焊盘还包括第二区域，第二区域上具有钝化层；采用光刻工艺去除第二区域上的钝化层，并...

本申请实施例提供一种半导体封装结构的制造方法以及半导体封装结构。该制造方法包括：提供基底；在基底中形成盲孔；在盲孔中形成铜合金；铜合金包括牺牲金属；采用电化学去合金法去除铜合金中的牺牲金属形成多孔铜；多孔铜的孔隙率范围为2％至25％。

本申请提供一种半导体处理装置及其控制方法，涉及半导体技术领域，包括机台，机台设置有用于等离子刻蚀的制程腔，制程腔分别连通有缓存区和存料区，晶圆依次经过缓存区、制程腔和存料区；还包括有除气模块和输气模块，除气模块用于在晶圆从制程腔转运到存...

本申请实施例提供一种芯片分选设备及芯片分选方法。其中，芯片分选设备包括：测试装置，用于对待选晶圆的多个待选芯片进行测试并获取多个待选芯片的测试结果；测试结果用于表征多个待选芯片分类为多个不同等级的芯片；取盘装置，用于根据测试结果将一待选...

本公开实施例提供一种键合结构及键合结构的制造方法，所述制造方法包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括从第一半导体层的键合面向内延伸的导电柱；在所述第一半导体层的键合面上形成第一键合层；所述第一键合层包括第一键合焊盘，所述第一键...

本申请实施例公开了一种键合对准方法及装置。所述键合对准方法包括：获取第一键合对象的第一标识和设置第一键合对象的取物台的第一参考标识，并确定第一标识与第一参考标识之间的第一相对位置。获取第二键合对象的第二标识和设置第二键合对象的载物台的第...

本申请实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、半导体器件。所述半导体结构包括半导体基板，导电柱和应力消除结构。导电柱设置于半导体基板内。应力消除结构设置于导电柱沿垂直于半导体基板厚度方向的至少一侧；应力消除结构包括空腔。

本申请实施例提供一种半导体封装结构及其制造方法。其中，半导体封装结构包括：第一半导体芯片，包括第一硅通孔；第二半导体芯片，在堆叠方向上位于第一半导体芯片上，包括第二硅通孔；第一连接结构，位于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间，连接第一硅...

本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统；其中，半导体器件包括：第一芯片；多个半导体结构，位于第一芯片在第一方向上的一侧表面，且均与第一芯片耦接；多个半导体结构在第二方向上间隔排布，和/或，在第三方向上间隔排布；第二方向...

本发明公开一种柔性阻变存储器及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域，该方法包括：提供柔性导电玻璃，并对柔性导电玻璃进行预处理使其表面洁净；将PbI<subgt;2</subgt;、FAI、MAI和MACl组成的混合溶质溶解于二...

本申请提供一种真空吸附装置及晶圆加工设备，涉及晶圆加工技术领域。该真空吸附装置包括：基座、设置在基座上的真空吸盘和角度调节组件，真空吸盘包括多个子吸盘，子吸盘具有相对的第一表面和第二表面，第一表面用于吸附待固定件，角度调节组件用于分别驱...

本申请提供一种基于背面供电的互连结构及其制备方法，涉及集成电路技术领域，通过利用金属化的纳米埋入式电源轨对金属化的背面接触孔实现在外延层背面形成电源布线层，即实现背面供电，这样不仅能够有效缓解传统电源线和信号线同侧布置所导致的高压降，提...

本申请提供一种基于背面供电的互连结构及其制备方法，涉及集成电路技术领域，通过利用金属化的正面纳米通孔对金属化的背面纳米通孔实现在外延层背面形成电源布线层，即实现背面供电，这样能够有效缓解传统电源线和信号线同侧布置所导致的高压降，提高功率...

本公开实施例提供一种半导体封装结构的形成方法，包括：提供多个第一晶圆；第一晶圆包括第一半导体结构以及分别位于第一半导体结构的厚度方向相对的两侧的第一混合键合层以及第二混合键合层；提供第二晶圆；第二晶圆包括第二半导体结构以及位于第二半导体...

本公开实施例提供了一种材料厚度的控制方法、可读存储介质及程序产品，其中，所述控制方法包括：提供第一待处理结构和第二待处理结构；在第一待处理结构上以预设转速S<subgt;0</subgt;涂覆目标材料，以在预设时间后在第一待...

本公开实施例提供了一种材料的填充方法，所述填充方法包括：提供待处理结构，待处理结构上形成有多个待填充结构；提供一体式3D打印材料，一体式3D打印材料包括多个3D打印材料和连接框架，多个3D打印材料之间通过连接框架进行连接，3D打印材料的...

本公开实施例提供了一种半导体结构及其制备方法，其中，所述半导体结构包括：多层密封环；多层虚设结构，每一层的虚设结构的数量包括多个，多个虚设结构呈阵列排布，阵列包含多个行，多个虚设结构至少包括位于密封环的至少一侧的部分。多层第一连接结构，...

本申请实施例公开了一种键合强度的测试方法、装置，涉及半导体技术领域，能够降低测试成本，实现可重复性进行测试操作的效果，且提高集成结构的键合强度测试的准确性。所述键合强度的测试方法包括：提供管芯和晶圆键合形成的集成结构。确定管芯和晶圆键合...

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，涉及集成电路技术领域，包括提供底晶圆，底晶圆上形成有多个芯片，在芯片内形成有第一散热结构；提供载体晶圆，在载体晶圆内形成第二散热结构；使载体晶圆的第二散热结构面向底晶圆的第一散热结构对应贴合，以使载...

本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统；其中，半导体器件包括：沿第一方向依次层叠设置的第一介质层、第二介质层和半导体结构层；第一导电结构，沿第一方向贯穿所述第一介质层；接触结构，沿第一方向贯穿第二介质层且延伸至半导体结...