本实用新型公开了一种具有摄像功能的LED工矿灯，其包括智能控制电源(1)、LED灯珠(3)和摄像头(5)，其中所述智能控制电源(1)与所述LED灯珠(3)和所述摄像头(5)电连接。其中所述智能控制电源(1)包括LED灯电源驱动模块、摄像...

本发明涉及一种利用温度循环法提高GaN基LED器件工作寿命的方法，包括以下步骤：A.在基底1上采用低温气相沉积技术生长GaN缓冲层2，其中所述低温是500℃；B.采用高温气相沉积技术在所述GaN缓冲层2上生长GaN半导体层3，其中所述高...

本发明涉及一种用于实施化学气相沉积过程的设备，其中最关键的反应器主体2包括：加热腔51、密封腔52和反应腔53；其中加热腔51中具有加热器13、中空轴7、通气法兰15，其中所述通气法兰15固定在反应器底板23上；其中密封腔52由反应器底...

本发明提供了一种氮化镓基发光二极管，其从下到上依次包括以下各层：蓝宝石衬底1；氮化镓层2，其作为缓冲层；非掺杂氮化镓层3；n型导电氮化镓层4；表面粗化不平的氮化铝硅层5；氮化铟镓/氮化镓多量子阱层6；和p型氮化镓层7。本发明还提供了上述...

本发明涉及一种具有特殊结构的硅衬底，其特征在于，在硅本体材料表面以下数微米深度处设置一层腐蚀阻挡层，当接触硅腐蚀液时，该腐蚀阻挡层的腐蚀速度比硅本体材料小。本发明还涉及将生长在上述硅衬底上的半导体器件与该硅衬底进行剥离的方法，采用这种剥...