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华进半导体封装先导技术研发中心有限公司专利技术
华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共有842项专利
一种高密度扇出封装结构及其制造方法技术
本发明公开一种高密度的扇出封装结构,包括芯片;第一互连层,其设置于所述芯片表面,包括重布线路;集成器件,所述集成器件设置于所述第一互连层上;金属柱,其第一端与所述第一互连层连接;塑封层,其包覆所述金属柱及所述集成器件,但露出所述金属柱的...
一种基板连接器和POP封装结构制造技术
本发明涉及一种基板连接器和POP封装结构,一种基板连接器,包括:连接器主体;以及多个基板插槽,其位于所述连接器主体的侧面,且多个基板插槽在垂直方向上排列。POP封装结构包括:基板连接器;多个基板,其两端插入设置在两侧的基板连接器的基板插...
一种芯片散热结构及封装方法技术
本发明涉及一种具有散热功能的封装结构及制备方法,包括:基板;第一金属柱,其贯穿所述基板;金属层,其裸露于所述基板背面,并与所述第一金属柱的第一端相连;第一芯片,其背面涂敷有散热介质形成散热层,其背面设置于所述基板正面,并与所述第一金属柱...
一种有源转接板制备方法及有源转接板技术
本发明涉及半导体封装技术领域,公开了一种有源转接板制备方法及有源转接板,其中,有源转接板制备方法包括:形成有源器件,有源器件具有衬底层和位于其一侧表面的low‑k介质层;形成贯穿low‑k介质层,且至少部分嵌入衬底层的隔离环;形成贯穿位...
一种线路间绝缘测试基板的形成方法技术
本发明涉及一种线路间绝缘测试基板的形成方法,其特征在于,包括:在载体的正面和反面均压合粘接层和带有保护金属层的第一金属层;在载体两侧的第一金属层表面制备精细线路,得到带有精细线路的载体;在载体的正面和反面依次压合第一绝缘层、芯板基材和第...
一种感存算集成芯片封装结构及其制备方法技术
本发明涉及半导体封装技术领域,公开一种感存算集成芯片封装结构及其制备方法。封装基板的一侧表面具有引线端子;处理器单元位于封装基板具有引线端子的一侧表面,包括处理器芯片;存储与逻辑单元位于处理器单元远离封装基板的一侧表面,通过引线与引线端...
光电合封结构及其制造方法技术
本发明涉及两种光电合封结构及其制造方法。其中一种结构包括:第一重布线层;金属柱,布置在所述第一重布线层的第一表面;光芯片,布置在所述金属柱的第一表面;第二重布线层,布置在所述第一重布线层的第一表面,所述第二重布线层与所述第一重布线层电连...
一种具有光口保护的光电合封结构及其制造方法技术
本发明涉及一种具有光口保护的光电合封结构及其制造方法。光电合封结构的制造方法包括:对光芯片模块进行第一塑封,所述光芯片模块包括第一光芯片和第二光芯片;第一光芯片和第二光芯片的第一面分别包括第一光口和第二光口,第一光口和第二光口共用一条沟...
一种半导体结构的制备方法技术
本发明涉及半导体技术领域,具体提供一种半导体结构的制备方法,包括:提供半导体衬底层;在部分厚度的所述半导体衬底层中形成若干第一开口;在半导体衬底层具有第一开口的一侧表面形成氧化层,同时部分氧化层填充所述若干第一开口以形成隔离结构;在相邻...
一种封装基板的制备方法及封装基板技术
本发明涉及封装基板制备技术领域,公开了一种封装基板的制备方法及封装基板,该制备方法包括:提供初始封装基板,其中,初始封装基板包括第一材料层和位于第一材料层一侧表面的第二材料层,第二材料层的热膨胀系数大于第一材料层的热膨胀系数;将初始封装...
一种散热盖及防翘曲封装结构制造技术
本技术涉及一种散热盖及防翘曲封装结构,其中散热盖,包括:顶盖;可弯曲构件,其连接所述顶盖与支撑构件,且所述可弯曲构件被构造的能够弯折和伸展;以及支撑构件,其包括相互垂直的支持主体和卡块。本技术的散热盖通过采用多段式的结构实现了较好的防翘...
一种可重构天线及可重构天线制备方法技术
本发明涉及天线技术领域,公开了一种可重构天线及可重构天线制备方法,其中,可重构天线包括LTCC基板层、贴片天线层、接地层、第一介电层以及微带线,LTCC基板层中设有流道,并在LTCC基板层上形成进液口和出液口;贴片天线层位于LTCC基板...
一种多芯片高密度互联结构及其制造方法技术
本发明涉及一种多芯片高密度互联结构及其制造方法。该结构包括:多个塑封层,包括第一塑封层和第二塑封层,所述第一塑封层中设置垂直互连结构以及硅桥,所述硅桥布置在所述第一塑封层中任意高密局部互连的区域;多个芯片模块,所述多个芯片模块的第二表面...
一种封装夹具、封装方法及封装系统技术方案
本发明涉及半导体器件封装技术领域,公开了一种封装夹具、封装方法及封装系统,封装夹具包括载荷板、背板和连接件;载荷板,具有多个台阶式凹槽,台阶式凹槽由台阶底面以及与台阶底面连接的两个相对设置的台阶侧面组成;背板,通过连接件与载荷板具有台阶...
优化基板的固化工艺参数的方法、装置、设备及介质制造方法及图纸
本发明涉及基板制备技术领域,公开了优化基板的固化工艺参数的方法、装置、设备及介质,方法包括:基于固化温度曲线,确定基板对应的最佳固化温度,固化温度曲线用于表征固化温度随升温速率变化的情况,固化温度曲线包括凝胶温度曲线、预固化温度曲线和后...
一种集成电压调节模块的有源转接板结构及其制造方法技术
本发明涉及一种集成电压调节模块的有源转接板结构及其制造方法。该结构包括:有源转接板;硅通孔,所述硅通孔布置在所述有源转接板上;电压调节模块,所述电压调节模块布置在所述有源转接板上;微凸点,所述微凸点布置在所述有源转接板的第一表面;凸点,...
一种扇出型封装结构及其制备方法技术
本发明涉及芯片封装领域,公开了一种扇出型封装结构及其制备方法;扇出型封装结构包括第一半导体载板、目标芯片、塑封层、第一微流道及第二半导体载板;目标芯片设置于第一半导体载板的凹槽内,塑封层设置于所述第一半导体载板的顶部;塑封层包括铜柱和硅...
一种三维堆叠存储器及其制造方法技术
本发明涉及一种三维堆叠存储器及其制造方法。所述三维堆叠存储器包括多个存储器子模块,所述多个存储器子模块通过模块间连接结构电连接,所述存储器子模块包括:第一重布线层、第一垂直互连结构、第一存储芯片模块、第一塑封层、第二重布线层、第二垂直互...
一种半导体封装结构及制备方法技术
本发明涉及半导体封装技术领域,公开了一种半导体封装结构及制备方法,半导体封装结构包括封装加班年、硅桥结构、第一塑封结构、第一重布线层以及多个芯片,封装基板具有竖直贯穿设置的多个通孔;硅桥结构设置在通孔内且与通孔侧壁之间具有间隙;第一塑封...
一种基片集成波导背腔天线制造技术
本发明提供一种基片集成波导背腔天线,包括基板以及位于基板的一侧依次层叠设置的第二介质板和第一介质板;馈电结构包括贯穿第二介质板和第一介质板的馈电通孔和驱动通孔,馈电通孔与基板连接产生电磁波,部分电磁波通过第二介质板和第一介质板传输至驱动...
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