华进半导体封装先导技术研发中心有限公司专利技术

华进半导体封装先导技术研发中心有限公司共有849项专利

  • 本发明涉及湿扩散仿真技术领域,公开了一种湿扩散仿真装置、湿气分布的仿真方法及计算机设备,湿扩散仿真装置包括工程项目模块、机械设计平台、几何结构模块、求解器和插件模块;几何结构模块用于接收或生成嵌入式组件封装结构,网格划分模块用于对嵌入式...
  • 本发明涉及一种高集成度半导体封装结构及其制造方法。该结构包括:基板;高性能供电散热模块以及深沟槽电容器模块,所述高性能供电散热模块包含微流道;塑封层;重布线层;芯片模块,所述芯片模块包括第一芯片模块、第二芯片模块以及第三芯片模块;底部填...
  • 本发明涉及一种集成微流道的三维垂直供电结构及其制造方法。该结构包括:第一硅晶圆;栅极驱动层;第一重布线层;第一键合保护层;第二硅晶圆;功率晶体管层;第二重布线层;第二键合保护层;第一微流道;第二微流道;所述第一微流道和所述第二微流道互连...
  • 本发明涉及一种转接板结构及其制备方法。转接板结构包括:第一转接板,第一转接板包括第一衬底和若干贯穿第一衬底的第一硅通孔;互连层,位于第一转接板的一侧表面,互连层包括RDL层和包覆RDL层的钝化层,RDL层与第一硅通孔连接;第二转接板,位...
  • 本发明涉及一种半导体封装结构及其制备方法。半导体封装结构包括:DRAM晶圆;DRAM晶圆包括多个DRAM芯片和贯穿DRAM晶圆的多个第一硅通孔;BEOL层,位于DRAM晶圆的一侧;DTC层,位于BEOL层背向DRAM晶圆的一侧表面,DT...
  • 本发明涉及一种具有嵌入式精细线路的基板及其形成方法,所述形成方法包括:在载体的正面和反面均压合粘接层和带有保护金属层的第一金属层;在位于载体正面或反面的第一金属层的表面形成精细线路,得到带有精细线路的载体;取芯板基材,并在芯板基材的正面...
  • 本发明涉及一种玻璃基转接器件的制作方法,包括:在玻璃基底的正面布置键合互连结构;将带有键合互连结构的玻璃基底与硅基无源转接器件进行混合键合,得到组合体,其中硅基无源转接器件包括硅基体和设置在硅基体表面的第一互连结构以及多层第二互连结构,...
  • 本发明公开一种高密度的扇出封装结构,包括芯片;第一互连层,其设置于所述芯片表面,包括重布线路;集成器件,所述集成器件设置于所述第一互连层上;金属柱,其第一端与所述第一互连层连接;塑封层,其包覆所述金属柱及所述集成器件,但露出所述金属柱的...
  • 本发明涉及一种基板连接器和POP封装结构,一种基板连接器,包括:连接器主体;以及多个基板插槽,其位于所述连接器主体的侧面,且多个基板插槽在垂直方向上排列。POP封装结构包括:基板连接器;多个基板,其两端插入设置在两侧的基板连接器的基板插...
  • 本发明涉及一种具有散热功能的封装结构及制备方法,包括:基板;第一金属柱,其贯穿所述基板;金属层,其裸露于所述基板背面,并与所述第一金属柱的第一端相连;第一芯片,其背面涂敷有散热介质形成散热层,其背面设置于所述基板正面,并与所述第一金属柱...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,公开了一种有源转接板制备方法及有源转接板,其中,有源转接板制备方法包括:形成有源器件,有源器件具有衬底层和位于其一侧表面的low‑k介质层;形成贯穿low‑k介质层,且至少部分嵌入衬底层的隔离环;形成贯穿位...
  • 本发明涉及一种线路间绝缘测试基板的形成方法,其特征在于,包括:在载体的正面和反面均压合粘接层和带有保护金属层的第一金属层;在载体两侧的第一金属层表面制备精细线路,得到带有精细线路的载体;在载体的正面和反面依次压合第一绝缘层、芯板基材和第...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,公开一种感存算集成芯片封装结构及其制备方法。封装基板的一侧表面具有引线端子;处理器单元位于封装基板具有引线端子的一侧表面,包括处理器芯片;存储与逻辑单元位于处理器单元远离封装基板的一侧表面,通过引线与引线端...
  • 本发明涉及两种光电合封结构及其制造方法。其中一种结构包括:第一重布线层;金属柱,布置在所述第一重布线层的第一表面;光芯片,布置在所述金属柱的第一表面;第二重布线层,布置在所述第一重布线层的第一表面,所述第二重布线层与所述第一重布线层电连...
  • 本发明涉及一种具有光口保护的光电合封结构及其制造方法。光电合封结构的制造方法包括:对光芯片模块进行第一塑封,所述光芯片模块包括第一光芯片和第二光芯片;第一光芯片和第二光芯片的第一面分别包括第一光口和第二光口,第一光口和第二光口共用一条沟...
  • 本发明涉及半导体技术领域,具体提供一种半导体结构的制备方法,包括:提供半导体衬底层;在部分厚度的所述半导体衬底层中形成若干第一开口;在半导体衬底层具有第一开口的一侧表面形成氧化层,同时部分氧化层填充所述若干第一开口以形成隔离结构;在相邻...
  • 本发明涉及封装基板制备技术领域,公开了一种封装基板的制备方法及封装基板,该制备方法包括:提供初始封装基板,其中,初始封装基板包括第一材料层和位于第一材料层一侧表面的第二材料层,第二材料层的热膨胀系数大于第一材料层的热膨胀系数;将初始封装...
  • 本技术涉及一种散热盖及防翘曲封装结构,其中散热盖,包括:顶盖;可弯曲构件,其连接所述顶盖与支撑构件,且所述可弯曲构件被构造的能够弯折和伸展;以及支撑构件,其包括相互垂直的支持主体和卡块。本技术的散热盖通过采用多段式的结构实现了较好的防翘...
  • 本发明涉及天线技术领域,公开了一种可重构天线及可重构天线制备方法,其中,可重构天线包括LTCC基板层、贴片天线层、接地层、第一介电层以及微带线,LTCC基板层中设有流道,并在LTCC基板层上形成进液口和出液口;贴片天线层位于LTCC基板...
  • 本发明涉及一种多芯片高密度互联结构及其制造方法。该结构包括:多个塑封层,包括第一塑封层和第二塑封层,所述第一塑封层中设置垂直互连结构以及硅桥,所述硅桥布置在所述第一塑封层中任意高密局部互连的区域;多个芯片模块,所述多个芯片模块的第二表面...
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