本公开提供了一种发光二极管，属于发光器件领域。所述发光二极管包括：衬底、第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流扩展层、第一电极和第二电极；所述第一半导体层包括依次层叠在所述衬底的第一扩展层和第一阻挡层，所述第二半导体层包括依次层叠在所...

本公开公开了一种连接管及氯气刻蚀设备，属于氯气刻蚀设备改造技术领域。所述连接管包括：第一管道和第二管道；第一管道包括U型管，U型管的第一端口与氯气刻蚀设备的尾气处理装置相连，U型管的第二端口与氯气刻蚀设备的刻蚀炉腔体相连，U型管的弯曲管...

本公开实施例提供了一种衬底，属于半导体技术领域。衬底包括陶瓷基板、防扩散层、热膨胀调节层、第一粘附层以及半导体层；所述防扩散层包裹所述陶瓷基板；所述热膨胀调节层设置在所述防扩散层的远离所述陶瓷基板的表面上；所述第一粘附层设置在所述热膨胀...

本公开提供了一种改善内量子效率的发光二极管和显示面板，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的n型半导体层、有源层和p型半导体层；有源层包括从n型半导体层至p型半导体层的方向上依次层叠的第一有源子层、第二有源子层和第三有源子层...

本公开提供了一种尾气排放系统，属于半导体生产技术领域。该尾气排放系统包括：控制单元、第一排放管、第二排放管、第一阀门组件、第二阀门组件和温度检测件；第一排放管的第一端和第二排放管的第一端分别与用于存储尾气的腔体连通，第一阀门组件连接在第...

本公开提供了一种改善耐用性的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层和电极，所述电极位于所述外延层的表面上；所述电极包括交替层叠的至少一层第一金属层和至少一层第二金属层，所述第二金属层中金属材料的致密性大于...

本公开提供了一种具有低翘曲变化的发光二极管及其制备方法，属于半导体器件领域。该发光二极管包括：第一半导体层、以及依次设置在第一半导体层一面的有源层和第二半导体层；第一半导体层包括非掺杂子层和多个掺杂子层，多个掺杂子层依次设置在非掺杂子层...

本公开提供了一种加热装置及金属有机化学气相沉积设备，属于半导体器件领域。该加热装置，包括：边缘加热件和中间加热件；边缘加热件围设在中间加热件四周；边缘加热件靠近中间加热件的区域为镂空区域，位于镂空区域内的边缘加热件具有多个孔洞，各孔洞相...

本公开提供了一种激光切割装置及其切割方法，属于半导体领域。该激光切割装置包括：厚度测量单元，用于测量晶圆的切割道处衬底的厚度，所述晶圆包括多个间隔分布在所述衬底表面的发光单元，多个所述发光单元之间具有多个所述切割道；激光单元，用于射出激...

本公开提供了一种改善裂片的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上生长n型层；在所述n型层上生长应力释放层，所述应力释放层的生长方式包括：依次进行第一生长阶段和第二生长阶段，所述第一生长阶段包括控制生长温...

本公开提供了一种发光二极管及其制作方法，属于发光器件领域。该发光二极管包括：衬底、转移层、第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述转移层、所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层依次层叠在所述衬底；所述转移层包括二维材料层。该发光...

本公开提供了一种改善抗静电能力的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上依次生长缓冲层、成核层、填平层和外延层，填平层的生长方式包括：依次进行多个工艺阶段，各工艺阶段均包括依次进行的第一生长阶段和第二生长...

本公开提供了一种改善翘曲的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括：在衬底上生长缓冲层、成核层、填平层和外延层，所述成核层为三维岛状结构，所述填平层用于填平所述成核层的远离所述衬底的表面；所述成核层的生长方式包括：...

本公开提供了一种发光二极管的制备方法和蒸镀设备，属于光电子制造技术领域。该蒸镀设备包括：蒸镀腔体、镀锅和蒸镀源，所述镀锅和所述蒸镀源均位于所述蒸镀腔体内；所述镀锅包括安装板和芯粒夹具，所述芯粒夹具位于所述安装板的第一表面，所述第一表面为...

本公开提供了一种改善极化效应的发光二极管及其制备方法和制品，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括第一外延层和第二外延层，所述第一外延层包括第一半导体层；所述第二外延层位于所述第一半导体层的第一侧壁上，且所述第二外延层包括沿远离所述第...

本公开提供了一种发光二极管的分选组件、固晶装置和固晶方法，属于光电子制造技术领域。该分选组件包括第一承载膜和第二承载膜，所述第一承载膜具有相反的第一侧面和第二侧面，所述第一侧面的第一区域用于粘附发光二极管，所述第二承载膜位于所述第一侧面...

本公开提供了一种发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。所述制备方法包括：在氨气氛围下对蓝宝石衬底进行加热处理，使所述蓝宝石衬底为氮极性；在所述蓝宝石衬底上依次形成低温GaN层和高温GaN层，得到第一半导体层，所述高温GaN层的...

本公开实施例提供了一种发光二极管及其制作方法，属于半导体技术领域。该发光二极管包括：N型半导体层以及依次位于N型半导体层上的多量子阱层和P型半导体层；P型半导体层包括沿远离多量子阱层的方向依次层叠的掺杂Mg的第一GaN层、未掺杂Mg的第...

本公开提供了一种石墨载盘及其制作方法，属于半导体领域。所述石墨载盘包括：石墨盘本体和位于所述石墨盘本体的表面的多个凹槽；所述多个凹槽间隔分布，所述凹槽的底面为斜面，所述斜面用于阻止位于所述凹槽中的外延片与所述凹槽的侧面的至少指定部位接触...

本公开提供了一种改善电极吸光的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括外延层和电极，所述电极位于所述外延层的一表面上；所述电极包括：半导体层、金属层和介质层，所述半导体层和所述介质层均位于所述外延层的表面，所述半...