本发明提供一种多晶栅的生长方法，它包括以下步骤：步骤1：在密封反应 室真空度为0.08～1托，温度为520～570摄氏度下，控制硅化合物的反应物流速 在100～700标况毫升每分下，生长非晶态硅栅；步骤2：充入退火惰性气体，在 退火温度...