一种非易失性存储器件包括以矩阵形式排列的多个存储器单元，沿行方向延伸的多条字线以及沿列方向延伸的多条位线。每一个存储器单元均与其中的一条字线和其中的一条位线连接。该存储器件还包括：与所述字线连接且用于控制这些字线的字线控制电路；用于在数...

提供热场控制电导率变化器件及其用途。在一些实施方式中，一种热控开关包括：金属绝缘体转变(MIT)材料；与该MIT材料电连接的第一和第二接线端；以及设置于所述MIT材料附近的加热元件。

提供双精度模拟存储器单元及阵列。在一些实施方式中，一种存储器单元包括：具有输入端和至少一个输出端的非易失性存储元件；以及具有多个输入端和输出端的易失性存储元件，该易失性存储元件的输出端连接至所述非易失性存储元件的输入端，该易失性存储元件...

本发明涉及一种具有多个不同介电层的逐步击穿存储单元。在一些实施方式中，一种多电平一次性可编程存储单元包括：顶电极；底电极；以及设于所述顶电极和底电极之间的多个介电层，其中，满足至少以下一个条件：至少两个介电层为不同的介电材料；该多电平一...

本发明涉及一种基于含单向选择器的OTP存储阵列的神经网络推理加速器。在一些实施方式中，一种存储阵列可包括：多个一次性可编程(OTP)存储单元，每一个一次性可编程存储单元均包括：一次性可编程存储元件；顶电极，该顶电极具有与所述一次性可编程...

本发明涉及一种具有嵌入式非易失性存储器的显示驱动系统。该系统包括用于调整显示装置亮度的电路结构，包括：非易失性存储器阵列，其具有多个存储单元，所述存储单元用于存储所述显示装置的亮度数据，以及亮度调节电路，用于接收待被显示在所述显示装置上...

公开了一种用于对施加至阻变式随机存取存储器(RRAM)阵列的源极线或位线上的电流进行限制或者对施加至该源极线或位线上的电压进行斜变的RRAM电路和相关方法。该RRAM阵列具有一条或多条源极线以及一条或多条位线。其中，控制电路在设置操作过...

公开一种阻变随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括由钨构成的底电极以及设于该底电极上方的由氧化铪构成的转变层，其中，该转变层包括可转变细丝。所述RRAM还包括设于所述转变层上方的电阻层以及设于该电阻层上方的位线，其中，该电阻层横向延...

公开一种阻变随机存取存储器(RRAM)。该RRAM包括由钨构成的底电极；以及设于所述底电极上方的由氧化铪构成的一转换层，所述转换层包括细丝结构以及含掺杂材料的一个或多个横向区域，其中，所述一个或多个横向区域位于所述转换层的顶部区域和底部...

本文中的实施方式描述了初始化电阻式存储装置(例如，非易失性和易失性存储装置)的技术。在一种方法中，在存储单元的变阻材料上施加第一电压以形成初始细丝，并且执行多个循环以调节所述初始细丝。所述多个循环中的每一个可包括：在所述变阻材料上施加具...

公开了一种用于使用RRAM单元电阻的指示来确定写入条件的方法和相关装置。以比数据读取值更高的分辨率确定RRAM单元的单元特性。基于所述单元特性，为所述RRAM单元选择写入条件。使用所选的写入条件对所述RRAM单元进行写入。